nand 文章進入nand 技術社區(qū)

預計明年NAND閃存銷售量漲價跌

　　集邦科技發(fā)布近日報告稱，明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價格將同比下降35%。　　集邦科技稱，新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時，閃存市場的供需就會更加平衡，價格下降幅度不會太大。　　
關鍵字： NAND 20nm

全球IC市場喜憂參半

　　根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報告，該公司預測2010年度全球IC市場將成長32%，2011年度將成長8%;2010年度設備市場將成長103%，2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負面的跡象;　
關鍵字： IC NAND

用于SD卡的NAND flash控制芯片的設計

　　O 引言　　Flash是一種非易失存儲器，它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點，近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設備中得到了廣泛的應用。本文給出了
關鍵字：芯片設計控制 flash SD NAND 用于

未來幾年NAND閃存將面臨過剩隱憂

　　據(jù)iSuppli公司，由于智能手機以及平板電腦的使用量增加，2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達到最高紀錄。　　預計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達到187億美元，比去年的135億美元勁增38%，部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長，2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長，盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示，預計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。　　
關鍵字： NAND 智能手機

2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡

　　2010年對于全球半導體產(chǎn)業(yè)而言，可說是值得紀念的一年，拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示，2010年全球半導體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達30%，創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而，受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響，2011年全球半導體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%，移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%，Mobile DRAM和NAND Flash的重要性，也將隨著智能手機等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。　　
關鍵字： SAMSUNG DRAM NAND

NAND Flash的壞塊管理設計

NAND Flash的壞塊管理設計,摘要：主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設計和實現(xiàn)方案，詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關算法，同時分析了此壞塊算法在Linux內核及Bootloader中的具體應用。測試結果表明該算法能夠處理NAND
關鍵字：設計管理 Flash NAND

NAND Flash管理算法的設計及實現(xiàn)

給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設計方法，文中集中研究了其中的軟件部分，探討了管理flash物理塊的算法，提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義，同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
關鍵字：設計實現(xiàn) 算法管理 Flash NAND

DRAM市場價格持續(xù)下跌

　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。　　
關鍵字： DRAM NAND

DRAM市場價格持續(xù)下跌

　　隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌，不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況，下游存儲器模塊廠亦受到牽累，10月營收亦持續(xù)下滑，其中，威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示，預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季，而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況，公司因應策略是致力降低庫存水位，將庫存維持在約3~4周水平。　　
關鍵字：三星 DRAM NAND

3C大廠合力推動UFS實現(xiàn)NAND應用接口標準統(tǒng)一

　　集邦科技旗下研究機構 DRAMeXchange 指出，JEDEC Task group 中的一些主要成員如：三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導體(ST)等國際大廠，近期正在積極推動新的 NAND Flash 應用接口標準 UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。　
關鍵字：三星 NAND UFS

三星半導體16產(chǎn)線將轉產(chǎn)閃存

　　三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設的半導體廠，決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導，三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產(chǎn)線，將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。　　
關鍵字：三星半導體 NAND

固態(tài)硬盤備受關注

　　DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報告指出，固態(tài)硬盤(SSD)一直以來為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤對于 NAND Flash 的使用量來說是一般內建式應用產(chǎn)品、U盤與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。　　
關鍵字：固態(tài)硬盤 NAND

固態(tài)硬盤備受NAND Flash廠商親賴

　　固態(tài)硬盤一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產(chǎn)品，主要是固態(tài)硬盤對于NAND Flash的使用量來說是一般內建式應用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多，因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。而從消費者的論點來看，固態(tài)硬盤的傳輸速度為傳統(tǒng)硬盤的兩倍以上，同時也兼具了省電與抗震動的特點，因此，DRAMeXchange認為，在未來高畫質影音與大容量檔案傳輸?shù)男枨髮⒋蠓嵘拢瑢τ诠虘B(tài)硬盤的需求若能在價格有效下降至可接受的范圍將會開始提升。　　
關鍵字：固態(tài)硬盤 NAND

美光 NAND 產(chǎn)品獲 HLDS 全球首款具有板載儲存的混合光驅采用

　　美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布，美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合光驅 (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量儲存和可修改功能，是針對個人計算機、DVD 播放器和藍光產(chǎn)品的綜合解決方案。　　美光的 25nm NAND 處理技術提供單一設備中8GB 儲存容量，滿足新應用
關鍵字：美光 NAND

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nand 介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]