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            芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

            •   據(jù)國外媒體報(bào)道,芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會(huì)SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是,盡管對(duì)芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預(yù)期落空,但明年的前景要光明得多。   SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會(huì))預(yù)計(jì),2013年芯片制造設(shè)備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測(cè),2014年芯片制造設(shè)備營收將猛增21%。   當(dāng)然,SEMI以往曾對(duì)芯片制造設(shè)備營收作出過高的預(yù)期。1年前,SEMI曾預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營收將增長約1
            • 關(guān)鍵字: 芯片制造  NAND  

            2013年:芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會(huì)變好

            •   根據(jù)國外媒體的報(bào)道,2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退,預(yù)計(jì)芯片制造設(shè)備的全年?duì)I收下降2%,而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營收會(huì)增長10%。   這次衰退預(yù)計(jì)同樣出自SEMI,這表明此前他們對(duì)2013年的樂觀預(yù)計(jì)已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開始,以NAND閃存為首的芯片廠商對(duì)芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺(tái)積電三家狀況比較穩(wěn)定,主要是因?yàn)橄M(fèi)類電子產(chǎn)品對(duì)芯片需求量大,三家企業(yè)處于難以撼動(dòng)的統(tǒng)治地位。   不過SEMI依然對(duì)2014年的發(fā)展
            • 關(guān)鍵字: 芯片制造  NAND  

            中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

            •   導(dǎo)語:路透社今天撰文指出,近年來高端手機(jī)市場(chǎng)的需求趨于飽和,曾經(jīng)推動(dòng)芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩,但隨著華為、聯(lián)想等中國移動(dòng)廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起,以及中國移動(dòng)市場(chǎng)的火爆,中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。   以下為文章全文:   重新掌握主動(dòng)   隨著中國低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增,以及華為等中國移動(dòng)設(shè)備廠商的強(qiáng)勢(shì)崛起,東芝、SKHynix等亞洲存儲(chǔ)芯片廠商有望從這種趨勢(shì)中獲得重要回報(bào)。中國目前已取代美國,成為全球第一大智能手機(jī)市場(chǎng)
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

            內(nèi)存芯片商揚(yáng)眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了

            •   7月5日消息,由于中國廉價(jià)平板、智能手機(jī)需求增長,由于中國移動(dòng)設(shè)備商的出現(xiàn),東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運(yùn),開始收獲金錢了。   在高端產(chǎn)品領(lǐng)域,盡管市場(chǎng)增速?zèng)]過去那么快了,但是,這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存,也會(huì)刺激內(nèi)存銷售的增長。   兩種趨勢(shì)之下,加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資,DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)和NAND內(nèi)存芯片價(jià)格已經(jīng)開始回升,在廠商面前,內(nèi)存制造商抬起頭來,它們有了更高的議價(jià)能力。   I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出:“
            • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  NAND  

            NAND需求旺盛 模塊廠Q3將迎來火爆場(chǎng)面

            •   存儲(chǔ)器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會(huì),執(zhí)行長MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季,并指出未來12個(gè)月,NAND市場(chǎng)產(chǎn)能供給增加的幅度有限,但需求十分強(qiáng)勁,幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來形容,因此對(duì)下半年NAND市場(chǎng)抱持樂觀正面看法。   根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調(diào)查,由于全球4大供應(yīng)商近一年來沒有擴(kuò)產(chǎn)動(dòng)作,加上制程微縮難度太高導(dǎo)致速度放緩,第3季NANDFlash位元成長率恐低于10%,但因行動(dòng)裝置及固態(tài)硬盤(SSD)市場(chǎng)進(jìn)入
            • 關(guān)鍵字: SSD  NAND  

            NAND閃存閃現(xiàn)光芒,今年?duì)I業(yè)收入有望大增

            • 據(jù)IHS公司的閃存市場(chǎng)動(dòng)態(tài)簡(jiǎn)報(bào),由于在手機(jī)、游戲控制臺(tái)和混合存儲(chǔ)驅(qū)動(dòng)器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大,NAND閃存市場(chǎng)今年有望實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
            • 關(guān)鍵字: IHS  NAND  

            NAND在2012年第四季度表現(xiàn)強(qiáng)勁

            •   據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場(chǎng)追蹤報(bào)告,低端平板電腦市場(chǎng)相對(duì)強(qiáng)健,幫助NAND閃存產(chǎn)業(yè)在2012年第四季度取得良好表現(xiàn),提升了全年?duì)I業(yè)收入水平,并縮減了2012年虧損程度。   2012年第四季度NAND營業(yè)收入為58億美元,比第三季度的48億美元增長17%,這是當(dāng)年表現(xiàn)最好的一個(gè)季度,如圖3所示。在最后一個(gè)季度的強(qiáng)力推動(dòng)下,2012年全年NAND營業(yè)收入達(dá)到200億美元,比2011年只下降4.6%,降幅小于最初擔(dān)憂的水平。   圖3:2012年各季度全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)估(以百
            • 關(guān)鍵字: NAND  平板電腦  

            日系半導(dǎo)體公司一季度恢復(fù)盈利

            •   根據(jù)Digitimes的研究報(bào)告顯示,日本前三大半導(dǎo)體公司,東芝,瑞薩電子和索尼,盡管2012財(cái)年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低,但利潤已經(jīng)提高。   其中,東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達(dá)到了1730億日元(17.1億美元),達(dá)到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價(jià)格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導(dǎo)體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個(gè)季度增長。   瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入,環(huán)比下降1.9%,達(dá)到1739億日元。然而,在連續(xù)七個(gè)季度的經(jīng)營虧
            • 關(guān)鍵字: 瑞薩電子  閃存  NAND  

            DRAM看漲 類股營運(yùn)走俏

            •   由于韓國三星半導(dǎo)體將七成存儲(chǔ)器供自家手機(jī)、平板及電視使用下,加上大陸白牌平板計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)備貨潮重新啟動(dòng),存儲(chǔ)器近期報(bào)價(jià)緩步上揚(yáng),DDR32Gb均價(jià)每顆站上1.74美元,站上二年多來新高,相關(guān)DRAM族群營運(yùn)看俏。    ?   此外,NANDFlash應(yīng)用大廠群聯(lián)預(yù)期,今年7、8月,NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境,擁有強(qiáng)力貨源為后盾的廠商將受惠。   市場(chǎng)得知,三星將把七成行動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后,市場(chǎng)備貨潮5月中旬再度啟動(dòng),讓標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)再度揚(yáng)升,站上
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

            NAND閃存深入解析

            • 對(duì)于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案,這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn) ...
            • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  

            DRAM漲價(jià)或提氣

            • DRAM曾是半導(dǎo)體業(yè)的王牌產(chǎn)品,在上世紀(jì)90年代的半導(dǎo)體市場(chǎng)上曾約占到3~4成的樣子,同時(shí),它的加工技術(shù)、設(shè)備技術(shù)和生產(chǎn)線技術(shù)也常常主導(dǎo)著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)開發(fā)。Intel公司40年前研發(fā)出的DRAM,后成為PC的核心器件之一而獲得傲人的成長。
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  201305  

            英特爾任命卡扎尼奇為新CEO 接替歐德寧

            •   英特爾公司今天宣布,該公司董事會(huì)已經(jīng)一致選舉布萊恩·卡扎尼奇(Brian Krzanich)為下一任首席執(zhí)行官,以此替代歐德寧(Paul Otellini)。據(jù)稱,卡扎尼奇將于5月16日的英特爾公司年度股東大會(huì)召開之際開始履職。    ?   卡扎尼奇自2012年1月以來一直擔(dān)任英特爾首席運(yùn)營官,此次也將成為英特爾公司史上的第六任首席執(zhí)行官。與此同時(shí),歐德寧也將在5月16日卸任英特爾首席執(zhí)行官。   卡扎尼奇現(xiàn)年52歲,自在1982年加盟英特爾以來,就一直擔(dān)任該公司
            • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  

            64GB NAND閃存芯片需求保持強(qiáng)勁

            •   根據(jù)行業(yè)觀察家表示,受智能手機(jī)和平板電腦強(qiáng)勁需求推動(dòng),64GB NAND閃存市場(chǎng)一直在增長,高密度芯片價(jià)格高居不下,反映當(dāng)前供不應(yīng)求市場(chǎng)狀況。   智能手機(jī)和平板電腦市場(chǎng)對(duì)NAND芯片需求旺盛,也對(duì)現(xiàn)貨市場(chǎng)上的芯片供應(yīng)帶來了負(fù)面的影響,即NAND閃存芯片廠商優(yōu)先供應(yīng)系統(tǒng)制造商表示,許多下游模塊廠和渠道分銷商已經(jīng)無力獲得穩(wěn)定的供貨。   供應(yīng)緊張狀況,鼓勵(lì)芯片企業(yè)優(yōu)先考慮高利潤的訂單,比如為智能手機(jī)提供容量高達(dá)64GB的NAND閃存芯片,并且獲利高于功能手機(jī)和其他消費(fèi)電子產(chǎn)品。   有消息表示,目
            • 關(guān)鍵字: NAND  閃存芯片  

            產(chǎn)業(yè)大腕云集深圳,共話閃存與移動(dòng)技術(shù)的世紀(jì)交鋒

            • 2013年,隨著智能機(jī)平板市場(chǎng)繼續(xù)走熱,以NAND Flash為核心的各類存儲(chǔ)器件缺貨嚴(yán)重,存儲(chǔ)器件的供應(yīng)在2013年將一直呈現(xiàn)缺貨勢(shì)態(tài)嗎?2013年智能機(jī)平板電腦超極本平臺(tái)廠商發(fā)力重點(diǎn)在哪里?如何實(shí)現(xiàn)差異創(chuàng)新?透過第二屆NAND Flash應(yīng)用高峰論壇,本土存儲(chǔ)器件領(lǐng)軍企業(yè)BIWIN匯聚產(chǎn)業(yè)鏈上下游力量,共同應(yīng)對(duì)存儲(chǔ)挑戰(zhàn),推進(jìn)智能機(jī)平板創(chuàng)新。
            • 關(guān)鍵字: NAND  存儲(chǔ)器  BIWIN  

            第四季度NAND營業(yè)收入創(chuàng)最高記錄

            • 意外!NAND閃存去年第四季度營業(yè)收入達(dá)到最高紀(jì)錄,扭轉(zhuǎn)連續(xù)下滑局面
            • 關(guān)鍵字: NAND  AMOLED  
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            nand 介紹

            一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格,一是NAND,一是NOR. 簡(jiǎn)單的來說,NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟,以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主,又稱為Data Flash,晶片容量大,目前主流容量已達(dá)二Gb;NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM,以儲(chǔ)存程序代碼為主,又稱為Co deFlash,所以可讓微處理器直接讀取,但晶片容量較低,主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同,讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]

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