nand 文章進(jìn)入nand 技術(shù)社區(qū)

SK海力士業(yè)務(wù)重整 DRAM、NAND等目標(biāo)并進(jìn)

南韓半導(dǎo)體大廠SK海力士(SK Hynix)將重整業(yè)務(wù)組織，將DRAM、NAND Flash、CMOS影像感測器(CIS)等三大事業(yè)群分開各自營運(yùn)，事業(yè)群自行加強(qiáng)競爭力，而SK海力士
關(guān)鍵字： SK海力士 DRAM NAND

三星、東芝競擴(kuò)產(chǎn)，NAND Flash恐跌三成

全球NAND Flash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求，預(yù)估NAND Flash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
關(guān)鍵字：三星東芝 NAND Flash

8月NAND合約價(jià) 較上月跌近2成

根據(jù)研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，NAND Flash合約價(jià)在8月上旬下跌6~8%后，8月下旬續(xù)跌5~10%，亦即8月合約價(jià)較7月重跌11~18%
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND Flash芯片

三星3D垂直NAND閃存量產(chǎn) SSD容量可輕松提升

韓國三星公司剛剛宣布旗下的最新一代采用3D垂直閃存(V-NAND)的固態(tài)硬盤驅(qū)動(dòng)器已經(jīng)開始進(jìn)行量產(chǎn)。最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲(chǔ)芯片相比，具有包
關(guān)鍵字： 3D垂直閃存 V-NAND 固態(tài)硬盤

三星3D V-NAND固態(tài)盤加速企業(yè)閃存進(jìn)化

三星最新的產(chǎn)品是一種面向企業(yè)級應(yīng)用、高可靠的固態(tài)盤存儲(chǔ)--V-NAND固態(tài)盤。最新用于固態(tài)盤V-NAND技術(shù)帶來性能上的提升，節(jié)省電力消耗，并提高了急需
關(guān)鍵字：三星 V-NAND 3D 固態(tài)盤

SSD容量突破關(guān)鍵：3D存儲(chǔ)芯片大揭秘

現(xiàn)在每一個(gè)閃存廠家都在向3D NAND技術(shù)發(fā)展，我們之前也報(bào)道過Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax舉辦了一場技術(shù)講解會(huì)3D Nand Technical Workshop，I
關(guān)鍵字： 3D NAND SSD 存儲(chǔ)技術(shù)

IC Insights：NAND與DRAM朝3D發(fā)展

隨著DRAM和NAND技術(shù)持續(xù)邁向更先進(jìn)幾何制程與多層次存儲(chǔ)器的道路，IC Insights密切觀察有關(guān)DRAM和NAND供應(yīng)商的最新動(dòng)態(tài)，期望能提供更清楚的DRAM/NAND發(fā)展
關(guān)鍵字： NAND DRAM

NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

我們使用的智能手機(jī)除了有一個(gè)可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個(gè)RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲(chǔ)呢，這就是我
關(guān)鍵字： NOR flash Nand flash FlaSh

NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲(chǔ)器儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，第4季各項(xiàng)NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，采購意愿薄弱，
關(guān)鍵字： NAND Flash

美光：始終專注企業(yè)級閃存觀望3D NAND

在全球第二大DRAM芯片制造商的密切關(guān)注之下，2D或者說平面NAND仍將在3D技術(shù)普及之前繼續(xù)統(tǒng)治存儲(chǔ)領(lǐng)域。作為佐證，美光(Micron)公司有意將這套已出現(xiàn)兩
關(guān)鍵字：美光企業(yè)級閃存 NAND

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)

如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點(diǎn)，他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規(guī)范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
關(guān)鍵字：燒錄 SmartPRO 6000 Nand Flash

3D NAND競爭火熱三星成市場最大贏家

最近隨著SSD采用3D NAND Flash出貨比重越來越高，許多半導(dǎo)體廠商也開始吹起了3D NAND Flash投資熱潮。其中，又以三星電子率先在這場競爭中獲益最多，取得領(lǐng)先地位。
關(guān)鍵字： 3D NAND 三星

3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口

　　存儲(chǔ)器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲(chǔ)芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會(huì)需要存儲(chǔ)芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。　　當(dāng)前，我國筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動(dòng)數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠商對存儲(chǔ)需求量巨大。　　相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計(jì)為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM

美光移動(dòng)裝置3D NAND解決方案　瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場

　　美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動(dòng)裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲(chǔ)存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。　　美光移動(dòng)事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動(dòng)裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機(jī)市場，此區(qū)塊市場占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。　　而這也是業(yè)界首款采用浮動(dòng)閘極(Floating Gate)技
關(guān)鍵字：美光 3D NAND

機(jī)器學(xué)習(xí)或能為延長NAND壽命提供解決方案

　　NAND在今日儲(chǔ)存市場中占有一席之地，而為了延長NAND的使用壽命，近來有研究提出，透過機(jī)器學(xué)習(xí)(Machine Learning)的應(yīng)用，可讓NAND的儲(chǔ)存容量、耐久性以及資料保存達(dá)到最佳化。　　InformationWeek網(wǎng)站報(bào)導(dǎo)，近期數(shù)位資料儲(chǔ)存顧問機(jī)構(gòu)Coughlin Associates于快閃存儲(chǔ)器高峰會(huì)(Flash Memory Summit)揭露了一篇論文指出，NAND因重覆讀寫而使儲(chǔ)存單元劣化、致使耐用度降低的情況，將可望因機(jī)器學(xué)習(xí)的應(yīng)用而改善，使其生命周期延長。　　一般來說
關(guān)鍵字： NAND SSD

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nand 介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲(chǔ)存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達(dá)二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲(chǔ)存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細(xì) ]