nand 文章進入nand 技術社區(qū)

明年上半年DRAM吃緊、NAND恐供大于求

　　內存明年市況恐將不同調，DRAM市場仍將持續(xù)吃緊，NAND Flash市場則將于明年上半年轉為供過于求。　　DRAM 與 NAND Flash 市場今年都處于供不應求狀態(tài)，產(chǎn)品價格同步高漲，只是業(yè)界普遍預期，明年 DRAM 與 NAND Flash 市況恐將不同調。　　內存模塊廠創(chuàng)見指出，DRAM 市場供貨持續(xù)吃緊，價格未見松動跡象。 NAND Flash 方面，隨著 3D NAND Flash 技術日益成熟，生產(chǎn)良率改善，可望填補供貨缺口。　　另一內存模塊廠威剛表示，短期內全球 DRAM
關鍵字： DRAM NAND

中國反壟斷機構關注DRAM連漲七個季度,何處是盡頭?

圍繞著此輪DRAM產(chǎn)業(yè)的上漲行情，無論是“供需論”還是“壟斷說”，在DRAM一路瘋漲的背后，展現(xiàn)的是耐人尋味的眾生相，有需求者的無奈，領軍者的得意，入局者的尷尬以及監(jiān)管者的警覺。
關鍵字： DRAM NAND

DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長

　　DRAM嚴重供不應求，三星明年首季再漲價3%至5%之后，SK海力士下季也將漲價約5%，全球DRAM價格連續(xù)七季上揚，是歷來漲勢最久的一次。　　業(yè)界解讀，三星、海力士下季漲價態(tài)度堅決，等于向全球宣告，韓系大廠決定維持DRAM價格持穩(wěn)不墜的決心，消除外界認為兩大韓廠打算調降售價格，防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。　　手機中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認為，有人說三星瘋狂擴產(chǎn)存儲器是為了將中國存儲器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽，有點太看得起自己，雖然明年大陸存儲器產(chǎn)業(yè)開始進入試產(chǎn)階段，要與三星、海力士抗衡，至少還需要
關鍵字： DRAM NAND

潘健成：明年3D NAND進入96層　群聯(lián)準備好了

　　今年全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)成功轉換至64/72層3D NAND規(guī)格，隨著制程轉換完成，全球缺貨問題也逐漸紓解，群聯(lián)董事長潘健成指出，2018年底將進入96層的3D NAND技術世代，帶動單一芯片的容量提升至256Gb/512Gb，SSD控制芯片技術也全面提升至新層次，群聯(lián)的關鍵技術已經(jīng)準備好了，呈現(xiàn)蓄勢待發(fā)的姿態(tài)! 　　今年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到技術轉換不順、數(shù)據(jù)中心對于儲存容量需求快速攀升之故，導致產(chǎn)業(yè)供需失衡，芯片價格一直高居不下，但這樣的狀況停留太久后，導致終端產(chǎn)品的需求被抑制，
關鍵字： SSD NAND

美光任命Derek Dicker為存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理

　　美光科技有限公司今日宣布任命 Derek Dicker 為存儲產(chǎn)品事業(yè)部副總裁兼總經(jīng)理?！　≡诖寺毼簧?，Dicker 將負責領導和拓展美光的固態(tài)存儲業(yè)務，包括打造世界領先的存儲解決方案，從而把握云端、企業(yè)級和客戶端計算等大型細分市場中日漸增多的機遇。他將向美光科技執(zhí)行副總裁兼首席商務官 Sumit Sadana 匯報?！　icker 在半導體行業(yè)擁有 20 年的從業(yè)經(jīng)驗，包括在 Intel、
關鍵字：美光 NAND

旺宏NAND論文獲國際肯定

　　內存大廠旺宏(2337)在3D NAND Flash研發(fā)獲得重成果，昨(29)日宣布，最新研發(fā)3D NAND記憶晶胞架構的論文入選國際電子組件大會(IEDM)，被評選為「亮點論文」，是今年臺灣產(chǎn)學研界唯一獲選的廠商，彰顯旺宏在先進內存研發(fā)實力受到國際高度肯定，也顯示旺宏在業(yè)界最關注的3D NAND議題上扮演重要角色。　　旺宏強調，獨立研發(fā)的平坦垂直渠道型晶體管結構(SGVC)，相較其他大廠現(xiàn)有技術，以相同的堆棧層數(shù)，卻可達到二到三倍的內存密度。　　目前很多公司大舉投入64層或72層等3D NA
關鍵字：旺宏 NAND

讓汽車更智能，適用于汽車遠程信息處理系統(tǒng)的全新 NAND+LPDDR4 MCP

　　被譽為世界三大車展之一的東京車展于近日開幕，來自全世界的主要汽車生產(chǎn)廠商通過展示最新的產(chǎn)品和技術來描繪下一代汽車發(fā)展藍圖，其中 “人工智能”、“自動駕駛”和“新能源”儼然已成為汽車產(chǎn)業(yè)界公認的未來的發(fā)展方向?！　±纾S田展出的“愛i”系列，能憑借大量數(shù)據(jù)分析解駕駛員的日常習慣及行為模式，甚至判斷出駕駛員的興趣愛好、感情狀態(tài)等。不僅是轎車，豐田展示的依靠氫燃料電池提供動力的大巴“SORA”，不僅助力環(huán)保，更在智能性方面有了極大提高。SORA內外搭載有8個高清晰攝像頭，能捕捉到周圍的行人、車輛
關鍵字： NAND LPDDR4

圖解中國存儲器三大勢力 DRAM、NAND 拼量產(chǎn)

中國存儲器后進廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，目前狀況到底如何?
關鍵字： DRAM NAND

三星擴產(chǎn)NAND Flash IC Insights估恐過剩

　　三星(Samsung)今年資本支出將倍增至260億美元，其中，又將以3D NANDFlash為最大宗，研調機構IC Insights認為，3D NANDFlash恐將供過于求。　　IC Insights預估，今年全球半導體資本支出金額將達908億美元，將成長35%;其中，三星今年資本支出將倍增至260億美元，比英特爾(Intel)與臺積電的總和還多。　　三星今年的資本支出主要投入3D儲存型閃存(NAND Flash)，將達140億美元，IC Insights指出，三星將斥資70億美元，推進動態(tài)
關鍵字：三星 NAND

東芝第二財季運營利潤增長76% 芯片業(yè)務表現(xiàn)強勁

　　11月9日消息，據(jù)國外媒體報道，日本東芝公司今天公布財報顯示，由于受到旗下內存芯片業(yè)務強勁業(yè)績的驅動，該公司本財年第二季度運營利潤增長了76%。最近，該公司同意將旗下內存芯片業(yè)務以180億美元對外出售。　　處于困境狀況的這家日本工業(yè)巨頭表示，本財年7至9月份這個第二季度運營利潤從上年同期的768.8億日元增長至1250,8億日元(約合12億美元)。　　這個業(yè)績好于分析師預期，湯森路透StarMine SmartEstimate此前根據(jù)5位分析師預估，東芝本財年第二季度運營利潤是1244.7億日
關鍵字：東芝 NAND

美光3D NAND技術發(fā)威搶占邊緣存儲商機

　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域，也積極推動工業(yè)領域應用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
關鍵字：美光 3D NAND

美光3D NAND技術發(fā)威搶占邊緣存儲商機

　　美系存儲器大廠美光(Micron)3D NAND技術逐漸成熟后，開始拓展旗下產(chǎn)品線廣度，日前耕耘工業(yè)領域有成，將推出影像監(jiān)控邊緣儲存解決方案，32GB和64GB版microSD卡搶先問世，預計2018年第1季128GB和256GB版會開始送樣，同年第2季量產(chǎn)。　　美光的64層3D NAND技術今年成熟且開始量產(chǎn)，除了主攻服務器∕企業(yè)端、消費性固態(tài)硬碟(SSD)領域，也積極推動工業(yè)領域應用，日前推出全系列的影像監(jiān)控邊緣裝置儲存解決方案產(chǎn)品組合，以32GB和64GB版microSD卡搶先試水溫。　
關鍵字：美光 NAND

IC Insights：全球半導體2017年上調市場預測提升至22％

　　據(jù)IC Insights預測，2017年的IC市場增長率有望提高到22%，較今年年中預期的16%再提升6個百分點，出貨量增長率預測也從年中更新的11%上升至目前的14%。大部分市場預測是由于DRAM和NAND閃存市場的激增。　　此外，IC Insights同時調稿對O-S-D(光電子，傳感器/執(zhí)行器和分立器件)市場的預測?？傮w而言，2017年半導體產(chǎn)業(yè)整體預計增長達20%，比年中預期調高5個百分點。　　2017年，IC Insights預測DRAM的平均售價將大漲77%，預計今年將推動DRAM
關鍵字： DRAM NAND

DRAM/NAND都是啥？科普內存和硬盤的區(qū)別

DRAM/NAND都是啥？科普內存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
關鍵字： DRAM NAND 存儲器

東芝受惡意攻擊導致NAND停產(chǎn)：預估少生產(chǎn)40萬TB容量

　　援引DigiTimes報道，東芝的NAND部門近日遭受了非常嚴重的惡意攻擊，被迫關閉NAND生產(chǎn)線數(shù)周時間，這將導致近階段公司NAND閃存的供應比較緊張。　　DigiTimes消息稱為了清除惡意程序，東芝公司的NAND生產(chǎn)線將停工3-6周時間才能恢復正常供應，預估將減少10萬個wafers產(chǎn)量。PCGamesN網(wǎng)站預估假設這段停產(chǎn)時間正常生產(chǎn)，能夠帶來5000萬個芯片或者40萬TB的NAND閃存。　　近年來由于智能手機和服務器的需求不斷增大，NAND的售價也水漲船高。但是由于NAND廠商在生產(chǎn)
關鍵字：東芝 NAND

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nand 介紹

一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很 [ 查看詳細 ]