nand 閃存 文章 進入nand 閃存技術社區(qū)
走進三星半導體芯片生產(chǎn)線：打造綠色經(jīng)營系統(tǒng)
- 陜西西安的三星(中國)半導體有限公司剛成立不久，公司園區(qū)內(nèi)部假山流水，綠樹成蔭，人工湖內(nèi)魚兒游來游去。這里生產(chǎn)世界最先進技術的產(chǎn)品——10納米級NAND 閃存芯片(V-NAND)。 對三星半導體來說，引導社會未來發(fā)展的不僅僅是生產(chǎn)全球最先進的產(chǎn)品，同時也包括在環(huán)保方面打造世界最高水平的綠色經(jīng)營系統(tǒng)(G-EHS)。 形成半導體全產(chǎn)業(yè)鏈 三星半導體工廠所在的地方，原本是空曠的野外，現(xiàn)正在變成發(fā)達的電子產(chǎn)業(yè)基地。 西安是三星電子海外芯片生產(chǎn)線投資規(guī)模最大的一個
- 關鍵字： 三星 NAND
三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)
- 2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達10%，為當初預期的3倍以上，預料到了2016年，占比將進一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。 據(jù)韓媒Money Today報導，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。 據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
- 關鍵字： 三星 V-NAND
平面架構(gòu)1x納米NAND揭密！
- 過去的一年半以來，主要NAND快閃記憶體制造商已經(jīng)開始銷售1x奈米等級的平面快閃記憶體;根據(jù)我們調(diào)查開放市場上所銷售元件的供應來源，美光(Micron)是從2014年2月開始供應1x奈米元件的第一家記憶體廠商，隨后是在同年10月推出產(chǎn)品的SK海力士(Hynix)。在近六個月之后，TechInsights實驗室才出現(xiàn)三星(Samsung) 16奈米與東芝(Toshiba) 15奈米產(chǎn)品。 針對平面NAND快閃記憶體的微影尺寸終點，在文獻中已經(jīng)有很多討論;其替代方案是垂直堆疊式的快閃記憶體，例如三星
- 關鍵字： NAND SK海力士
蘋果要用？三星西安半導體工廠傳擴產(chǎn) 50%
- 南韓媒體中央日報日文版 19 日報導，因固態(tài)硬碟(SSD)需求提振 3D 架構(gòu)的 NAND 型快閃記憶體(Flash Memory)需求呈現(xiàn)急速增長，故三星電子(Samsung)計劃把生產(chǎn) 3D NAND 的中國西安半導體工廠產(chǎn)量較現(xiàn)行擴增 50%。報導指出，據(jù)熟知三星事務的關系人士透露，目前三星西安工廠晶圓月產(chǎn)量為 4-5 萬片，而三星計劃于今年內(nèi)將其產(chǎn)量提高 5 成(增加 2 萬片)至 6-7 萬片。 據(jù) 報導，三星于去年 5 月開始量產(chǎn) 3D NAND，為目前唯一導入量產(chǎn)的廠商，且三星計劃
- 關鍵字： 三星 NAND
慧榮科技宣布SM2256 SATA 6Gb/s SSD控制器現(xiàn)支持Micron 128Gb 16nm TLC NAND閃存
- 在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)今日宣布旗下SM2256 SATA(6Gb/s)客戶端SSD控制器現(xiàn)支持Micron(鎂光)新推出的16nm 128Gb TLC NAND 閃存，有助實現(xiàn)優(yōu)異的性能和無可比擬的可靠性，成就新一代高性價比的TLC SSD產(chǎn)品。 SM2256是世界上首款支持Micron 16nm TLC NAND的SSD控制器，同時也是市場上性能最佳、成本最優(yōu)
- 關鍵字： NAND SM2256
Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世
- 固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構(gòu)，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)
- 關鍵字： NAND SSD
Flash廠力推3D/TLC NAND 高密度/低成本SSD加速問世
- 固態(tài)硬碟(SSD)規(guī)格更吸睛。記憶體制造商擴大采用新型3D堆疊與三層式儲存(TLC)設計架構(gòu)，讓NAND Flash晶片容量密度激增，且成本顯著下滑，吸引固態(tài)硬碟開發(fā)商大舉采納，用以打造兼具高儲存容量和價格優(yōu)勢的新產(chǎn)品。 固態(tài)硬碟(SSD)致命弱點--價格將有顯著突破。NAND快閃記憶體(Flash Memory)大廠及慧榮、群聯(lián)等SSD控制器廠，正力拱新一代兼顧容量及成本的3D NAND Flash和三層式儲存(TLC)快閃記憶體解決方案，并將于2015?2016年逐漸放量，協(xié)助SSD廠商開發(fā)
- 關鍵字： NAND SSD
分析師：NAND第三季可望擺脫供過于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及 2015年度蘋果(Apple)新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季擺脫供過于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。 從供給面來觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D-NAND Flash的量產(chǎn)時程，但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預估2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比
- 關鍵字： TrendForce NAND
研調(diào)：NAND Flash需求漸加溫，估Q3擺脫供過于求
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報告顯示，受到新款智慧型手機上市以及今(2015)年度蘋果新款iPhone即將開始拉貨的影響，NAND Flash市況將逐漸增溫，預估在第三季將擺脫供過于求，轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。 從供給面觀察，雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時程，但嵌入式產(chǎn)品應用仍須考量控制晶片的搭配，與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問題，DRAMeXchange預估，2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
- 關鍵字： TrendForce NAND Flash
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