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Power Integrations的高頻率雙管正激IC可大幅降低系統(tǒng)成本和尺寸

用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者 Power Integrations公司(納斯達克股票代號：POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個元件，從而減小外形尺寸并提高功率密度。
關(guān)鍵字： Power MOSFET HiperTFS-2

飛兆集成式智能功率級(SPS)模塊具有更高的功率密度和更佳的效率

在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務(wù)器和電信系統(tǒng)供電應(yīng)用中，提高效率和功率密度是設(shè)計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET SPS 驅(qū)動器

德州儀器超小型 FemtoFET? MOSFET 支持最低導(dǎo)通電阻

日前，德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應(yīng)用推出業(yè)界最小型低導(dǎo)通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝，支持不足 100 毫歐的導(dǎo)通電阻。
關(guān)鍵字： TI MOSFET 導(dǎo)通電阻

怎么能使Simulink的仿真速度更快?

現(xiàn)在的專業(yè)軟件都是越做越大，功能成倍成倍地增加，而處理的對象也是越來越復(fù)雜，特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時候，因為PC上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復(fù)雜化的速度，就造成了我們的仿真看起來是越跑越慢了。
關(guān)鍵字： Simulink 仿真速度操作系統(tǒng) MOSFET

深入淺出常用元器件系列——MOSFET

MOSFET，中文名金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。
關(guān)鍵字： MOSFET 晶體管 datasheet 漏極電流

安森美用于辦公自動化設(shè)備應(yīng)用的高能效步進電機驅(qū)動器方案

電機的應(yīng)用非常廣泛，遍及人們工作及生活的各個領(lǐng)域，如打印機、復(fù)印機、傳真機、投影儀、電冰箱、洗衣機、空調(diào)、燃氣灶、照相機、ATM機、電動縫紉機、保安攝像機、自動售貨機、熱水供應(yīng)系統(tǒng)、園林灌溉系統(tǒng)及工業(yè)自動化等。
關(guān)鍵字：安森美電機驅(qū)動步進電機 MOSFET 驅(qū)動器

Vishay 聯(lián)袂中國電源學(xué)會舉辦電源專題研討會

2013 年 10 月14 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，將與中國電源學(xué)會合作于10月16日舉辦電源專題研討會，該研討會內(nèi)容涵蓋功率MOSFET、電源模塊、光電器件和二極管，同期還將有多位業(yè)內(nèi)專家出席并做宣講。研討會將在中國武漢的長江大酒店召開。
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在ZVS拓撲中選擇最優(yōu)的死區(qū)時間

摘要：通過本文的分析來優(yōu)化中壓和高壓功率MOSFET在各種隔離式轉(zhuǎn)換器拓撲使用時的死區(qū)時間，能夠幫助工程師發(fā)現(xiàn)各種器件技術(shù)的優(yōu)點，甚至使那些過時的設(shè)計方案也能達到更好的性能。
關(guān)鍵字： ZVS MOSFET DC-DC IBC 柵極 201311

麥瑞推出85V半橋MOSFET驅(qū)動器

2013年10月07日，高性能線性和電源解決方案、局域網(wǎng)以及時鐘管理和通信解決方案領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者麥瑞半導(dǎo)體公司(納斯達克股票代碼：MCRL)推出了85V半橋MOSFET驅(qū)動器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負載二極管和業(yè)內(nèi)最寬廣的可編程柵極驅(qū)動電壓范圍(5.5V至16V)等特點。
關(guān)鍵字：麥瑞 MOSFET MIC4604

功率穩(wěn)壓逆變電源的設(shè)計與應(yīng)用

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：功率穩(wěn)壓逆變電源 MOSFET TL494 電壓型電流源

通過集成式解決方案進一步簡化PFC電路的設(shè)計

開關(guān)電源因具有良好的輸入電壓調(diào)整率和負載調(diào)整率、高轉(zhuǎn)換效率以及體積小巧等優(yōu)勢，如今幾乎為所有電子系統(tǒng)采用。在最高至500 W的功率范圍內(nèi)，開關(guān)電源包括大批量不同功率的應(yīng)用，例如LED/LCD電視機、LED照明、PC以及其他IT設(shè)備。
關(guān)鍵字： PFC LED HiperPFS MOSFET CCM

創(chuàng)新的MOSFET封裝大大簡化電源的設(shè)計

目前，電源工程師面臨的一個主要難題是，隨著商用電子產(chǎn)品的功能日益增多，其尺寸不斷縮小，留給電源電路的空間...
關(guān)鍵字：電源設(shè)計 MOSFET

飛兆增添功率鏈分立式器件功率損耗和效率分析工具

飛兆半導(dǎo)體公司(紐約證券交易所代號： FCS)，全球領(lǐng)先的高性能功率和移動半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設(shè)計和模擬工具，可在一分鐘內(nèi)提供完整的設(shè)計–進一步強化，引入傳動系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
關(guān)鍵字：飛兆 MOSFET IGBT 整流器

以較高的開關(guān)頻率在負載點 (POL) 應(yīng)用中工作

摘要： Power Clip 33 封裝十分新穎，旨在增加同步整流 (SR) 降壓應(yīng)用中的功率密度，同時使用與傳統(tǒng)分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。本文詳細分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實現(xiàn)這一性能的。
關(guān)鍵字：飛兆 Power POL MOSFET 晶圓

影響MOSFET性能的一些因素

在追求不斷提高能效的過程中，MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進。盡管四十多年來我們對這種器件有了很多了...
關(guān)鍵字： MOSFET

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mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]