mosfet 文章進入mosfet技術社區(qū)

如何為開關電源選擇合適的MOSFET？

DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復雜。圖1：降壓同步開關穩(wěn)壓器原理圖。DC/DC開關電源因其高效率而廣泛應用于現代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時擁有一個高側FET和低側FET的降壓同步開關穩(wěn)壓器，如圖1所示。這兩個FET會根據控制器設置的占空比進行開關操作，旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方
關鍵字：開關電源 MOSFET

Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍

基礎半導體元器件領域的高產能生產專家Nexperia（安世半導體）近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型，但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數。這些先進模型中加入了反向二極管恢復時間和電磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整體精度。參數可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真，并在原型設計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源，工程師此
關鍵字： Nexperia 電熱模型 MOSFET

羅姆SiC評估板測評：快充測試

一、測試工裝準備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板，空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1）空載測試驅動空載輸出12V，gs驅動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2）加載 24轉55V 2A dcdc驅動信號波形如下：帶載 6.6k 15V驅動信號單脈沖寬度，3uS左右總結由于輕負載，溫度始終未超過50度。開關速度方面優(yōu)于硅基產品，以后有對應設備
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

羅姆SiC評估板測評：射頻熱凝控制儀測試

測試設備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源，只能使用一般的電源，且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源，所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電，又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載，可恒流或者恒壓或者恒負載，測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產生不同頻率的可調制的方波信號，用于MOS管的驅動④示波器觀察驅動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改：兩個直流電源換成CBB電容，在Hvdc母線上加上12V電
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

羅姆SiC評估板測評：基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術研究

感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板，有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實，評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm；高壓區(qū)域也有明顯的標識。
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET ROHM

SiC MOSFET的橋式結構解析

本文將對SiC MOSFET的橋式結構和工作進行介紹。
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET

碳化硅MOSFET晶體管的特征

功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
關鍵字： SiC 碳化硅 MOSFET

非互補有源鉗位可實現超高功率密度反激式電源設計

離線反激式電源在變壓器初級側需要有鉗位電路（有時稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開關關斷時限制其兩端的漏源極電壓應力。設計鉗位電路時可以采用不同的方法。低成本的無源網絡可以有效地實現電壓鉗位，但在每個開關周期必須耗散鉗位能量，這會降低效率。一種改進的方法就是對鉗位和功率開關采用互補驅動的有源鉗位技術，使得能效得以提高，但它們會對電源的工作模式帶來限制（例如，無法工作于CCM工作模式）。為了克服互補有源鉗位電路所帶來的設計限制，可以采用另外一種更先進的控制技術，即非互補有源鉗位。該技術可確保以
關鍵字： MOSFET

擴展新應用領域，PI推出首款汽車級開關電源IC

　　2022年2月15日，Power Integrations召開新品發(fā)布會，推出業(yè)界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC——InnoSwitch3-AQ 1700V。新產品是業(yè)界首款采用碳化硅(SiC)初級開關MOSFET的汽車級開關電源IC，可提供高達70W的輸出功率，主要用于600V和800V純電池和燃料電池乘用車，以及電動巴士、卡車和各種工業(yè)電源應用。在ACDC消費類應用中積累了深厚經驗的Power Integrations，此次將目光聚焦到電動汽車領域的ACDC應用上
關鍵字： PI MOSFET 電動汽車 ACDC 開關電源

英飛凌推出全新的OptiMOS?源極底置功率MOSFET

高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統(tǒng)設計的關鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司近日推出了新一代OptiMOS? 源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰(zhàn)提供切實可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實現更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內領先的熱性能指標，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹立了新的行業(yè)標桿。該器件的應用領域十分廣泛，涵蓋電機驅
關鍵字： MOSFET

Power Integrations推出業(yè)界首款內部集成1700V SiC MOSFET的汽車級高壓開關IC

InnoSwitch3產品系列陣容再度擴大，新器件不僅能顯著減少元件數量，還可大幅提高電動汽車和工業(yè)應用的效率
關鍵字： InnoSwitch?3-AQ 碳化硅 MOSFET 電動汽車牽引逆變器

用于電源SiP的半橋MOSFET集成方案研究

系統(tǒng)級封裝（System in Package，SiP）設計理念是實現電源小型化的有效方法之一。然而，SiP空間有限，功率開關MOSFET的集成封裝方案對電源性能影響大。本文討論同步開關電源拓撲中的半橋MOSFET的不同布局方法，包括基板表面平鋪、腔體設計、3D堆疊等；以及不同的電源互連方式，包括鍵合、銅片夾扣等。從封裝尺寸、載流能力、熱阻、工藝復雜度、組裝維修等方面，對比了不同方案的優(yōu)缺點，為電源SiP的設計提供參考。
關鍵字：系統(tǒng)級封裝腔體 3D堆疊鍵合銅片夾扣 202112 MOSFET

大容量電池充放電管理模塊MOSFET選型及應用

本文闡述了大容量鋰離子電池包內部功率MOSFET的配置以及實現二級保護的方案；論述了其實現高功率密度使用的功率MOSFET所采用的晶圓技術和CSP封裝技術的特點；提出了保證電池包安全可靠工作，功率MOSFET必須具有的技術參數，以及如何正確測量MOSFET的工作溫度；最后，給出了輸出端并聯電阻以及提高控制芯片的輸出檢測電壓2種方案，避免漏電流導致電池包不正常工作的問題。
關鍵字：電池充放電管理雪崩短路漏電流 MOSFET 202112

大功率電池供電設備逆變器板如何助力熱優(yōu)化

電池供電電機控制方案為設計人員帶來多項挑戰(zhàn)，例如，優(yōu)化印刷電路板熱性能目前仍是一項棘手且耗時的工作；現在，應用設計人員可以用現代電熱模擬器輕松縮短上市時間。
關鍵字： MOSFET

ROHM開發(fā)出45W輸出、內置FET的小型表貼封裝AC/DC轉換器IC“BM2P06xMF-Z”

全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）面向空調、白色家電、FA設備等配備交流電源的家電和工業(yè)設備領域，開發(fā)出內置730V耐壓MOSFET*1的AC/DC轉換器*2IC“BM2P06xMF-Z系列（BM2P060MF-Z、BM2P061MF-Z、BM2P063MF-Z）”。近年來，家電和工業(yè)設備領域的AC/DC轉換器，不僅要支持交流輸入85V～264V以處理世界各地的交流電壓，作為電源整體還要符合能效標準“Energy Star*3”和安全標準“IEC 62368”等，需要從國際視角構建電源系統(tǒng)。其
關鍵字： MOSFET

共1275條 15/85 |‹ « 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 » ›|

mosfet介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]