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安森美半導體持續(xù)擴充下一代計算產(chǎn)品平臺方案

Sept. 21, 2011 – 應用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)持續(xù)為簡化及加快計算平臺設計而擴充其產(chǎn)品系列。
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Power Integrations推出HiperLCS系列高壓LLC電源IC

美國加利福尼亞州圣何塞，2011年9月14日訊 – 用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導者Power Integrations公司（納斯達克股票代號：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC，新器件將控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動器以及兩個MOSFET同時集成到了一個低成本封裝中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的設計靈活性，既可提升效率（最高效率可超過97%），又可縮小尺寸，即利用高頻工作（最高達750 kHz）來減小變壓器的尺寸和輸出電容的占板面積。
關(guān)鍵字： Power Integrations MOSFET HiperLCS器件

電動自行車控制器MOSFET驅(qū)動電路的設計

電動自行車具有環(huán)保節(jié)能，價格合適，無噪聲，便利等特點，因此，電動自行車成為當今社會人們主要的代步工具。與此同時，消費者和商家對整車的質(zhì)量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
關(guān)鍵字：電路設計驅(qū)動 MOSFET 自行車控制器電動

節(jié)省汽車燃料的有效途徑：“啟動/停止”系統(tǒng)

許多汽車制造商設計了一種節(jié)省汽車燃料的巧妙方法，就是運用了被稱為“啟動/停止”系統(tǒng)的新概念。該系統(tǒng)...
關(guān)鍵字： MOSFET 引擎離合器

低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?！　”銛y式產(chǎn)品(如手機、數(shù)碼照相機、
關(guān)鍵字：比較 MOSFET 晶體管雙極結(jié) VCEsat

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能

1 LM
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動器 MOSFET 集成

高精度MOSFET設計技巧

隨著個人計算機行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
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IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標準和邏輯電平柵級驅(qū)動 MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設定了導通電阻性能新標準。基準導通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達 240A。
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新日本無線推出有30V耐圧、4A輸出的半橋驅(qū)動器

為了減輕對環(huán)境的影響，最新的電子設備急需高效率化，并且對其中配備的電機、LED等功率器件的控制也逐漸形成用微處理器/DSP等來控制的趨勢（軟件控制）。因此，電子設計工程師除了需要微處理器/DSP的知識之外，關(guān)于功率器件的驅(qū)動知識也是必不可少。
關(guān)鍵字：新日本無線 MOSFET 驅(qū)動器NJW4800

IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應用提供基準導通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應用。
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英飛凌推單P溝道40V汽車電源MOSFET

　　英飛凌科技股份公司近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標桿，從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。　　新推出的器件系列采用多種標準封裝，電流范圍為50A至180A，囊括30多個器件型號，其中包括通態(tài)電阻最低的車用P溝道40V MOSFET。180A是P溝道工藝的基準。
關(guān)鍵字：英飛凌汽車電源 MOSFET

MC34063+MOSFET擴流電路原理圖 12v轉(zhuǎn)5v電路

關(guān)鍵字： MC34063 MOSFET 電路原理圖 12v轉(zhuǎn)5v

Intersil推出全球首款高速雙通道6A MOSFET驅(qū)動器

2011 年 9 月 13 日— Intersil公司（納斯達克全球交易代碼：ISIL）今天推出業(yè)內(nèi)首款雙6A峰值電流驅(qū)動能力的雙通道MOSFET驅(qū)動器---ISL89367。此款獨特器件為設計人員提供了高速驅(qū)動多個并聯(lián)大電流功率MOSFET的集成解決方案，非常適合用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動器和D類放大器等應用。
關(guān)鍵字： Intersil MOSFET

英飛凌推出的汽車電源管理OptiMOS P2芯片

英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日宣布推出采用先進溝道工藝制造的全新單P溝道40V汽車電源MOSFET產(chǎn)品系列。全新的40V OptiMOS P2產(chǎn)品為能效改進、碳減排和成本節(jié)約樹立了行業(yè)新標桿，從而進一步鞏固英飛凌在新一代汽車電源管理應用領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET 40V OptiMOS P2

淺談如何提升輕載能效及降低待機功耗

隨著家用電器、視聽產(chǎn)品的普及，辦公自動化的廣泛應用和網(wǎng)絡化的不斷發(fā)展，越來越多的產(chǎn)品具有了待機功能，以隨時...
關(guān)鍵字：待機功耗 MOSFET

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mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細 ]