用于高能效電源轉換的高壓集成電路業(yè)界的領導者 Power Integrations公司(納斯達克股票代號:POWI)日前宣布推出HiperTFS?-2系列IC - 一款同時集成了高壓MOSFET、雙管正激和反激電源控制器的IC。如此高的集成度可節(jié)省超過20個元件,從而減小外形尺寸并提高功率密度。
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Power MOSFET HiperTFS-2
在電路板尺寸不斷縮小的新一代服務器和電信系統供電應用中,提高效率和功率密度是設計人員面臨的重大挑戰(zhàn)。
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飛兆 MOSFET SPS 驅動器
日前,德州儀器 (TI) 宣布面向智能手機與平板電腦等空間有限手持應用推出業(yè)界最小型低導通電阻 MOSFET。該最新系列 FemtoFET? MOSFET 晶體管采用超小型封裝,支持不足 100 毫歐的導通電阻。
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TI MOSFET 導通電阻
現在的專業(yè)軟件都是越做越大,功能成倍成倍地增加,而處理的對象也是越來越復雜,特別是使用一些仿真軟件在高精度下建模仿真的時候,因為PC上硬件的發(fā)展速度慢于軟件功能復雜化的速度,就造成了我們的仿真看起來是越跑越慢了。
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Simulink 仿真速度 操作系統 MOSFET
MOSFET,中文名金屬-氧化層-半導體-場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。
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MOSFET 晶體管 datasheet 漏極電流
電機的應用非常廣泛,遍及人們工作及生活的各個領域,如打印機、復印機、傳真機、投影儀、電冰箱、洗衣機、空調、燃氣灶、照相機、ATM機、電動縫紉機、保安攝像機、自動售貨機、熱水供應系統、園林灌溉系統及工業(yè)自動化等。
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安森美 電機驅動 步進電機 MOSFET 驅動器
2013 年 10 月14 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將與中國電源學會合作于10月16日舉辦電源專題研討會,該研討會內容涵蓋功率MOSFET、電源模塊、光電器件和二極管,同期還將有多位業(yè)內專家出席并做宣講。研討會將在中國武漢的長江大酒店召開。
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Vishay MOSFET
摘要:通過本文的分析來優(yōu)化中壓和高壓功率MOSFET在各種隔離式轉換器拓撲使用時的死區(qū)時間,能夠幫助工程師發(fā)現各種器件技術的優(yōu)點,甚至使那些過時的設計方案也能達到更好的性能。
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ZVS MOSFET DC-DC IBC 柵極 201311
2013年10月07日,高性能線性和電源解決方案、局域網以及時鐘管理和通信解決方案領域的行業(yè)領導者麥瑞半導體公司(納斯達克股票代碼:MCRL)推出了85V半橋MOSFET驅動器MIC4604。MIC4604具有集成的85V陰極負載二極管和業(yè)內最寬廣的可編程柵極驅動電壓范圍(5.5V至16V)等特點。
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麥瑞 MOSFET MIC4604
開關電源因具有良好的輸入電壓調整率和負載調整率、高轉換效率以及體積小巧等優(yōu)勢,如今幾乎為所有電子系統采用。在最高至500 W的功率范圍內,開關電源包括大批量不同功率的應用,例如LED/LCD電視機、LED照明、PC以及其他IT設備。
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PFC LED HiperPFS MOSFET CCM
目前,電源工程師面臨的一個主要難題是,隨著商用電子產品的功能日益增多,其尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間...
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電源設計 MOSFET
飛兆半導體公司(紐約證券交易所代號: FCS),全球領先的高性能功率和移動半導體解決方案供應商,最近將Power Supply WebDesigner (PSW) – 一款在線設計和模擬工具,可在一分鐘內提供完整的設計–進一步強化,引入傳動系分立式(MOSFET/IGBT/整流器)器件功率損耗和效率分析工具。
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飛兆 MOSFET IGBT 整流器
摘要: Power Clip 33 封裝十分新穎,旨在增加同步整流 (SR) 降壓應用中的功率密度,同時使用與傳統分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。 本文詳細分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實現這一性能的。
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飛兆 Power POL MOSFET 晶圓
在追求不斷提高能效的過程中,MOSFET的芯片和封裝也在不斷改進。盡管四十多年來我們對這種器件有了很多了...
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MOSFET
mosfet 介紹
金屬-氧化層-半導體-場效晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”的極性不同,可分為n-type與p-type的MOSFET,通常又稱為NMOSFET與PMOSF [
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