mos 文章 進入mos技術社區(qū)
MOS管驅動電路綜述連載（二）
- 現在的MOS驅動，有幾個特別的應用1、低壓應用當使用5V電源，這時候如果使用傳統的圖騰柱結構，由于...
- 關鍵字： MOS
MOS管驅動電路綜述連載（一）
- 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
- 關鍵字： MOS
MOSFET分析：選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET
- 前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時進一步降低待機功耗要求。...
- 關鍵字： mos
MOSEFT分析：理解功率MOSFET的開關損耗
- 本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知...
- 關鍵字： mos/開關損耗
集成電路布圖設計登記：數量持續(xù)上升 中國企業(yè)占優(yōu)
- 2008年，受到全球半導體市場衰退的影響，中國集成電路產業(yè)由前幾年的較快增長轉變?yōu)橄禄１M管中國以內需市場為主的集成電路設計業(yè)仍實現了一定增長，但嚴重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴重。市場的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新，知識產權問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識產權保護形式，集成電路布圖設計登記應得到更多的關注。 最近，中國半導體行業(yè)協會知識產權工作部和上海硅知識產權交易中心聯合推出中國集成電路布圖設計登記2008年度報告，本期刊登部分節(jié)選，供業(yè)界研究參考。 本報告數據
- 關鍵字： NEC MOS 集成電路布圖設計
mos介紹
MOS
金屬氧化物半導體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導體結構。對于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應晶體管、電容器、電阻器和其他半導體設備都是用這種結構制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。
[ 查看詳細 ]
mos研討會推薦
mos相關帖子
mos資料下載
mos專欄文章
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473