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	mos-fet
            

            
	
            
    	
            
    	  	
            
              	
                                
            
                  

                                
            
                    
            從4004到core i7——處理器的進化史-CPU構成零件-2
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 在上一個帖子當中我們見到了MOS管。下面我們來看一看用它完成的一個最簡單的設計。
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            • 關鍵字：
                        MOS  CMOS  反相器  電路  NMOS                          
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            從4004到core i7——處理器的進化史-CPU構成零件-1
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 在下面的兩個帖子當中，我將簡短地介紹構成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡單的設計，這相當于IC設計中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
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            • 關鍵字：
                        CPU  IC設計  單晶硅  MOS  硅                          
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            研究人員以硼/氮共摻雜實現(xiàn)石墨烯能隙
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　韓國蔚山科技大學(UNIST)的研究人員們宣稱開發(fā)出一種可大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米微板的方法，從而可實現(xiàn)基于石墨烯的場效電晶體(FET)制造與設計。

　　由Jong-BeomBaek主導的研究團隊們采用一種BBr3/CCl4/N2的簡單溶劑熱反應，大量生產(chǎn)硼/氮共摻雜石墨烯奈米管，即「硼-碳-氮-石墨烯」(BCN-石墨烯)。

　　石墨烯自2004年經(jīng)由實驗發(fā)現(xiàn)后，已經(jīng)開發(fā)出各種方法來制造基于石墨烯的FET，包括摻雜石墨烯打造成石墨烯狀的奈米帶，以及利用氮化硼作為支柱。在各種控制石墨烯
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            • 關鍵字：
                        石墨烯  FET                          
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            汽車啟動/停止系統(tǒng)電源方案
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 為了限制油耗，一些汽車制造商在其新一代車型中應用了“啟動/停止”(Start/Stop)功能。當汽車停下來時，這些創(chuàng)新的新系統(tǒng)關閉發(fā)動機;而當駕駛人的腳從剎車踏板移向油門踏板時，就自動重新啟動發(fā)動機。這就幫助降低市區(qū)駕車及停停走走式的交通繁忙期時的油耗。
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            • 關鍵字：
                        MOSFET  二極管  PCB  穩(wěn)壓器  P-FET                          
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            如何針對反向轉換器的FET關斷電壓而進行緩沖
            
                                                            
              
                    	
            • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
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            • 關鍵字：
                        反向轉換器  FET  關斷電壓  緩沖  漏極電感                          
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            經(jīng)典FET輸入甲類前級
            
                                                            
              
                    	
            • 經(jīng)典FET輸入甲類前級本電路是參照《無線電與電視》雜志2000第一期的《電池供電高級純A類分立件前級放大 ...
              • 
                    	                        
            • 關鍵字：
                        FET  甲類前級                          
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            車載筆記本電源的設計制作
            
                                                            
              
                    	
            • 此電源有兩種，輸入電壓不同分為12V和24V兩種，輸出電壓均為19V。一、12V轉19V電路電路如上圖，此電路屬升壓型...
              • 
                    	                        
            • 關鍵字：
                        車載筆記本  MOS  IC器件                          
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            eGaN FET與硅功率器件比拼之六：隔離型PoE-PSE轉換器
            
                                                            
              
                    	
            • 隔離型磚式轉換器被廣泛應用于電信系統(tǒng)，為網(wǎng)絡設備供電，這些轉換器可以提供各種標準尺寸及輸入/輸出電壓范圍...
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            • 關鍵字：
                        eGaN  FET  硅功率器  轉換器                          
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            正確的同步降壓FET時序設計
            
                                                            
              
                    	
            • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關期間，存在兩個過渡階...
              • 
                    	                        
            • 關鍵字：
                        同步降壓  FET  時序設計                          
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            SJ-MOS與VDMOS動態(tài)性能比較
            
                                                            
              
                    	
            • 引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導體物理學界提出的一種新型MOS結構，稱為...
              • 
                    	                        
            • 關鍵字：
                        SJ-MOS  VDMOS                          
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            電源設計小貼士46：正確地同步降壓FET時序
            
                                                            
              
                    	
            • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關期間，存在兩個過渡階段：低...
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            • 關鍵字：
                        FET    MOSFET    電源設計小貼士    德州儀器                          
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            電源設計：正確地同步降壓 FET 時序
            
                                                            
              
                    	
            • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關期間，存在兩個過渡階段：低...
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            • 關鍵字：
                        電源設計  同步降壓  FET  時序                          
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            X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(SOI)的工藝
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
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            • 關鍵字：
                        X-FAB  XT018  MOS                          
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            德州儀器推出最靈活PFET高側負載開關
            
                                                            
              
                    	
            • 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側負載開關。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開關的最靈活替代產(chǎn)品。
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            • 關鍵字：
                        TI  TPS27081A  FET                          
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            將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器
            
                                                            
              
                    	
            • 光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
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            • 關鍵字：
                        FET  光電  電位器  光耦                            
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