4月19日消息，據(jù)國外媒體報道，英特爾日前表示，其所開發(fā)的相變隨機存取存儲器（PRAM）有潛力取代當前的DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。
在日前于北京召開的“英特爾信息技術峰會（IDF）”上，英特爾首席技術官Justin Rattner展示了新型PRAM內存，并表示，PRAM有潛力取代當前的DRAM。
Rattner還稱，英特爾開發(fā)PRAM已經有十年的歷史了。據(jù)悉，PRAM是一種非易失性的內存產品，它集DRAM內存的高速存取，以及閃存在關閉電源后保留數(shù)據(jù)的特性為一體，因此被業(yè)界視為未來D
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據(jù)臺灣集邦科技公司（DRAMeXchange Technology Inc.）周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內存價格繼續(xù)下滑，而且已經降到了多數(shù)制造商的生產成本以下。 據(jù)IDG新聞社報道，運營著一個在線DRAM市場的集邦科技稱，最常用的DRAM內存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價格4月又下降了16.7％，每芯片價格已經降至2.50美元。 大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商（如戴爾和惠普）之間簽署的合約進行買賣。最新的報價來自4月上旬的合約價格，它們顯示出DR
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4月11日消息，據(jù)臺灣集邦科技公司(DRAMeXchange Technology Inc.)周二公布的數(shù)據(jù)，4月上旬DRAM內存價格繼續(xù)下滑，而且已經降到了多數(shù)制造商的生產成本以下。
據(jù)IDG新聞社報道，運營著一個在線DRAM市場的集邦科技稱，最常用的DRAM內存，即512Mb 667MHz DDR2的合約價格4月又下降了16.7%，每芯片價格已經降至2.50美元。
大約有四分之三的DRAM芯片均通過DRAM制造商和主要的PC制造商(如戴爾和惠普)之間簽署的合約進行買賣。最新的報價來
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存儲器在半導體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當做單獨的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當前的主流半導體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應用領域也因這一特性而是涇渭分明。
易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術，包
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29年前,美國愛達荷州,三個年輕人在一間牙醫(yī)診所的倉庫里,無意中開始了一個名叫DRAM的芯片設計生意。發(fā)展到今天,便是年銷售額高達52.6億美金的半導體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動了其在中國投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術開發(fā)區(qū)的封裝測試廠,總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執(zhí)行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項目啟動典禮間隙,接受了本報記者專訪。這位年輕的CEO是個典型的冒險家,擁有多架私人表演式飛機,喜歡在空中做俯沖動作。
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2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國的第一家制造工廠，它將主要負責生產DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內的半導體產品的封裝測試?！ 榇?，美光公司舉行了西安工廠的落成儀式，參加儀式的有政府官員和行業(yè)代表。這家工廠預計將于2008年底全部建成，總投資將達到2.5億美元，所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測試工廠，其第一家封裝測試工廠于1998年在新
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DRAM 8英寸線將逐漸退出 隨著半導體工藝制程技術的進步，90納米及以下制程產品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴大，首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現(xiàn)。 臺灣力晶半導體的黃崇仁表示，2006年是轉折點，DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優(yōu)勢，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。 臺灣拓璞產業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認為，五大集團三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達主導了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動態(tài)隨機存儲器)應用中，有
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推動全球半導體工業(yè)進步的兩個輪子，一個是縮小特征尺寸，另一個是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進入12英寸，65納米芯片生產線的興建高潮，業(yè)界正在為何時進入18英寸硅片生產展開可行性討論。在此前提下，業(yè)界關心全球8英寸芯片生產線的現(xiàn)狀，以及何時將退出歷史舞臺?？v觀全球半導體業(yè)發(fā)展的歷史過程，進入8英寸硅片時代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時段，顯然90納米及65納米產品已開始上升。 &
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奇夢達公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術之驗證，最小之制程尺寸為70納米, 第一個75納米之產品將為512Mb DDR2 內存芯片。此項新的技術平臺和產品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢達開發(fā)中心所開發(fā)的。目前已經在奇夢達的德累斯頓十二吋廠生產線開始此項新一代 DRAM技術之試產。 負責奇夢達的市場和運作，也是管理委員會的委員之一的賽佛(Thomas&
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iSuppli表示， DRAM芯片生產商的庫存量已下降至20個月來最低水準，因開學季帶動個人電腦銷售增長?！?nbsp; 這家美國研究機構預期本月庫存量將持續(xù)下降，并在報告中調升短期DRAM市況評等，由原先的“中性”升至“正向”?！ ?nbsp; iSuppli在9月5日發(fā)表的報告中指出，8月初時，DRAM庫存為1.92周，較7月的平均水準下降18%，因新學年開始前，PC銷售大幅增加?！?nbsp; 由于微處理器
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據(jù)著名市場調研機構 Gartner 公司最新公布的調查數(shù)據(jù)顯示，2005年全球DRAM儲存芯片的銷售收入比上年下滑了5%為250億美元，2004年全球DRAM儲存芯片的銷售收入為263億美元。在全球DRAM 儲存芯片行業(yè)銷售收入比2004年下滑5%的不利環(huán)境下，中國臺灣南亞科技公司（Nanya）和日本最大的DRAM儲存芯片制造商爾必達公司（Elpida）是全球最高前六個公司中銷售收入實現(xiàn)了增長的公司。 調研公司表示，盡管這是自2001年以后DRAM儲存芯片
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北美市場 經銷商們在星期三透露，本周DRAM的銷售比較緩慢，這段時間也是傳統(tǒng)的銷售淡季。整個周三都沒有一筆生意，因而市價也沒什么變化。這一天只有芯片市場PC133材質有唯一一筆現(xiàn)貨交易，價格在每芯片$3.30 到$4之間。 亞太市場 &
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歐洲芯片廠商英飛凌表示，DRAM內存平均銷售價格的下降影響了該公司2006財年第一季度的財報結果。 據(jù)reed-electronics.com網(wǎng)站報道，英飛凌截止到去年12月份的2006財年第一季度的銷售收入是大約20億美元（16.7億歐元），利息和稅項之前的利潤為虧損1.477億美元（1.22億歐元）。英飛凌的凈虧損為2.216億美元（1
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意法半導體（ST）日前公布了一款針對無線基礎設施設備開發(fā)的多用途微控制器的細節(jié)。這個代號為"GreenFIELD"、產品編號為STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC處理器核心、16Mbit片上eDRAM內存、eFPGA（嵌入式現(xiàn)場可編程邏輯門陣列）模塊以及各種模擬和數(shù)字外設。GreenFIELD-STW21000是ST無線基礎設施產品部發(fā)布的第二款先進的系統(tǒng)芯片產品。 GreenFI
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DDR（雙數(shù)據(jù)速率）DRAM應用于工作站和服務器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓，并需要等于電源電壓一半的基準電壓（VREF＝VDD/2）。此外，各邏輯輸出端都接一只電阻器，等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時，必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓，并可輸出高達6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5～28V下工作。
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