led power 文章 進入led power技術(shù)社區(qū)
LED壽命測試標準新進展
- 標準和測試方法對于任何新技術(shù)的成功都是至關(guān)重要的。不僅是因為它們能確保安全，更是因為可以借由在鑒定產(chǎn)品性能方面所獲得一致性而使業(yè)界達成共識并形成公平競爭。標準和檢測方法的缺乏會讓所有參與者產(chǎn)生困惑，也一直是LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的瓶頸之一。LED產(chǎn)品目前倍受青的一個重要原因是其節(jié)能和壽命因素，節(jié)能是非常容易看到的，而壽命的測試一直是讓業(yè)界深感困惑。由于缺乏標準，經(jīng)常在市場上看到聲稱5萬甚至10萬小時的LED產(chǎn)品。目前，美國照明工程學會(IES)、美國電氣制造商協(xié)會(NEMA)、美國國家標準照明集團(ANSLG
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美找到低壓下提高LED發(fā)光率新法
- 據(jù)物理學家組織網(wǎng)近日報道，美國麻省理工學院的研究人員通過一種插座轉(zhuǎn)換設(shè)備使發(fā)光二極管(LED)能夠比其消耗的電功率釋放出更多光功率，電源轉(zhuǎn)換效率可達到100%以上。相關(guān)研究發(fā)表于最新一期的《物理評論通訊》上。 LED發(fā)光原理是將電能轉(zhuǎn)換為光。目前，設(shè)計出既明亮又高效的LED燈的最大障礙之一，是增加LED燈的輸出功率反而導致其效率下降。而麻省理工學院的研究人員解釋說，他們的研究成果大大降低了外施的電壓。根據(jù)計算，當電壓減少到一半，輸入功率降低了4倍，而發(fā)出的光功率與電壓保持一致，也達到一半。換言之
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日本礙子開發(fā)出可使LED發(fā)光效率提高1倍的GaN晶圓
- 日本礙子稱，開發(fā)出了可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN(氮化鎵)晶圓。該晶圓在生長GaN單結(jié)晶體時采用自主開發(fā)的液相生長法，在整個晶圓表面實現(xiàn)低缺陷密度的同時獲得了無色透明特性。 日本礙子在其他研究機構(gòu)的協(xié)助下，在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進行了發(fā)光性能試驗，結(jié)果表明，該LED元件的內(nèi)部量子效率達到約90%(注入電流200mA時)。據(jù)日本礙子介紹，市售LED元件的內(nèi)部量子效率為30～40%(注入電流200mA時)，照此計算，利用新開發(fā)的晶圓制造的LED元件，其內(nèi)部量子效率提
- 關(guān)鍵字： LED GaN晶圓
十二五計劃擬建50個“十城萬盞”試點城市
- 科技部昨(7)日發(fā)布《半導體照明科技發(fā)展十二五專項規(guī)劃(征求意見稿)》提出，到2015年，大陸半導體照明產(chǎn)業(yè)規(guī)模要達到5000億元，形成20-30家龍頭企業(yè)，建成50個“十城萬盞”試點示范城市。 據(jù)意見稿提出，十二五半導體照明的具體目標為，白光LED器件光效達國際同期先進水平(150-200 1m/W)，LED光源/照明燈具光效達到80 lm/W，硅基半導體照明、創(chuàng)新應用、智能化照明系統(tǒng)及解決方案開發(fā)等達到世界領(lǐng)先水平，形成核心專利300項。 產(chǎn)品發(fā)展目標為，80%
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