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利用具有LDO特性的DC/DC轉(zhuǎn)換器滿(mǎn)足下一代移動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)需求(下)

高頻開(kāi)關(guān)面臨的挑戰(zhàn)　　我們前面講過(guò)，與高頻開(kāi)關(guān)有關(guān)的損耗會(huì)增加。圖4所示為采用2.2uH電感處于傳統(tǒng)的2MHz頻率下的DC/DC轉(zhuǎn)換器 target=_blank>DC/DC轉(zhuǎn)換器的損耗，以及采用0.47uH電感頻率為8MHz時(shí)的損耗?！　】?/li>
關(guān)鍵字：移動(dòng) 下一代應(yīng)用設(shè)計(jì) 需求滿(mǎn)足轉(zhuǎn)換器具有 LDO 特性

利用具有LDO特性的DC/DC轉(zhuǎn)換器滿(mǎn)足下一代移動(dòng)應(yīng)用設(shè)計(jì)需求(上)

今天的手機(jī)不斷向小型化和薄型化發(fā)展。這點(diǎn)毫不奇怪，技術(shù)尺寸方面的多數(shù)進(jìn)展是一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，可以決定產(chǎn)品開(kāi)發(fā)的命運(yùn)。由于移動(dòng)器件的尺寸不斷變小，元件尺寸和元件數(shù)量也必須如此。隨著每個(gè)元件周?chē)目臻g縮小，元
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恒流LDO型白光LED驅(qū)動(dòng)芯片的設(shè)計(jì)研究

目前應(yīng)用的半導(dǎo)體光源的驅(qū)動(dòng)方式有恒壓驅(qū)動(dòng)和恒流驅(qū)動(dòng)兩種。由于半導(dǎo)體光源的正向壓降受工藝離散性的影...
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大電流 LDO 應(yīng)用具增強(qiáng)的熱性能以減少了熱點(diǎn)

背景
隨著便攜式和非便攜式產(chǎn)品尺寸的減小，也需要相應(yīng)減小印刷電路板 (PCB) 的尺寸。單面電路板已經(jīng)讓位于雙面電路板，現(xiàn)在 4 至 16 層的電路板已經(jīng)司空見(jiàn)慣了。幾乎總能見(jiàn)到利用各種不同的板上穩(wěn)壓器進(jìn)行電源分配
關(guān)鍵字：減少熱點(diǎn) Linear 性能增強(qiáng) LDO 應(yīng)用電流

LDO應(yīng)用電路

LDO應(yīng)用電路,德州儀器(TI)推出的TPS79918低壓差(LDO)線(xiàn)性調(diào)節(jié)器為新的Intel StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(P30) 提供了所需性能。英特爾公司正從它的第三代180nm StrataFlash嵌入式存儲(chǔ)器(J30)轉(zhuǎn)向它的第四代130nm StrataFlash嵌入式存
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LDO的功耗和壓差分析

便攜產(chǎn)品電源設(shè)計(jì)需要系統(tǒng)級(jí)思維，在開(kāi)發(fā)由電池供電的設(shè)備時(shí)，諸如手機(jī)、MP3、PDA、PMP、DSC等低功耗產(chǎn)品，如...
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由 LDO 穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn)高效率、低電壓轉(zhuǎn)換和單電源運(yùn)作

背景
低電壓降壓型穩(wěn)壓和轉(zhuǎn)換可運(yùn)用多種方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器能夠在寬電壓范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效運(yùn)作，但其正常操作需要使用磁性元件及電容器。另外，也可以采用充電泵 (或開(kāi)關(guān)電容器電壓轉(zhuǎn)換器) 來(lái)實(shí)現(xiàn)較低電壓轉(zhuǎn)換，但
關(guān)鍵字：電源運(yùn)作 Linear 轉(zhuǎn)換電壓穩(wěn)壓器實(shí)現(xiàn) 高效率 LDO

LDO與DC-DC器件的差異詳解

應(yīng)當(dāng)可以這樣理解：DCDC的意思是直流變(到)直流(不同直流電源值的轉(zhuǎn)換)，只要符合這個(gè)定義都可以叫DCDC轉(zhuǎn)換器，包 ...
關(guān)鍵字： LDO DC-DC

低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器(LDO)的壓差和功耗

便攜產(chǎn)品電源設(shè)計(jì)需要系統(tǒng)級(jí)思維，在開(kāi)發(fā)由電池供電的設(shè)備時(shí)，諸如手機(jī)、MP3、PDA、PMP、DSC等低功耗產(chǎn)品，如果電 ...
關(guān)鍵字：低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器 LDO 壓差

基于LDO的開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)

電源是各種電子設(shè)備必不可缺少的組成部分，其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線(xiàn)性電源和開(kāi)關(guān)電源兩大類(lèi)，由于開(kāi)關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)，本
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LDO成熟期恩智浦打造切入點(diǎn)

??????? LDO（低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器）發(fā)展至今已經(jīng)成為一個(gè)成熟的器件。根據(jù)經(jīng)濟(jì)發(fā)展規(guī)律，成熟產(chǎn)業(yè)必定要走一條向下的路線(xiàn)，走向夕陽(yáng)，在這個(gè)創(chuàng)新無(wú)處不在的時(shí)代，著眼朝陽(yáng)產(chǎn)業(yè)才是獲得豐厚利潤(rùn)的源泉，而在這個(gè)時(shí)間點(diǎn)，恩智浦選擇切入LDO領(lǐng)域，理由何在？ ?
關(guān)鍵字： NXP LDO 智能手機(jī)

恩智浦推出采用小型晶圓級(jí)CSP封裝的最佳性能LDO

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ：NXPI) 近日宣布其LD6806CX4超低壓差穩(wěn)壓器（LDO）開(kāi)始供貨。該產(chǎn)品具有超低壓差的特性，在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝（WLCSP），所占用的電路板空間極小，是設(shè)計(jì)尺寸有限且對(duì)電池壽命要求極高的移動(dòng)設(shè)備的理想之選。手機(jī)電池的放電幾乎與時(shí)
關(guān)鍵字： NXP LDO LD6806CX4

鎖相環(huán)（PLL）的電源管理設(shè)計(jì)

本文討論圖1所示的基本PLL方案，并考察每個(gè)構(gòu)建模塊的電源管理要求。圖1.顯示各種電源管理要...
關(guān)鍵字：電源管理 VCO LDO 濾波

恩智浦推出采用小型晶圓級(jí)CSP封裝的LDO

恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. 近日宣布其LD6806CX4超低壓差穩(wěn)壓器(LDO)開(kāi)始供貨。該產(chǎn)品具有超低壓差的特性，在200-mA額定電流下壓降僅為60 mV。LD6806CX4采用超小型0.76 x 0.76 x 0.47mm晶圓級(jí)芯片級(jí)封裝 (WLCSP)，所占用的電路板空間極小，是設(shè)計(jì)尺寸有限且對(duì)電池壽命要求極高移動(dòng)設(shè)備的理想之選。
關(guān)鍵字：恩智浦 LDO LD6806

RF電路中穩(wěn)壓器的PSRR和噪聲

LDO是一種微功耗的低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器，它具有極低的自有噪聲和較高的電源抑制比(PSRR)。SGM2007高性能低壓差線(xiàn)...
關(guān)鍵字： LDO PSRR RF電路

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ldo介紹

　　LDO是low dropout regulator，意為低壓差線(xiàn)性穩(wěn)壓器，是相對(duì)于傳統(tǒng)的線(xiàn)性穩(wěn)壓器來(lái)說(shuō)的。傳統(tǒng)的線(xiàn)性穩(wěn)壓器，如78xx系列的芯片都要求輸入電壓要比輸出電壓高出2v~3V以上，否則就不能正常工作。但是在一些情況下，這樣的條件顯然是太苛刻了，如5v轉(zhuǎn)3.3v,輸入與輸出的壓差只有1.7v，顯然是不滿(mǎn)足條件的。針對(duì)這種情況，才有了LDO類(lèi)的電源轉(zhuǎn)換芯片。　　LDO 是一種線(xiàn)性穩(wěn)壓 [ 查看詳細(xì) ]