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集成電源管理滿足上網(wǎng)本小型化需求
- 上網(wǎng)本的電源管理分為以下幾部分：電源適配器、電池充電和管理、CPU供電、系統(tǒng)供電、I/O和顯卡供電、顯示背光供電、DDR存儲器供電。MPS針對上網(wǎng)本對電源小型化和輕載高效的要求，發(fā)展了擁有自主知識產(chǎn)權的一系列電路控制策略、半導體集成工藝以及封裝技術。 MPS的DC/DC變換器，將電源控制器、驅(qū)動和MOSFET完全集成在一個芯片中。和大多數(shù)競爭對手所采用的多芯片封裝不同，MPS是將這些部分完全集成在一個硅片上，這極大地降低了傳統(tǒng)分立元件所帶來的寄生參數(shù)影響，從而提高變換器的效率和開關頻率，減小電容
- 關鍵字： MPS 電源管理 MOSFET 上網(wǎng)本
英飛凌再度稱雄功率電子市場
- 英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達7.8%。現(xiàn)在，英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。 隨著汽車、消費和工
- 關鍵字： 英飛凌 IGBT MOSFET
IR推出150V和200V MOSFET
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列150V和200V HEXFET功率MOSFET，為開關模式電源 (SMPS) 、不斷電系統(tǒng) (UPS)、反相器和DC馬達驅(qū)動器等工業(yè)應用提供極低的閘電荷 (Qg)。 與其它競爭器件相比，IR 150V MOSFET提供的總閘電荷降低了高達59%。至于新款200V MOSFET的閘電荷，則比競爭器件的降低了多達33%。 IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“隨著DC-DC功率轉(zhuǎn)換應用技術的日
- 關鍵字： IR MOSFET SMPS UPS 反相器 DC馬達驅(qū)動器
Diodes 推出適合LCD背光應用的新型MOSFET 器件
- Diodes 公司進一步擴展其多元化的MOSFET 產(chǎn)品系列，推出15款針對 LCD 電視和顯示器背光應用的新型器件。新器件采用業(yè)界標準的TO252和SO8 封裝，具有高功率處理和快速開關功能，可滿足高效CCFL驅(qū)動器架構(gòu)的要求。 Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權表示：“30V 額定雙N溝道DMN3024LSD 采用SO8 封裝，適用于推挽式逆變器，可比分立式元件節(jié)省更多的空間。對于需要一對互補器件的全橋和半橋拓撲，DMC3028LSD 可提供集成的高性能N 和 P 溝道 MO
- 關鍵字： Diodes MOSFET LCD背光 CCFL驅(qū)動器
飛兆半導體推出一款單一P溝道MOSFET器件
- 飛兆半導體公司 (Farichild Semiconductor)為智能電話、手機、上網(wǎng)本、醫(yī)療和其它便攜式應用的設計人員帶來一款單一P溝道MOSFET器件FDZ197PZ，能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率水平和更小的外形尺寸。FDZ197PZ在VGS= 4.5V時提供64mOhm之RDS(ON) 值，較同類解決方案低15%，且占位面積僅為1mm x 1.5 mm，在提高效率之余，同時減少了電路板空間需求。該器件采用WL-CSP封裝，比占位面積相似的傳統(tǒng)塑料封裝MOSFET具有更佳功耗和傳導損耗特性。FDZ197P
- 關鍵字： Farichild MOSFET FDZ197PZ ESD
ST公布今年第二季度及上半年財報
- 意法半導體(紐約證券交易所代碼：STM)公布截至2009年6月27日的第二季度及上半年的財務報告。 意法半導體2009年第2季度收入總計19.93億美元，包含被ST-Ericsson合并的前愛立信移動平臺的全部業(yè)務，和1800萬美元的技術授權費。凈收入環(huán)比增幅20%，反映了意法半導體所在的所有市場以及全部地區(qū)的需求回暖，特別是中國和亞太地區(qū)的需求增長強勁。因為商業(yè)大環(huán)境的原因，在所有市場以及各地區(qū)第2季度的凈收入低于去年同期水平，但電信市場和亞太地區(qū)的表現(xiàn)則例外。 總裁兼首席執(zhí)行官 Car
- 關鍵字： ST MOSFET MEMS GPS 無線寬帶
半導體C-V測量基礎
- 通用測試 電容-電壓(C-V)測試廣泛用于測量半導體參數(shù)，尤其是MOSCAP和MOSFET結(jié)構(gòu)。此外，利用C-V測量還可以對其他類型的半導體器件和工藝進行特征分析，包括雙極結(jié)型晶體管(BJT)、JFET、III-V族化合物器件、光伏電池、MEMS器件、有機TFT顯示器、光電二極管、碳納米管(CNT)和多種其他半導體器件。 這類測量的基本特征非常適用于各種應用和培訓。大學的研究實驗室和半導體廠商利用這類測量評測新材料、新工藝、新器件和新電路。C-V測量對于產(chǎn)品和良率增強工程師也是極其重要的，
- 關鍵字： 吉時利 C-V測試 半導體 MOSFET MOSCAP
NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品
- 恩智浦半導體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨立半導體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術于一體，可在各種嚴苛應用條件下
- 關鍵字： NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8
Fairchild推出雙MOSFET解決方案FDMC8200
- 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設計人員帶來業(yè)界領先的雙MOSFET解決方案FDMC8200，可為筆記本電腦、上網(wǎng)本、服務器、電信和其它 DC-DC 設計提供更高的效率和功率密度。該器件在3mm x 3mm MLP模塊中集成了經(jīng)優(yōu)化的控制 (高側(cè)) 和同步 (低側(cè)) 30V N溝道MOSFET，二者均使用的專用先進高性能PowerTrench® 7 MOSFET技術，提供出色的低RDS(ON)、總體柵極電荷(QG)和米勒電荷 (QGD)，這些性能最大限度地
- 關鍵字： Fairchild MOSFET PowerTrench FDMC8200
Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件
- Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對互補100V增強式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應用范圍包括直流風扇和逆變器電路、D類放大器輸出級以及其他多種48V應用。 Diodes 亞太區(qū)技術市場總監(jiān)梁后權指出：“這個N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數(shù)目，同時簡化柵極驅(qū)動電路設計。比方說，SO8充分發(fā)揮了
- 關鍵字： Diodes MOSFET ZXMC10A816
Maxim推出低電壓、降壓調(diào)節(jié)器
- Maxim推出內(nèi)置升壓開關的低電壓、降壓調(diào)節(jié)器MAX17083。該器件專為空間緊張的應用而設計，在微小的16mm² TQFN封裝中集成了雙路n溝道MOSFET功率開關。內(nèi)部25mΩ、低邊功率MOSFET能夠提供高達5A的持續(xù)負載電流，在保證高效率的同時減少了元件數(shù)量。MAX17083無需外部肖特基二極管以及外部升壓二極管，進一步節(jié)省了空間和成本。這款小型降壓調(diào)節(jié)器理想用于超便攜移動PC (UMPC)、上網(wǎng)本、便攜式游戲機及其它緊湊的低功耗應用。 MAX17083采用電流模式
- 關鍵字： Maxim 降壓調(diào)節(jié)器 MAX17083 MOSFET
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