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            復(fù)蘇乏力 元件供應(yīng)商日子難過

            •   雖然所有領(lǐng)先指標(biāo)都顯示2013年下半年將恢復(fù)季節(jié)性增長,但包括半導(dǎo)體在內(nèi)的電子元件產(chǎn)業(yè)目前訂單情況遜于當(dāng)前市場復(fù)蘇階段的預(yù)期水平。據(jù)IHS公司的元件價格走勢追蹤服務(wù),這種需求缺口可能限制今年電子元件市場的增長幅度。   2013年商品類芯片的總體前景仍然堅挺,預(yù)計半導(dǎo)體營業(yè)收入增長4.8%,盡管該市場的各個領(lǐng)域不會同樣強(qiáng)勁。   在假日季節(jié)之前的這個時期,MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動沒有呈現(xiàn)出通常的水平。這個階段通常出現(xiàn)交貨期延長和價格上漲現(xiàn)象,而目前尚未看到這些情況。同時,消費電子、汽
            • 關(guān)鍵字: 電子元件  MOSFET  

            為您的電源選擇正確的工作頻率——電源設(shè)計小貼士

            • 歡迎來到電源設(shè)計小貼士!隨著現(xiàn)在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強(qiáng)調(diào),我們創(chuàng)建了該專欄,就各種電源管理...
            • 關(guān)鍵字: 工作頻率    MOSFET    Pcon  

            飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本

            • 飛兆半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商,通過引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 MOSFET 和二極管選擇過程,將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內(nèi),代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。
            • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  LED  

            安森美推出兩款新的MOSFET器件

            • 安森美半導(dǎo)體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件,用于智能手機(jī)及平板電腦應(yīng)用,作為鋰離子電池充電/放電保護(hù)電路開關(guān)的關(guān)鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設(shè)計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
            • 關(guān)鍵字: 安森美  MOSFET  鋰離子電池  

            Vishay大幅擴(kuò)充E系列650V N溝道功率MOSFET家族

            • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝,將10V下的導(dǎo)通電阻擴(kuò)展到30mΩ~600mΩ,將最高電流等級擴(kuò)大為6A~105A。
            • 關(guān)鍵字: Vishay  E系列  MOSFET  

            功率MOSFET基礎(chǔ)知識

            • 什么是功率MOSFET?我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信...
            • 關(guān)鍵字: 功率  MOSFET  基礎(chǔ)知識  

            用IGBT代替MOSFET的可行性分析

            • 一、引言電力電子設(shè)備正朝著高頻、高效、高可靠、高功率因數(shù)和低成本的方向發(fā)展,功率器件則要求高速、...
            • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  

            AOS發(fā)布150V MOSFET旗艦產(chǎn)品

            • 日前,集設(shè)計,研發(fā)一體的著名功率半導(dǎo)體及芯片供應(yīng)商萬國半導(dǎo)體(AOS, 納斯達(dá)克代碼: AOSL)發(fā)布了旗下最新150V MOSFET器件: AON6250。該器件作為AOS AlphaMOS? (?MOS?)中壓系列旗艦產(chǎn)品,為眾多設(shè)備追求極致效率提供了解決方案。
            • 關(guān)鍵字: AOS  AON6250  MOSFET  

            飛兆四路MOSFET解決方案提高了效率

            • 高分辨率、緊湊有源整流橋應(yīng)用(如網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī))中的過熱可能導(dǎo)致圖像質(zhì)量問題。 同樣,熱致噪聲可能影響系統(tǒng)的圖像傳感器,也會降低相機(jī)的圖片質(zhì)量。 調(diào)節(jié)熱波動的典型散熱解決方案會增加元件數(shù)量,占用電路板空間,讓這些設(shè)計變得更復(fù)雜。
            • 關(guān)鍵字: 飛兆  FDMQ86530L  MOSFET  

            淺談三極管和MOS管作開關(guān)用時的區(qū)別

            • 我們在做電路設(shè)計中三極管和MOS管做開關(guān)用時候有什么區(qū)別。工作性質(zhì):1.三極管用電流控制,MOS管...
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  三極管  

            MOSFET在單通道降壓轉(zhuǎn)換器驅(qū)動投影儀RGB LED的應(yīng)用

            • 本應(yīng)用筆記提供了一個低功耗投影儀RGBLED驅(qū)動器的參考設(shè)計?;趩涡酒琈AX16821構(gòu)建大電流LED驅(qū)動器,能夠為...
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  降壓轉(zhuǎn)換器  RGB  LED  

            Vishay Siliconix 擴(kuò)展ThunderFET?的電壓范圍

            • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK? SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiR872ADP,將該公司的ThunderFET?技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。
            • 關(guān)鍵字: Vishay  DC/DC  MOSFET  SiR872ADP  

            針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器

            • 針對IGBT和MOSFET可再生能源應(yīng)用的35V、單通道柵極驅(qū)動器,引言對電能轉(zhuǎn)換而言,可再生能源電子細(xì)分市場是一個復(fù)雜且多樣化的競技場。在一些負(fù)載點應(yīng)用中,開關(guān)型功率轉(zhuǎn)換器通常為非隔離式,功率水平相當(dāng)?shù)?200 W),并且常常會把電
            • 關(guān)鍵字: IGBT  MOSFET  柵極驅(qū)動器  

            繼2012年表現(xiàn)黯淡之后 中國功率MOSFET市場將恢復(fù)生機(jī)

            •   在綠色能源和節(jié)能計劃的帶動下,加之出口回升,預(yù)計今年中國市場的功率MOSFET出貨量繼2011年大幅下滑之后反彈。這暗示中國以及其它主要全球經(jīng)濟(jì)體的形勢好轉(zhuǎn)。功率MOSFET廣泛用于多種電子產(chǎn)品與系統(tǒng)之中。   據(jù)IHS公司的中國研究專題報告,今年中國功率MOSFET產(chǎn)業(yè)的營業(yè)收入預(yù)計為22.5億美元,比2012年的21.8億美元增長3%。去年該市場比2011年的23.7億美元下降8%。   明年增長將更加強(qiáng)勁,預(yù)計營業(yè)收入上升11%,隨后每年將保持穩(wěn)定增長,至少保持到2017年。到2017年,預(yù)
            • 關(guān)鍵字: 消費電子  MOSFET  

            常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹

            • 常用功率器件MOSFET的基礎(chǔ)知識介紹,我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關(guān),但是,我們只能對其進(jìn)行開關(guān)操作,而不能逐漸控制信號流。此外,二極管作為開關(guān)取決于信號流的方向;我們不能對其編程以通過或屏蔽一個
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  功率器件  
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