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            CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽車(chē)緊湊及高效碳化硅逆變器,并以此體現(xiàn)其所建立的合作伙伴關(guān)系

            • 高溫半導(dǎo)體和功率模塊方面的領(lǐng)導(dǎo)性企業(yè)CISSOID 公司,與技術(shù)領(lǐng)先的、為新能源汽車(chē)超快速和超高安全性實(shí)時(shí)控制提供現(xiàn)場(chǎng)可編程控制器單元(FPCU)半導(dǎo)體架構(gòu)的發(fā)明者Silicon Mobility公司共同宣布: Silicon Mobility 的 OLEA? FPCU 控制器已與 CISSOID 的碳化硅(SiC) 智能功率模塊(IPM)平臺(tái)實(shí)現(xiàn)了集成,雙方攜手打造的這一全新高集成度平臺(tái)將加速用于電動(dòng)汽車(chē)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的緊湊型高效碳化硅逆變器的開(kāi)發(fā)。該合作伙伴關(guān)系將提供一個(gè)碳化硅逆變器的模塊化平臺(tái),從而提供高
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  

            安森美發(fā)布高性能、低損耗的SUPERFET V MOSFET系列,應(yīng)用于服務(wù)器和電信

            • 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi),近日發(fā)布新的600 V SUPERFETò V MOSFET系列。這些高性能器件使電源能滿足嚴(yán)苛的能效規(guī)定,如80 PLUS Titanium,尤其是在極具挑戰(zhàn)性的10%負(fù)載條件下。600 V SUPERFET系列下的三個(gè)產(chǎn)品組--FAST、Easy Drive和FRFET經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可在各種不同的應(yīng)用和拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中提供領(lǐng)先同類的性能。600 V SUPERFET V系列提供出色的開(kāi)關(guān)特性和較低的門(mén)極噪聲,從而降低電磁干擾(EMI),這對(duì)服務(wù)器和電信系統(tǒng)是
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  

            派恩杰SiC MOSFET批量“上車(chē)”,擬建車(chē)用SiC模塊封裝產(chǎn)線

            • 自2018年特斯拉Model3率先搭載基于全SiC MOSFET模塊的逆變器后,全球車(chē)企紛紛加速SiC MOSFET在汽車(chē)上的應(yīng)用落地。但目前全球碳化硅市場(chǎng)基本被國(guó)外壟斷,據(jù)Yole數(shù)據(jù),Cree,英飛凌,羅姆,意法半導(dǎo)體占據(jù)了90%的市場(chǎng)份額。國(guó)產(chǎn)廠商已有不少推出了碳化硅二極管,但具有SiC MOSFET研發(fā)和量產(chǎn)能力的企業(yè)鳳毛麟角。近日,據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件供應(yīng)商派恩杰半導(dǎo)體(杭州)有限公司(簡(jiǎn)稱派恩杰)的SiC MOSFET產(chǎn)品在新能源汽車(chē)OBC應(yīng)用驗(yàn)證取得了重大突破,獲得了新能源汽車(chē)
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  

            安森美在ASPENCORE全球電子成就獎(jiǎng)和EE Awards Asia贏得頭籌

            • 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)近日宣布其N(xiāo)CP51561隔離SiC MOSFET門(mén)極驅(qū)動(dòng)器獲ASPENCORE全球電子成就獎(jiǎng)(WEAA)的功率半導(dǎo)體/驅(qū)動(dòng)器類獎(jiǎng)項(xiàng)。WEAA項(xiàng)目表彰對(duì)全球電子行業(yè)的創(chuàng)新和發(fā)展做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)和個(gè)人,由ASPENCORE全球分析師及其用戶社群選出獲獎(jiǎng)?wù)摺0采劳瑫r(shí)宣布其壓鑄模功率集成模塊(TM-PIM)獲EE Awards Asia的功率IC產(chǎn)品類獎(jiǎng)項(xiàng),同時(shí)公司以其先進(jìn)的汽車(chē)方案和智能電源產(chǎn)品獲得最孚眾望的電動(dòng)車(chē)(EV)功率半導(dǎo)體供應(yīng)商獎(jiǎng)。EE Awa
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  

            2021基本創(chuàng)新日盛大開(kāi)啟 碳化硅系列新品重磅發(fā)布

            • 新基建和“雙碳”戰(zhàn)略目標(biāo)推動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在開(kāi)啟發(fā)展加速度,有望成為綠色經(jīng)濟(jì)的中流砥柱,引領(lǐng)新一輪產(chǎn)業(yè)革命?!皠?chuàng)新為基,創(chuàng)芯為本”,11月27日,2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)在深圳盛大啟幕?;景雽?dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士在會(huì)上發(fā)布了汽車(chē)級(jí)全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品,至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善,產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力再度提升,將助力國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展,受到了現(xiàn)場(chǎng)來(lái)自汽車(chē)、工業(yè)、消費(fèi)等領(lǐng)域以及第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈的多位業(yè)內(nèi)人士的高度關(guān)注。汽車(chē)級(jí)全碳化硅功
            • 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體  碳化硅  MOSFET  

            東芝推出用于IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)的薄型封裝高峰值輸出電流光耦

            • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出采用薄型SO6L封裝的兩款光耦---“TLP5705H”和“TLP5702H”,可在小型IGBT/MOSFET中用作絕緣柵極驅(qū)動(dòng)IC。這兩款器件于近日開(kāi)始支持批量出貨。TLP5705H是東芝首款采用厚度僅有2.3毫米(最大值)的薄性封裝(SO6L)可提供±5.0A峰值輸出電流額定值的產(chǎn)品。傳統(tǒng)采用緩沖電路進(jìn)行電流放大的中小型逆變器與伺服放大器等設(shè)備,現(xiàn)在可直接通過(guò)該光耦驅(qū)動(dòng)其IGBT/MOSFET而無(wú)需任何緩沖器。這將有助于減少部件數(shù)量并實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)小型
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  

            非常見(jiàn)問(wèn)題第191期:負(fù)載點(diǎn)DC-DC轉(zhuǎn)換器解決電壓精度、效率和延遲問(wèn)題

            • 問(wèn)題:為什么使用DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)盡可能靠近負(fù)載的負(fù)載點(diǎn)(POL)電源?答案:效率和精度是兩大優(yōu)勢(shì),但實(shí)現(xiàn)POL轉(zhuǎn)換需要特別注意穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)。接近電源。這是提高電源軌的電壓精度、效率和動(dòng)態(tài)響應(yīng)的最佳方法之一。負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器是一種電源DC-DC轉(zhuǎn)換器,放置在盡可能靠近負(fù)載的位置,以接近電源。因POL轉(zhuǎn)換器受益的應(yīng)用包括高性能CPU、SoC和FPGA——它們對(duì)功率級(jí)的要求都越來(lái)越高。例如,在汽車(chē)應(yīng)用中,高級(jí)駕駛員輔助系統(tǒng)(ADAS)——例如雷達(dá)、激光雷達(dá)和視覺(jué)系統(tǒng)——中使用的傳感器數(shù)量在穩(wěn)步倍增,導(dǎo)致需要更快的數(shù)
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  

            多通道電流傳感器自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)

            • 多通道電流傳感器自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)可以根據(jù)測(cè)試需求,實(shí)現(xiàn)電流傳感器的比例誤差、上升時(shí)間、零點(diǎn)偏置、零點(diǎn)漂移、線性度等參數(shù)的自動(dòng)測(cè)試。其中精密恒流源輸出可至200 A,準(zhǔn)確度優(yōu)于0.01%,多臺(tái)并聯(lián)可達(dá)到2 kA。覆蓋了大多數(shù)中低準(zhǔn)確度的測(cè)試需求,同時(shí)可配合準(zhǔn)確度高達(dá)10-6的標(biāo)準(zhǔn)電流傳感器解決更高準(zhǔn)確度的測(cè)試需求。
            • 關(guān)鍵字: 電流傳感器  自動(dòng)測(cè)試  精密恒流源  比例誤差  202111  MOSFET  

            Diodes Incorporated 目標(biāo)電動(dòng)汽車(chē)產(chǎn)品應(yīng)用推出高電流 TOLL MOSFETs

            • Diodes 公司為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 (MOSFET) 近日推出節(jié)省空間、高熱效率的 TOLL (PowerDI?1012-8) 封裝,能在 175°C、100 瓦等級(jí)的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下運(yùn)作,另外,80 瓦等級(jí)的 DMTH8001STLWQ 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管 (MOSFET) 比 TO263 占據(jù)的 PCB 面積少了百分之二十。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應(yīng)用的最佳選擇,像是能量熱回
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  

            意法半導(dǎo)體端口保護(hù)IC為STM32 USB-C雙角色輸電量身定制

            • 意法半導(dǎo)體TCPP03-M20 USB Type-C端口保護(hù) IC為雙角色輸電(DRP)應(yīng)用量身定制,針對(duì)能給相連設(shè)備充電又能接受其他 USB-C電源的雙向充放電產(chǎn)品,可以簡(jiǎn)化其設(shè)計(jì)。作為有ST UCPD (USB Type-C 和Power Delivery)接口IP模塊的 STM32G0*、STM32G4、STM32L5 和 STM32U5 微控制器的配套芯片,TCPP03-M20讓設(shè)計(jì)者以經(jīng)濟(jì)劃算的方式進(jìn)行USB Type-C 接口硬件分區(qū),實(shí)現(xiàn)以 STM32 為主微控制器的雙芯片解決方案,從而節(jié)省
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  STM32  

            SRII重磅亮相CICD 2021,以先進(jìn)ALD技術(shù)賦能第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

            • 功率器件作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分,擁有非常廣泛的技術(shù)分類以及應(yīng)用場(chǎng)景。例如,傳統(tǒng)的硅基二極管、IGBT和MOSFET等產(chǎn)品經(jīng)過(guò)數(shù)十年的發(fā)展,占據(jù)了絕對(duì)領(lǐng)先的市場(chǎng)份額。不過(guò),隨著新能源汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、儲(chǔ)能、手機(jī)快充等應(yīng)用的興起,擁有更高耐壓等級(jí)、更高開(kāi)關(guān)頻率、更高性能的新型SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體功率器件逐漸嶄露頭角,獲得了業(yè)界的持續(xù)關(guān)注。如今,在生產(chǎn)工藝不斷優(yōu)化、成本持續(xù)降低的情況下,老牌大廠與初創(chuàng)企業(yè)紛紛加碼第三代半導(dǎo)體,SiC和GaN功率器件開(kāi)始投入批量應(yīng)用,并迎來(lái)了關(guān)鍵的產(chǎn)能爬坡階段。作為半
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  

            提高遲滯,實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)的欠壓和過(guò)壓閉鎖

            • 電阻分壓器可將高電壓衰減至低壓電路能夠承受的電平,且低壓電路不會(huì)出現(xiàn)過(guò)載或損壞。在功率路徑控制電路中,電阻分壓器有助于設(shè)置電源欠壓和過(guò)壓閉鎖閾值。這種電源電壓驗(yàn)證電路常見(jiàn)于汽車(chē)系統(tǒng)、便攜式電池供電儀器儀表以及數(shù)據(jù)處理和通信板中。欠壓閉鎖(UVLO)可防止下游電子系統(tǒng)在異常低的電源電壓下工作,避免導(dǎo)致系統(tǒng)故障。例如,當(dāng)電源電壓低于規(guī)格要求時(shí),數(shù)字系統(tǒng)可能性能不穩(wěn)定,甚至死機(jī)。當(dāng)電源為可充電電池時(shí),欠壓閉鎖可防止電池因深度放電而受損。過(guò)壓閉鎖(OVLO)可保護(hù)系統(tǒng)免受破壞性地高電源電壓的影響。由于欠壓和過(guò)壓閾
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  

            基于eGaN FET的2 kW、48V/12V DC/DC轉(zhuǎn)換器演示板,讓設(shè)計(jì)師實(shí)現(xiàn)用于輕度混合動(dòng)力汽車(chē)的更高效、更小、更快的雙向轉(zhuǎn)換器

            • EPC9163是一款兩相48 V/12 V雙向轉(zhuǎn)換器,可提供2 kW的功率和實(shí)現(xiàn)96.5%的效率,是適用于輕度混合動(dòng)力汽車(chē)和備用電池裝置的小型化解決方案。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9163,這是一款 2 kW、兩相的48 V /12 V雙向轉(zhuǎn)換器演示板,可在非常小的占板面積上實(shí)現(xiàn) 96.5%的效率。該演示板的設(shè)計(jì)具有可擴(kuò)展性 - 并聯(lián)兩個(gè)轉(zhuǎn)換器可以實(shí)現(xiàn)4 kW的功率,或者并聯(lián)三個(gè)轉(zhuǎn)換器以實(shí)現(xiàn)6 kW。該板采用8個(gè)100 V 的eGaN?FET(EPC2218),并由模塊控制,該模塊采用Mic
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  

            添加靈活的限流功能

            • 問(wèn)題:我可以根據(jù)負(fù)載輕松而精確地進(jìn)行限流嗎?答案:可以使用限流IC進(jìn)行限流。在一些電源管理應(yīng)用中,需要精確地限制電流。無(wú)論是要保護(hù)電源(例如,中間電路電壓需要過(guò)載保護(hù)以便能夠可靠地為其他系統(tǒng)部件提供電能),還是在故障情況下保護(hù)可能由于過(guò)流而造成損壞的負(fù)載,都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器來(lái)滿足此要求時(shí),我們發(fā)現(xiàn)市面上具有可調(diào)限流功能的電壓轉(zhuǎn)換器很少見(jiàn)??烧{(diào)限流功能在采用外部電源開(kāi)關(guān)的控制器設(shè)計(jì)中更加常見(jiàn),而所有的集成解決方案很少提供此類功能。而且,可調(diào)限流功能的精度通常不是很高。以
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  

            使用無(wú)損耗過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應(yīng)用中的AC輸入開(kāi)關(guān)效率和可靠性

            • 在越來(lái)越多的應(yīng)用中,對(duì)導(dǎo)通和關(guān)斷AC輸入電源的器件的性能進(jìn)行優(yōu)化是一個(gè)重要考慮因素,這些應(yīng)用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的家電、智能開(kāi)關(guān)和插頭、調(diào)光器和人體感應(yīng)傳感器,特別適用于采用繼電器或可控硅進(jìn)行功率控制的設(shè)計(jì)。當(dāng)AC電源異步導(dǎo)通或關(guān)斷而不考慮其所處的電壓時(shí),效率和可靠性會(huì)受到不利影響,必須添加電路以保護(hù)開(kāi)關(guān)免受高瞬態(tài)電流的影響。當(dāng)AC電源異步導(dǎo)通時(shí),浪涌電流可能超過(guò)100A。反復(fù)暴露于高浪涌電流會(huì)對(duì)繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產(chǎn)生負(fù)面影響。電觸點(diǎn)的預(yù)期壽命因浪涌電流需求
            • 關(guān)鍵字: MOSFET  
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