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            干貨碼住丨深度剖析IGBT柵極驅動注意事項

            • IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點,并且有三個端子:一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅動而言,該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路一?了解基本驅動器圖 2. IGBT的導通電流了快速導通和關斷 BJT,必須在每個方向上硬驅動柵極電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當 MOSFET 的柵極被驅動
            • 關鍵字: IGBT  柵極  驅動  

            英飛凌與賽米控丹佛斯簽訂電動汽車芯片供貨協(xié)議

            • 英飛凌在近日表示,與賽米控丹佛斯簽署了一份多年批量供應硅基電動汽車芯片的協(xié)議。英飛凌將為賽米控丹佛斯供應由IGBT和二極管組成的芯片組。這些芯片主要用于逆變器的功率模塊,而逆變器用于電動汽車的主驅動。根據(jù)協(xié)議,賽米控丹佛斯的IGBT和二極管將由英飛凌在德國德累斯頓和馬來西亞居林的工廠生產(chǎn)。IGBT依然緊缺根據(jù)供應鏈消息顯示,目前IGBT缺貨基本在39周以上,供需缺口已經(jīng)拉長到50%以上,市場部分料號供貨周期還是維持在52周。作為行業(yè)龍頭的英飛凌,其去年IGBT訂單已處于超負荷接單狀態(tài),整體積壓訂單金額超過
            • 關鍵字: 英飛凌  賽米控  電動汽車芯片  SiC  IGBT  

            IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——下

            • IGBT是大家常用的開關功率器件,本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊,對手冊中的一些關鍵參數(shù)和圖表進行解釋說明,用戶可以了解各參數(shù)的背景信息,以便合理地使用IGBT。在上篇《IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析——上》中,我們介紹了IGBT的命名、最大額定值及靜態(tài)參數(shù)。今天我們介紹動態(tài)特性、開關特性及其它參數(shù)。4.動態(tài)特性●   輸入電容,輸出電容和反向傳輸電容Cies,Coes和Cres輸入電容Cies,是Cres同CGE之和,是設計驅動的一個關鍵參數(shù)。它在每個開關周期進行充電和放電,它定
            • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

            IGBT如何選擇,你真的了解嗎?

            • 最近,碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導體的應用日益增多,受到廣泛關注。然而,在這些新技術出現(xiàn)之前,許多高功率應用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT),事實上,許多此類應用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中,我們介紹 IGBT 器件的結構和運行,并列舉多種不同 IGBT 應用的電路拓撲結構,然后探討這種多用途可靠技術的新興拓撲結構。IGBT 器件結構簡而言之,IGBT 是由 4 個交替層 (P-N-P-N) 組成的功率半導體晶體管,通過施加于金屬氧化物半導體 (MOS
            • 關鍵字: 安森美  IGBT  

            國產(chǎn)IGBT,迎來大豐收

            • 根據(jù) IGBT 的產(chǎn)品分類來看,按照其封裝形式的不同,可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器;IPM 模塊應用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機等白色家電產(chǎn)品;而 IGBT 模塊應用于大功率變頻器、新能源車、集中式光伏等領域。根據(jù)工作環(huán)境的電壓不同,IGBT 可以分為低壓(600V 以下)、中壓(600V-1200V)、高壓(1700V-6500V)。一般低壓 IGBT 常用于變頻白色家電、新能源汽車零部件等領域;中壓 IGBT 常用
            • 關鍵字: IGBT   

            Nexperia推出新款600V單管IGBT,可在電源應用中實現(xiàn)出色效率

            • 為功率電子設計人員提供帶有全額快速恢復二極管的穩(wěn)健型175℃標準IGBT。
            • 關鍵字: IGBT  電源  NXP  

            深度剖析IGBT柵極驅動注意事項

            • IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點,并且有三個端子:一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅動而言,該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導通電流為了快速導通和關斷 BJT,必須在每個方向上硬驅動柵極電流,以將載流子移入和移出基極區(qū)。當 MOSFET 的柵極被驅動為高電平時,會存在一個從雙
            • 關鍵字: 安森美  IGBT  柵極驅動  

            了解這些 就可以搞懂 IGBT

            • 絕緣柵雙極晶體管(IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種三端功率半導體器件,主要用作電子開關,在較新的器件中以結合高效和快速開關而聞名。IGBT通過在單個器件中組合用于控制輸入的隔離柵極FET和作為開關的雙極功率晶體管,將MOSFET的簡單柵極驅動特性與雙極晶體管的高電流和低飽和電壓能力相結合。IGBT用于中到大功率應用,如開關電源、牽引電機控制和感應加熱。圖1. IGBT 電路圖符號01 IGBT特點IGBT具有柵極、集電極、發(fā)射極3個引腳。柵極與MOSF
            • 關鍵字: DigiKey  IGBT  

            1200V TRENCHSTOP IGBT7 H7單管性能分析及其在T型三電平拓撲中的應用

            • 英飛凌TRENCHSTOP? IGBT7系列單管具有兩種電壓等級(650V&1200V)和三個系列(T7,S7,H7)。其中,H7系列單管針對光儲、UPS、EV charger、焊機等應用進行了專門的優(yōu)化,并配備了全電流EC7 rapid二極管。憑借極低的開關損耗、導通損耗和豐富的產(chǎn)品系列,H7單管正在成為光伏和儲能應用的新星。產(chǎn)品特點●  按照應用需求去定義產(chǎn)品,去掉短路能力從而獲得更低的開關損耗和導通損耗,如圖1所示。完美適配于不需要短路能力的光儲等應用?!?nbsp; 1200V
            • 關鍵字: 英飛凌  IGBT  

            針對電動馬達控制,在指定絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 時的考慮

            • 針對所有的應用,人們越來越注意電動馬達的運作效率;因此,對高效率驅動器的需求變得日益重要。此外,使用馬達驅動的設計,例如電動馬達、泵和風扇,需要降低整體成本,且需要減低這些電動馬達應用中的能耗;因此,為電動馬達及其的驅動指定高效率的設計,以適合每項特定應用變得更加重要。面對今日要求更高的電壓或更高的電流以及更低頻率的電動馬達驅動應用,廣為人知且被廣泛使用的開關組件解決方案絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 即是一項絕佳的選擇。因為多數(shù)馬達在較低頻率運作,要求可靠的安全工作區(qū)(SOA)和短路額定值,且需要將效率
            • 關鍵字: Bourns  電動馬達  IGBT  

            投身車電領域的入門課:IGBT和SiC功率模塊

            • 2020 年初,疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年,由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升,再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施,電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里,電動車領導品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展,將推動整個亞太地區(qū)的電動汽車市場實現(xiàn)穩(wěn)步擴張。同時,不斷加碼的政府激勵措施和持續(xù)擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區(qū)電動汽車市場的快速增長。因此,根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計,全球電動汽車市場規(guī)模將從 2
            • 關鍵字: 車用  電能轉換  車電領域  IGBT  SiC  功率模塊  

            意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片

            • 2023 年 5月 16 日,中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊,以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用,采用隔離降壓拓撲結構,需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉換器少,并且不需要光耦合器,從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關斷電流,集成軟啟動時間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補償、電源正常指示,以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
            • 關鍵字: 意法半導體  隔離式降壓轉換器  功率轉換  IGBT  SiC  GaN  晶體管柵極驅動  

            IGBT模塊是如何失效的?

            • IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構成,個芯片之間通過鋁導線實現(xiàn)電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝。1、IGBT模塊結構IGBT模塊主要由若干混聯(lián)的IGBT芯片構成,個芯片之間通過鋁導線實現(xiàn)電氣連接。標準的IGBT封裝中,單個IGBT還會并有續(xù)流二極管,接著在芯片上方灌以大量的硅凝膠,用塑料殼封裝,IGBT單元堆疊結構如圖1-1所示。從上之下它依次由芯片,DBC(Directed Bonding Copper)以及金屬散熱板(
            • 關鍵字: IGBT  

            相較IGBT,SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能?

            • 隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加,汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品,競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動,傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組,成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。市場已經(jīng)在推動向更高電壓電池的轉變。800 V DC 和更大的電池將變得更占優(yōu)勢,因為使用更高的電壓意味著系統(tǒng)可以在更低的電流下運行,同時實現(xiàn)相同的功率輸出。較低電流的優(yōu)點是損耗較低,需要管理的熱耗散較少,還有利于使
            • 關鍵字: 安森美  IGBT  SiC  

            Power Integrations推出具有溫度讀數(shù)功能的新型SCALE-iFlex LT NTC IGBT/SiC模塊門極驅動器

            • 德國紐倫堡,PCIM 2023 – 2023年5月9日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations(納斯達克股票代號:POWI)今日推出SCALE-iFlex? LT NTC系列IGBT/SiC模塊門極驅動器。新款門極驅動器適配于流行的100mmx140mm IGBT半橋模塊,例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2,以及耐壓在2300V以內(nèi)的碳化硅(SiC)衍生模塊。SCALE-iFlex LT NTC驅動器可提供負溫度系數(shù)
            • 關鍵字: Power Integrations  IGBT  SiC模塊  門極驅動器  
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            igbt-ipm介紹

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