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IGBT保護(hù)電路的過(guò)流保護(hù)設(shè)計(jì)方案
- IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件,具有電壓高、電流大、頻率高、導(dǎo)通電阻小等特點(diǎn),因而廣泛應(yīng)用在變頻器的逆變電路中。但由于IGBT的耐過(guò)流能力與耐過(guò)壓能力較差,一旦出現(xiàn)意外就
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可再生能源應(yīng)用加持IGBT市場(chǎng)前景一片光明
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201308/67e16eff7119c6ac08e8119700e94ae6.jpg)
- 據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Yole的最新報(bào)告,IGBT在電動(dòng)車/動(dòng)力混合汽車(EV/HEV)、再生能源(RenewableEnergies)、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器(MotorDrive)、不斷電動(dòng)力系統(tǒng)(UPS)及交通上的應(yīng)用是該市場(chǎng)的成長(zhǎng)動(dòng)力來(lái)源。IGBT市場(chǎng)在2011~2012年少許反常性的下跌后,Yole分析師預(yù)期今年市場(chǎng)已回歸穩(wěn)定成長(zhǎng)腳步,具體而言,市場(chǎng)預(yù)估將從今年的36億美元,在5年后達(dá)到60億美元。在Yole的報(bào)告中最廣泛被分析的是IGBT在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用,區(qū)分為工業(yè)、商業(yè)和住宅應(yīng)用,馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器是帶動(dòng)IGBT
- 關(guān)鍵字: 可再生能源 IGBT
英飛凌展示新一代IGBT——650V TRENCHSTOP 5
- 英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運(yùn)動(dòng)、可再生能源管理展覽會(huì)上突出展示了650V TRENCHSTOP? 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管——TRENCHSTOP? 5自從2012年秋季推出以來(lái),已經(jīng)獲得了巨大的市場(chǎng)關(guān)注,它被認(rèn)為是一種革新的技術(shù)。
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 TRENCHSTOP IGBT
安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級(jí)性能的IGBT,擴(kuò)充產(chǎn)品陣容
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201305/fbb9be9c095996e9e5e23adabce677d5.jpg)
- 推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào):ONNN)持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容,應(yīng)用于消費(fèi)類電器及工業(yè)應(yīng)用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導(dǎo)體新的第二代場(chǎng)截止型(FSII) IGBT器件改善開(kāi)關(guān)特性,降低損耗達(dá)30%,因而提供更高能效,并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度,為設(shè)計(jì)人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對(duì)目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。 安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul
- 關(guān)鍵字: 安森美,IGBT
英飛凌推出EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost
![](http://editerupload.eepw.com.cn/201305/f2552d54358a46ee55fcfc5970ef2a08.jpg)
- 英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代應(yīng)用于新能源汽車的高壓IGBT門級(jí)驅(qū)動(dòng)器。有了專為混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車 (HEV) 的主逆變器而設(shè)計(jì)的全新EiceDRIVER? SIL和EiceDRIVER? Boost驅(qū)動(dòng)器,汽車系統(tǒng)供應(yīng)商便能夠更輕松地設(shè)計(jì)出更具成本效益的HEV電力傳動(dòng)傳動(dòng)子系統(tǒng),該系統(tǒng)完全符合ASIL C/D功能安全要求標(biāo)準(zhǔn) (ISO 26262)。
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 EiceDRIVER 逆變器 IGBT
IGBT應(yīng)用設(shè)計(jì)全面剖析
- 如何做好IGBT的保護(hù)眾所周知,IGBT是一種用MOS來(lái)控制晶體管的新型電力電子器件,具有電壓高、電流大、頻率...
- 關(guān)鍵字: IGBT 應(yīng)用設(shè)計(jì)
IGBT使用和設(shè)計(jì)新方法
- IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種典型的雙極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù),將功率MOSFET和功...
- 關(guān)鍵字: IGBT 使用 設(shè)計(jì)
IGBT基礎(chǔ)知識(shí)梳理
- 有關(guān)IGBT你了解多少,IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)...
- 關(guān)鍵字: IGBT 基礎(chǔ)知識(shí)
IGBT實(shí)用的驅(qū)動(dòng)電路及細(xì)節(jié)設(shè)計(jì)
- 1.IGBT的模型IGBT的模型在教科書(shū)上能找到,其柵極G,相當(dāng)于一個(gè)數(shù)納法(nF)的小電容(暫時(shí)這樣認(rèn)為),這與MOS...
- 關(guān)鍵字: IGBT 驅(qū)動(dòng)電路 細(xì)節(jié)設(shè)計(jì)
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