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IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護設(shè)計方法詳解
- IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護設(shè)計方法詳解-GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點，具有好的特性。80年代中期問世以來，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場，中小功率電力電子設(shè)備的主導器件。
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IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法
- IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法- IGBT就是一個開關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時IGBT導通，柵源極不加電壓或者是加負壓時，IGBT關(guān)斷，加負壓就是為了可靠關(guān)斷。
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新型功率半導體器件及應(yīng)用創(chuàng)新中心成立
- “新型功率半導體器件及應(yīng)用創(chuàng)新中心的成立，將推動形成‘技術(shù)創(chuàng)新—轉(zhuǎn)化—規(guī)?；瘧?yīng)用—投資再創(chuàng)新’的閉環(huán)，推動創(chuàng)新成果在先進軌道交通、智能電網(wǎng)、消費電子、電動汽車等重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。”日前，在湖南株洲召開的“湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對接會”上，中國工程院院士、中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長丁榮軍說。 新型功率半導體是關(guān)系國民經(jīng)濟命脈的共性關(guān)鍵技術(shù)，涉及先進軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電
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給世界一顆“中國芯”
- 一個國家老工業(yè)城市如何在新時期取得成功? 美國硅谷的經(jīng)驗值得我們借鑒。第三次科技革命以來，硅谷不斷創(chuàng)造和孕育出世界上最偉大的公司，并不斷匯聚世界各地的人才、技術(shù)和資本，歷經(jīng)歲月變遷而始終屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的創(chuàng)新覆蓋了很多領(lǐng)域(互聯(lián)網(wǎng)、通信、生物制藥、電動汽車等)，以至于很難講它的支柱產(chǎn)業(yè)是什么。 硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心競爭力——創(chuàng)新。 如今，中國內(nèi)陸的老工業(yè)基地株洲，也開始了基于創(chuàng)新的城市全方位轉(zhuǎn)型升級。這座素有“動力之都
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東芝推出具有2.5A峰值輸出電流、采用低高度封裝的柵極驅(qū)動光電耦合器
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅(qū)動光電耦合器“TLP5832”。該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅(qū)動中級IGBT。出貨即日啟動?！ ⌒翴C采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8(LF1選項)封裝的現(xiàn)有產(chǎn)品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時有助于實現(xiàn)芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應(yīng)用。 此外，該新型柵極驅(qū)動光電耦合器可在–40至+110
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