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            PMC完成對IDT閃存控制器業(yè)務(wù)的收購

            • 引領(lǐng)大數(shù)據(jù)連接、傳送以及存儲,提供創(chuàng)新半導(dǎo)體解決方案的PMC?公司(納斯達(dá)克代碼:PMCS)日前宣布已經(jīng)完成對IDT?公司(納斯達(dá)克代碼:IDT)企業(yè)級閃存控制器事業(yè)部的收購,其中包括購入全球首款符合標(biāo)準(zhǔn)的NVMe閃存控制器。PMC公司憑借此次收購在迅速增長的企業(yè)級SSD市場中成為領(lǐng)導(dǎo)者。
            • 關(guān)鍵字: PMC  IDT  閃存控制器  SSD  

            PMC并購IDT公司贏取市場先機確立閃存領(lǐng)導(dǎo)地位

            • 大數(shù)據(jù)時代下能夠減少延遲、增加帶寬和降低存儲成本的技術(shù)將受到格外的重視,其中最為重要的就是閃存技術(shù)的出現(xiàn)和普及。而基于閃存技術(shù)的SSD相較硬盤,可將I/O性能提升近2000倍,同時降低延遲至百分之一以下,并大幅提升帶寬。
            • 關(guān)鍵字: PMC  閃存  IDT  控制器  

            IDT推出創(chuàng)新的電源管理解決方案

            • IDT 公司 (Integrated Device Technology, Inc)日前宣布,開發(fā)并驗證了一款智能的、可擴展的和分布式電源管理解決方案,應(yīng)用于英特爾? 凌動? 處理器、英特爾? 至強? 處理器和英特爾? 酷睿?處理器。IDT 創(chuàng)新的電源管理解決方用單顆電源管理IC(PMIC)滿足各種基于英特爾處理器應(yīng)用的跨平臺電源要求。IDT 的專有解決方案已通過系統(tǒng)級驗證,可支持上述處理器系列。 
            • 關(guān)鍵字: IDT  英特爾  IDTP9145  處理器  

            磁感應(yīng)或磁共振,哪個更適合于無線充電?

            • 摘要:磁感應(yīng)與磁共振是目前最主要的兩種無線充電技術(shù),本文分析各種技術(shù)的優(yōu)缺點。
            • 關(guān)鍵字: IDT  磁感應(yīng)  磁共振  201306  

            IDT推出首款兼容WPC和PMA標(biāo)準(zhǔn)的雙模無線電源接收器IC

            • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT? 公司(Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前宣布,推出業(yè)界首款雙模無線電源接收器IC,同時兼容無線充電聯(lián)盟 (Wireless Power Consortium,WPC) 和PMA聯(lián)盟 (Power Matters Alliance,PMA) 標(biāo)準(zhǔn)。
            • 關(guān)鍵字: IDT  無線電源  IDTP9021  接收器  

            IDT推出業(yè)界最低抖動MEMS振蕩器

            • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出業(yè)界首款差異化MEMS振蕩器,具有100飛秒(fs)典型相位抖動性能和集成的頻率裕量設(shè)定能力。
            • 關(guān)鍵字: IDT  振蕩器  MEMS  

            IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器

            • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)兼容封裝尺寸內(nèi)的可配置輸出,從而節(jié)省通信、網(wǎng)絡(luò)、存儲、工業(yè)和FPGA等應(yīng)用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
            • 關(guān)鍵字: IDT  MEMS振蕩器  CMOS  

            IDT推出業(yè)界首款低功率雙通道16位DAC

            • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前發(fā)布業(yè)界首款低功率雙通道 16 位、具備 JESD204B 的數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC),該器件適用于多載波寬帶無線應(yīng)用。
            • 關(guān)鍵字: IDT  DAC  JESD204B  

            IDT推出業(yè)界最低功率DDR3-1866內(nèi)存緩沖芯片

            • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,可在高達(dá) 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。
            • 關(guān)鍵字: IDT  DDR3  LRDIMM  

            IDT公司推出業(yè)界首款低功率內(nèi)存緩沖芯片

            •   擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,可在高達(dá) 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過提升 DDR3 減少負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊 (LRDIMM) 的最高數(shù)據(jù)傳輸速率,并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量,新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。IDT 的內(nèi)存緩沖芯片是用
            • 關(guān)鍵字: IDT  DDR3  模擬芯片  

            IDT一款新的推出數(shù)字步進衰減器

            • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前發(fā)布一款新的數(shù)字步進衰減器(DSA),在多種標(biāo)準(zhǔn)的 4G、3G 和 2G 蜂窩基站以及工業(yè)應(yīng)用中,該產(chǎn)品在最高有效位(MSB)轉(zhuǎn)換時,可將瞬態(tài)毛刺降低多達(dá)95%。
            • 關(guān)鍵字: IDT  DSA  

            運算放大器(OP-AMP)振蕩器電路圖解析

            • 這是運算放大器(OP - AMP)振蕩器電路。該電路一定的優(yōu)勢,他們是這個電路可以是在低操作頻率與相對較小的電容,隨著緩沖輸出一個完全的對稱輸出波形和它會總是自啟動,并可以不掛起來,因為那里是少DC積極比負(fù)反饋的
            • 關(guān)鍵字: OP-AMP  運算放大器  圖解  振蕩器電路    

            RapidIO的應(yīng)用與未來

            •   在嵌入式設(shè)計中,RapidIO是一個重要的、并得到廣泛應(yīng)用的接口標(biāo)準(zhǔn)。帶著對RapidIO的技術(shù)本身及其未來前景的疑問,筆者借RTA年會的機會專訪了據(jù)RapidIO行業(yè)協(xié)會創(chuàng)始人兼執(zhí)行董事Sam Fuller先生。 RapidIO行業(yè)協(xié)會創(chuàng)始人兼執(zhí)行董事Sam Fuller先生   RapidIO行業(yè)協(xié)會誕生于2000年,其主要目標(biāo)是為嵌入式系統(tǒng)開發(fā)可靠的、 高性能、 基于包交換的互連技術(shù),2001年正式發(fā)表了第一代RapidIO基本規(guī)范,到現(xiàn)在已發(fā)布RapidIO 2.2正式規(guī)范,第三的規(guī)范
            • 關(guān)鍵字: RapidIO  IDT  PCIe  

            高通公司選擇IDT開發(fā)集成接收器芯片

            • 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)和美國高通公司(Qualcomm Incorporated, NASDAQ: QCOM)宣布,兩家公司已經(jīng)展開合作,促成IDT在高通WiPower?技術(shù)基礎(chǔ)上開發(fā)用于消費電子設(shè)備的一款集成電路(IC)。
            • 關(guān)鍵字: IDT  高通  WiPower  

            Altera推出Serial RapidIO IP內(nèi)核

            • Altera公司 (NASDAQ: ALTR)日前宣布,開始提供新的Serial RapidIO? Gen2 MegaCore?功能知識產(chǎn)權(quán)(IP),滿足全球通信基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)日益增長的帶寬需求。該IP新解決方案成功實現(xiàn)了所有硬件與最新Integrated Device Technology (IDT) RapidIO芯片的互操作性,并支持28 nm Altera Stratix? V FPGA,每通路工作速率高達(dá)6.25 Gbaud。
            • 關(guān)鍵字: Altera  IDT  嵌入式  FPGA  
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