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IDT推出首款高性能四頻MEMS振蕩器
- 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI)日前推出業(yè)界首款具備多同步輸出的高性能四頻MEMS振蕩器。IDT的最新振蕩器提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)兼容封裝尺寸內(nèi)的可配置輸出,從而節(jié)省通信、網(wǎng)絡(luò)、存儲、工業(yè)和FPGA等應(yīng)用中的電路板面積和物料清單 (BOM) 成本。
- 關(guān)鍵字: IDT MEMS振蕩器 CMOS
IDT公司推出業(yè)界首款低功率內(nèi)存緩沖芯片
- 擁有模擬和數(shù)字領(lǐng)域的優(yōu)勢技術(shù)、提供領(lǐng)先的混合信號半導(dǎo)體解決方案的供應(yīng)商 IDT?公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出業(yè)界首款低功率DDR3 內(nèi)存緩沖芯片,可在高達(dá) 1866 兆/秒 (MT/s) 的傳輸速率下運行。通過提升 DDR3 減少負(fù)載雙列直插內(nèi)存模塊 (LRDIMM) 的最高數(shù)據(jù)傳輸速率,并使系統(tǒng)制造商獲益于更高速度的內(nèi)存容量,新器件彰顯了IDT在內(nèi)存接口解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。IDT 的內(nèi)存緩沖芯片是用
- 關(guān)鍵字: IDT DDR3 模擬芯片
RapidIO的應(yīng)用與未來
- 在嵌入式設(shè)計中,RapidIO是一個重要的、并得到廣泛應(yīng)用的接口標(biāo)準(zhǔn)。帶著對RapidIO的技術(shù)本身及其未來前景的疑問,筆者借RTA年會的機會專訪了據(jù)RapidIO行業(yè)協(xié)會創(chuàng)始人兼執(zhí)行董事Sam Fuller先生。 RapidIO行業(yè)協(xié)會創(chuàng)始人兼執(zhí)行董事Sam Fuller先生 RapidIO行業(yè)協(xié)會誕生于2000年,其主要目標(biāo)是為嵌入式系統(tǒng)開發(fā)可靠的、 高性能、 基于包交換的互連技術(shù),2001年正式發(fā)表了第一代RapidIO基本規(guī)范,到現(xiàn)在已發(fā)布RapidIO 2.2正式規(guī)范,第三的規(guī)范
- 關(guān)鍵字: RapidIO IDT PCIe
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