high-power 文章進(jìn)入high-power技術(shù)社區(qū)

Power Integrations推出創(chuàng)新離線式開關(guān)LinkZero-AX

　　用于高能效電源轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司今日推出集成離線式開關(guān)IC - LinkZero-AX，新器件能使設(shè)計(jì)師設(shè)計(jì)出零瓦待機(jī)功耗的輔助電源。LinkZero-AX采用創(chuàng)新的斷電模式，可在最終產(chǎn)品閑置時(shí)有效關(guān)斷輔助電源。
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POWER PCB內(nèi)電層分割及鋪銅

　　PCB新手看過來]POWER PCB內(nèi)層屬性設(shè)置與內(nèi)電層分割及鋪銅　　看到很多網(wǎng)友提出的關(guān)于POWER PCB內(nèi)層正負(fù)片設(shè)置和內(nèi)電層分割以及鋪銅方面的問題，說明的帖子很多，不過都沒有一個(gè)很系統(tǒng)的講解。今天抽空把這些東西
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IBM為Power芯片設(shè)計(jì)無電源“深休眠”模式

　　IBM正在為Power處理器開發(fā)一種深休眠模式，該模式可以讓芯片在空閑時(shí)幾乎不耗費(fèi)能源。IBM的Power7芯片已經(jīng)有三種休眠模式，分別為 nap，sleep和heavy sleep。這三種模式是否執(zhí)行或執(zhí)行哪種方式由當(dāng)時(shí)處理器的負(fù)載和某應(yīng)用程序能容忍多大的延遲來決定。　　這種新的休眠模式會(huì)幾乎完整的切斷處理器的電源，同理，從該模式恢復(fù)過來的時(shí)間也比較長(zhǎng)，大約10到20毫秒。　　IBM已將這種模式定名為“Winkle”。但哪款芯片將采用新的休眠模式還未可知，官方也沒有更
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Derive simple high-current source from lab sup

Comprising a standard Force-Sense lab power supply, an additional power supply for the ICs, and a separate control voltage, this adjustable current source provides a 1-to-1 ratio of control voltage to
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制作High-end A4監(jiān)聽音箱的方法

一、設(shè)計(jì)及制作
由于普通家庭室．內(nèi)空間不夠?qū)挸?，要求音箱做得盡可能小巧一些，擺放在室內(nèi)不致引人注意。然而，音箱的效率no與箱體容積VB和低頻-3d8滾降點(diǎn)f3有以下關(guān)系：
no＝kn?f33?VB
上式中，kn是箱體系數(shù)，
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Vishay幫助客戶進(jìn)一步了解Vishay Dale電阻技術(shù)的先進(jìn)性

Vishay在官方網(wǎng)站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應(yīng)用在定制產(chǎn)品中的解決方案的視頻介紹賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術(shù)用于定制產(chǎn)品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網(wǎng)站(http://www.vishay.com)新增加了一個(gè)介紹Power Metal Stri
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IBM公司介紹新款多功能處理器Wire-Speed Power

　　在近日舉辦的國(guó)際固態(tài)電路研討會(huì)ISSCC上，IBM公司介紹了一種定位介于服務(wù)器處理器和網(wǎng)絡(luò)用處理器之間的新型處理器，他們將這種處理器命名為 Wire-Speed Power處理器，這種處理器據(jù)IBM公司稱是面向新的系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品市場(chǎng)推出的，其應(yīng)用領(lǐng)域包括網(wǎng)絡(luò)邊緣設(shè)備，服務(wù)器智能化I/O以及分布式運(yùn)算等。　　IBM公司負(fù)責(zé)wire-speed架構(gòu)設(shè)計(jì)的首席設(shè)計(jì)師Charlie Johnson表示：“我認(rèn)為這款產(chǎn)品是IBM有史以來開發(fā)的最復(fù)雜的產(chǎn)品。”IBM方面展示的有關(guān)介紹文件稱
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ADI助力Northern Power Systems的風(fēng)輪機(jī)設(shè)計(jì)

隨著傳統(tǒng)燃料生產(chǎn)和消耗所導(dǎo)致的環(huán)境和經(jīng)濟(jì)問題與日俱增，清潔的可再生能源市場(chǎng)應(yīng)運(yùn)而生。作為一種彌補(bǔ)石油、...
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XP Power推出低功率絕緣隔離DC/DC轉(zhuǎn)換器JHM系列

　　XP Power 正式宣布推出超緊湊低功率絕緣隔離DC/DC 轉(zhuǎn)換器JHM系列。該系列可選3W和6W的插件式安裝，封裝符合工業(yè)DIP-24引腳標(biāo)準(zhǔn)，并且符合國(guó)際醫(yī)療設(shè)備需要滿足的UL / IEC 60601-1 和 CSA-C22.2 No 601.1安規(guī)認(rèn)證。該產(chǎn)品提供3000VAC輸入至輸出絕緣一分鐘，可滿足BF和CF應(yīng)用所需要的次級(jí)絕緣要求，5000VAC絕緣可達(dá)10毫秒，可滿足心臟手術(shù)設(shè)備應(yīng)用。任何病人需要接觸到的醫(yī)療器械都需要提供危險(xiǎn)電壓的絕緣保護(hù)并且到達(dá)到低漏電流的標(biāo)準(zhǔn)。JHM系列漏電流僅
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“PAC 2009 China”金秋十月北京登場(chǎng)

　　由Power.org 主辦的 Power Architecture Conference(PAC2009)盛會(huì)將再次回到中國(guó)，大會(huì)將于10月14日在北京·柏悅酒店召開。會(huì)議將聚焦多用途的Power架構(gòu)技術(shù)平臺(tái)以及它繁茂而充滿生機(jī)的生態(tài)系統(tǒng)。本次大會(huì)將亮相基于Power 架構(gòu)的最新產(chǎn)品和解決方案以及來自Power.org的倡議，會(huì)議組織方還邀請(qǐng)了業(yè)界頂尖的專家做主題演講并展開討論和交流。　　當(dāng)今世界日新月異，根據(jù)需求不斷創(chuàng)新已經(jīng)成為時(shí)代發(fā)展的必然。Power Architecture
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半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)研發(fā)經(jīng)費(fèi)拮據(jù)　聯(lián)盟關(guān)系將成救星

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner警告，半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的研發(fā)預(yù)算恐怕在接下來的五年內(nèi)大幅削減80億美元，使該產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域陷入危機(jī)。不過該機(jī)構(gòu)資深分析師Dean Freeman也表示，研發(fā)聯(lián)盟的興起將成為救星。　　缺乏適當(dāng)?shù)耐顿Y將導(dǎo)致技術(shù)藍(lán)圖延遲，而且公司恐怕無法做好迎接未來挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備;在目前營(yíng)收低迷的情況下，半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)正面臨著如此的危機(jī)點(diǎn)。不過Freeman卻認(rèn)為，在這一輪不景氣中最大的不同，就是在過去十年來有不少產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟的建立，而這些結(jié)盟關(guān)系在某些程度上減輕了業(yè)者因營(yíng)收減少對(duì)研發(fā)所帶來的沖擊。　　Fr
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NXP推出N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品

　　恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors，由飛利浦創(chuàng)立的獨(dú)立半導(dǎo)體公司)今日宣布推出全球首款N通道、1毫歐以下25V MOSFET產(chǎn)品，型號(hào)為PSMN1R2-25YL，它擁有最低的導(dǎo)通電阻RDSon以及一流的FOM 參數(shù)。該產(chǎn)品是迄今為止采用Power-SO8封裝(無損耗封裝：LFPAK)中擁有最低導(dǎo)通電阻RDSon的MOSFET，也是恩智浦現(xiàn)有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power-S08 LFPAK封裝與最新Trench 6硅技術(shù)于一體，可在各種嚴(yán)苛應(yīng)用條件下
關(guān)鍵字： NXP MOSFET PSMN1R2-25YL Power-SO8

臺(tái)灣晶圓廠選擇 ASM 提供 High-k ALD工具

　　ASM International N.V. 宣布一家臺(tái)灣晶圓廠為其28 納米節(jié)點(diǎn)high-k 閘極介電層量產(chǎn)制程選擇ASM的Pulsar原子層沉積技術(shù)(ALD)工具。　　除此之外，此家晶圓廠也將與ASM針對(duì)最新世代的high-k閘極技術(shù)進(jìn)行制程開發(fā)活動(dòng)。 ASM 在2009年第2季將針對(duì)進(jìn)階節(jié)點(diǎn)開發(fā)計(jì)劃提供額外的 Pulsar 制程模塊。該晶圓廠在過去4年也使用ASM的ALD high-K和金屬閘極設(shè)備來開發(fā)其以鉿基材料為基礎(chǔ)的high-k 閘極制程。　　納米節(jié)點(diǎn)上實(shí)現(xiàn)成功的high-K制程
關(guān)鍵字： ASM high-k 晶圓

新型節(jié)能照明電源的控制技術(shù)(07-100)

　　用于建筑照明方面的電力管理解決辦法，如電感熒光燈，電子熒光燈，緊湊型熒光燈(CFL)，鹵素?zé)艨刂萍呻娐芬约案邏簹怏w放電燈(H1D)技術(shù)等, 用于范圍寬廣的居民區(qū)、商業(yè)和汽車中，減少了它們所需要的電力,在節(jié)能方面向前邁進(jìn)了巨大的一步。其控制集成電路中的自適應(yīng)控制技術(shù)和高電壓半導(dǎo)體結(jié)隔離技術(shù)是其中的一部分,獲得了廣泛應(yīng)用。
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Power 推出IC系列新品LNK632DG器件

Power Integrations為L(zhǎng)inkSwitch-II初級(jí)側(cè)控制離線式開關(guān)IC系列再添新品　　用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司宣布推出LNK632DG器件，為其廣受歡迎的LinkSwitch-II產(chǎn)品系列再添新品。新器件針對(duì)最高輸出功率3.1 W的電源應(yīng)用而設(shè)計(jì)，使制造商能夠滿足包括能源之星â EPS v2.0在內(nèi)的全球所有的低功率
關(guān)鍵字： Power IC 離線式