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三星將于今年下半年開始批量生產(chǎn)HBM芯片
- AI服務(wù)器需求，帶動HBM提升，繼HanmiSemiconductor之后，又有一存儲大廠在加速HBM布局。據(jù)韓媒《TheKoreaTimes》6月27日報道，三星電子將于今年下半年開始批量生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片，以滿足持續(xù)增長的人工智能（AI）市場。根據(jù)報道，三星將量產(chǎn)16GB、24GB的HBM3存儲芯片，這些產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理速度可達到6.4Gbps，有助于提高服務(wù)器的學(xué)習(xí)計算速度。三星執(zhí)行副總裁Kim Jae-joon在4月份的電話會議上表示，該公司計劃在今年下半年推出下一代HBM3P產(chǎn)品，以滿
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AI大勢！GPU訂單排到明年、HBM與先進封裝需求大漲
- 2023年ChatGPT引發(fā)的AI熱潮仍在繼續(xù)，近期媒體報道，今年擁有云端相關(guān)業(yè)務(wù)的企業(yè)，大多都向英偉達采購了大量GPU，目前該公司訂單已排至2024年。同時，由于英偉達大量急單涌入，晶圓代工企業(yè)臺積電也從中受益。據(jù)悉，英偉達正向臺積電緊急追單，這也令臺積電5納米制程產(chǎn)能利用率推高至接近滿載。臺積電正以超級急件（superhotrun）生產(chǎn)英偉達H100、A100等產(chǎn)品，而且訂單排至年底。業(yè)界認為，隨著ChatGPT等AIGC（生成式人工智能）快速發(fā)展，未來市場對GPU的需求將不斷上升，并將帶動HBM以及
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英特爾至強CPU Max系列：整合高帶寬內(nèi)存（HBM）和至強處理器內(nèi)核
- 治療癌癥、減緩全球變暖、保護生態(tài)健康——當(dāng)今世界充滿了各種挑戰(zhàn)。因此，通過科技緊跟時代發(fā)展步伐，并充分利用不斷增長的數(shù)據(jù)至關(guān)重要。這不僅涉及數(shù)據(jù)的處理速度，也涉及能夠處理的海量數(shù)據(jù)，以及數(shù)據(jù)在內(nèi)存和處理器之間的傳輸速度。 英特爾設(shè)計工程部首席工程師、英特爾?至強? CPU Max系列（代號Sapphire Rapids HBM）首席架構(gòu)師Ugonna Echeruo如此描述這一挑戰(zhàn)：究其根本，一顆CPU是從內(nèi)存獲取信息、對其進行處理并更新。CPU最終可以處理的信息量受限于數(shù)據(jù)傳輸“管道”的寬窄。
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AI服務(wù)器需求帶動HBM供應(yīng)
- AI服務(wù)器出貨動能強勁帶動HBM（high bandwidth memory）需求提升，據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士（SK hynix）50%、三星（Samsung）約40%、美光（Micron）約10%。此外，高階深度學(xué)習(xí)AI GPU的規(guī)格也刺激HBM產(chǎn)品更迭，2023下半年伴隨NVIDIA H100與AMD MI300的搭載，三大原廠也已規(guī)劃相對應(yīng)規(guī)格HBM3的量產(chǎn)。因此，在今年將有更多客戶導(dǎo)入HBM3的預(yù)期下，SK海力士作為目
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速度優(yōu)勢是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵
- 高帶寬存儲器（HBM, High Bandwidth Memory）是一種可以實現(xiàn)高帶寬的高附加值DRAM產(chǎn)品，適用于超級計算機、AI加速器等對性能要求較高的計算系統(tǒng)。隨著計算技術(shù)的發(fā)展，機器學(xué)習(xí)的應(yīng)用日漸廣泛，而機器學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)是自20世紀80年代以來一直作為研究熱點的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。作為速度最快的DRAM產(chǎn)品，HBM在克服計算技術(shù)的局限性方面發(fā)揮著關(guān)鍵的作用。HBM的高帶寬離不開各種基礎(chǔ)技術(shù)和先進設(shè)計工藝的支持。由于HBM是在3D結(jié)構(gòu)中將一個邏輯die與4-16個DRAM die堆疊在一起，因此開發(fā)過
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漢高電子材料攜創(chuàng)新解決方案亮相SEMICON China 2020
- 2020年6月28日，半導(dǎo)體和電子行業(yè)的年度盛會SEMICON China在上海隆重舉行。全球粘合劑市場的領(lǐng)先者漢高再次亮相此次展會，粘合劑技術(shù)電子材料業(yè)務(wù)在展會期間全方位展示了應(yīng)用于先進封裝、存儲器和攝像頭模組等領(lǐng)域的創(chuàng)新產(chǎn)品和解決方案。先進封裝目前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于一段轉(zhuǎn)折期，數(shù)據(jù)爆炸性增長推動了以數(shù)據(jù)為中心的服務(wù)器、客戶端、移動和邊緣計算等架構(gòu)對高性能計算的需求，對5G部署、手持設(shè)備封裝中小型化和集成的持續(xù)需求，這些趨勢推動了先進封裝逐步進入成熟期。當(dāng)前半導(dǎo)體和封裝技術(shù)快速發(fā)展，對于芯片與電子產(chǎn)
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三星主攻HBM、英特爾集中eDRAM 跳脫存儲器頻寬限制
- 挹注次世代存儲器半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)投資的三星電子(Samsung Electronics)和英特爾(Intel)為打破存儲器業(yè)界最大議題頻寬(bandwith)的上限，正各自尋找解決方法。三星專注于研發(fā)高頻寬存儲器(HBM)和次世代SRAM技術(shù)，英特爾則正在研發(fā)嵌入式DRAM(eDRAM)。 據(jù)Digital Times報導(dǎo)，英特爾預(yù)計2017年推出的次世代芯片Kaby Lake，將采用14納米FinFET制程，搭載較Skylake容量增加2倍的256MB的eDRAM。eDRAM不同于一般DRAM，
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NV使用HBM芯片或由海力士和三星共同提供
- 除了在存儲市場上作為老牌廠商的SK海力士之后，韓系的另外一個存儲巨頭的三星也進入了HBM存儲芯片市場，并且開始在2016年第一季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。而有消息稱SK海力士以及三星將為NVIDIA的帕斯卡系列GPU生產(chǎn)第二代HBM芯片。 業(yè)內(nèi)人士指出，無論是三星電子還是SK海力士都正在計劃為NVIDIA下一代圖形顯卡帕斯卡生產(chǎn)第二代高帶寬顯存芯片，而實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的時間預(yù)計在2016年的第一季度，但在這之前的試產(chǎn)以及生產(chǎn)的可靠性測試已經(jīng)由SK海力
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HBM顯存最大勁敵：美光明年上三代HMC
- 作為最老資歷的PC組成部件，內(nèi)存及內(nèi)存存儲體系已經(jīng)擁有了幾十年的歷史，其漫長的發(fā)展過程曾伴隨數(shù)次重要的變革，但縱觀這些變革，無論是從FP到EDO還是從SD到DDR，在意義上均無法與即將發(fā)生的這場革命相提并論，這場革命的名字，叫堆疊內(nèi)存。 目前，按照堆疊方式及位置的不同，堆疊內(nèi)存體系可以被分為2.5D和3D兩種存在形式。而又因為內(nèi)存還依標(biāo)準不同還劃分成了兩大陣營，分別是海力士+AMD支持的HBM(High Bandwidth Memory)以及Intel支持、鎂光/三星
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付出正確的電路保護費
- 摘要：本文通過采用合適的過電流和過電壓保護元件，生產(chǎn)商可保證其產(chǎn)品成為用戶生活不可或缺的一部分。選擇正確的保護元件也保證了各應(yīng)用產(chǎn)品符合安全和功能因素相關(guān)的規(guī)章條例的要求。 許多用戶都沒有意識到他們自己每天在使用的電子設(shè)備存在著最大的風(fēng)險。電路保護是所有電子設(shè)備必有的特性——不論是車載、家用或是工用電子設(shè)備——因為只要人體接觸含敏感電子半導(dǎo)體的器件，就會出現(xiàn)ESD(靜電放電)現(xiàn)象。 如果周圍的空氣特別干燥，比如天氣正好非常炎熱或非常寒冷，剛把
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