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臺積電宣布驚人之舉 28nm制程節(jié)點將轉(zhuǎn)向Gate-last工藝
- 去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺積電公司忽然作了一個驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結(jié)構(gòu)制程技術中采用Gate-last工藝。不過據(jù)臺積電負責技術研發(fā)的高級副總裁蔣尚義表示，臺積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們在蔣尚義的介紹中，了解臺積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關的實現(xiàn)計劃。 Gate-last是用于制作金屬柵極結(jié)構(gòu)的一種工藝技術，這種技術的特點是在對硅片進行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫
- 關鍵字： 臺積電 Gate-last 28nm
無須降壓電容的低零件成本LED Driver
- 特點－ 工作電壓范圍：5V~450V 支持四種調(diào)光方式：開關調(diào)光、脈沖信號(PWM)調(diào)光、DC調(diào)光（0~5V）、熱平衡調(diào)光。 多重保護功能：LED開路保護、LED短路保護、過電流保護、過溫度保護 支持隔離或非
- 關鍵字： 綠達 LED Driver
特許半導體四季度上馬32nm工藝 明年轉(zhuǎn)入28nm
- 新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進一步轉(zhuǎn)入28nm。 特許半導體很可能會在明天的技術論壇上公布32nm SOI工藝生產(chǎn)線的試運行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。 特許的28nm工藝并非獨立研發(fā)，而是在其所處的IBM技術聯(lián)盟中獲取的，將會使用高K金屬柵極(HKMG)技術以及Gate-first技術(Intel是Gate-last的堅定支持者)。 特許半導體2009年技術論壇將在臺灣新竹市
- 關鍵字： 特許半導體 32nm 28nm Gate-first
LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)
- LCD Driver IC 測試方法及其對測試系統(tǒng)提出的挑戰(zhàn)LCD顯示器件在中國已有二十多年的發(fā)展歷程，已經(jīng)從最初的以數(shù)字顯示為主轉(zhuǎn)變?yōu)橐渣c陣字符、圖形顯示為主。LCD顯示設備以其低電壓驅(qū)動、微小功耗、能夠與CMOS電路和LSI直接匹配、具有極薄的扁平結(jié)構(gòu)、可以在極亮的環(huán)境光下使用、工藝簡單等等特點成為了極有發(fā)展前景的顯示器件。 LCD顯示器件種類繁多、發(fā)展迅速，從種類到原理、從結(jié)構(gòu)到效應、從使用方式到應用范圍差異很大，從測試原理上來說也就會有一些不同，目前比較常用的是STN和TFT的LCD顯示器件。由
- 關鍵字： LCD Driver IC 液晶顯示 LCD
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