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CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
- 關鍵字： IGBT SiC GaN
Cree積極擴廠開發(fā)功率及射頻元件，GaN on SiC磊晶技術發(fā)展待觀察
- 全球SiC晶圓市場規(guī)模約為8千多億美元，SiC晶圓與GaN on SiC磊晶技術大廠Cree為求強化自身功率及射頻元件研發(fā)能力，決議2019年5月于美國總部北卡羅萊納州特勒姆市，擴建1座先進自動化8寸SiC晶圓生產(chǎn)工廠與1座材料超級工廠(Mega Factory)，期望借此擴建案，提升Cree在SiC晶圓上的生產(chǎn)尺寸與提升晶圓使用市占，并提供GaN on SiC先進磊晶技術進一步應用于功率及射頻元件中。
- 關鍵字： Cree 射頻 GaN on SiC磊晶技術
支持瓦特到千瓦級應用的氮化鎵技術
- 兩年多前，德州儀器宣布推出首款600V氮化鎵（GaN）功率器件。該器件不僅為工程師提供了功率密度和效率，且易于設計，帶集成柵極驅(qū)動和穩(wěn)健的器件保護。從那時起，我們就致力于利用這項尖端技術將功率級盡可能提高（和降低）。氮化鎵在任何功率級別都很關鍵。工程師正努力提高切換速度、效率和可靠性，同時減小尺寸、重量和元件數(shù)量。從歷來經(jīng)驗來看，您必須至少對其中的部分因素進行權衡，但德州儀器正通過所有這些優(yōu)勢實現(xiàn)設計，同時通過在一個封裝中進行復雜集成來節(jié)省系統(tǒng)級成本，并減少電路板元件數(shù)量。從將PC適配器的尺寸減半，到為并
- 關鍵字： 德州儀器 600V氮化鎵（GaN）功率器件
MACOM和意法半導體攜手合作提高硅基GaN產(chǎn)能，支持5G無線網(wǎng)絡建設
- MACOM Technology Solutions Holdings公司(納斯達克股票代碼:MTSI) (以下簡稱“MACOM”)和意法半導體(紐約證券交易所股票代碼:STM))(以下簡稱“ST”)于25日宣布，將在2019年擴大ST工廠150mm 硅基GaN的產(chǎn)能，200mm硅基GaN按需擴產(chǎn)。該擴產(chǎn)計劃旨在支持全球5G電信網(wǎng)建設，基于2018年初 MACOM和ST宣布達成的廣泛的硅基GaN協(xié)議。 隨著全球推出5G網(wǎng)絡并轉(zhuǎn)向大規(guī)模MIMO(M-MIMO)天線配置，射頻RF功率產(chǎn)品需求預計
- 關鍵字： MACOM GaN
盤點2018年全球電子產(chǎn)業(yè)最具代表性的十大“黑科技”
- 今年整個產(chǎn)業(yè)在技術上也是節(jié)節(jié)攀升，2018年可以說是產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的一年，全球電子產(chǎn)業(yè)也產(chǎn)生了眾多技術突破。
- 關鍵字： 芯片，GaN
第三代半導體又有新成員？氧化鎵有什么優(yōu)點？
- 目前，以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導體受到的關注度越來越高，它們在未來的大功率、高溫、高壓應用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應用領域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面，會有非常廣闊的發(fā)展前景?！ ∪欢琒iC和GaN并不是終點，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導體在更高功率的應用方面具有獨特優(yōu)勢。因此，近幾年關于氧化鎵的研究又熱了起來?！ 嶋H上，氧化鎵并不是很新的技術，多年前就
- 關鍵字： 半導體 SiC GaN
尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術給機器人、可再生能源和電信等領域帶來革新
- 從“磚頭”手機到笨重的電視機，電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當大的空間，而且市場對更高功率密度的需求仍是有增無減?！ 」桦娫醇夹g領域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應用的尺寸，但卻很難更進一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對于即將推出的5G無線網(wǎng)絡，以及未來的機器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術，功率都是一個至關重要的因素?！ 肮こ處煬F(xiàn)在處于一個非常尷尬的境地，一方面他們無法在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時又不希望增大設備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Behe
- 關鍵字： GaN，機器人
當今的射頻半導體格局正在發(fā)生變化 - 為什么？
- 當今的半導體行業(yè)正在經(jīng)歷翻天覆地的變化，這主要是由于終端市場需求變化和重大整合引起。幾十年前，業(yè)內(nèi)有許多家射頻公司，它們多半活躍于相同的市場，如今這種局面已被全新的市場格局所取代 - 有多個新興市場出現(xiàn)，多家硅谷公司與傳統(tǒng)芯片制造商進行重大兼并和收購。究竟有哪些因素推動著市場格局不斷變化? 哪些因素在推動變革? 半導體行業(yè)格局的變化從根本上由兩個要求驅(qū)動：對無所不在的傳感和連接的需求。無論人們身處世界的哪個位置，無論在家中還是在工作場所，都希望能夠安全、有效地與他人溝通交流。市場不再僅僅滿足蜂窩手
- 關鍵字： 射頻半導體 GaN
德州儀器新型即用型600V氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)功率級產(chǎn)品組合可支持高達10kW的應用
- 德州儀器(TI)近日宣布推出支持高達10kW應用的新型即用型600 V氮化鎵(GaN)，50mΩ和70mΩ功率級產(chǎn)品組合。與AC/DC電源、機器人、可再生能源、電網(wǎng)基礎設施、電信和個人電子應用中的硅場效應晶體管(FET)相比，LMG341x系列使設計人員能夠創(chuàng)建更小、更高效和更高性能的設計?！ 〉轮輧x器的GaN FET器件系列產(chǎn)品通過集成獨特的功能和保護特性，來實現(xiàn)簡化設計，達到更高的系統(tǒng)可靠性和優(yōu)化高壓電源的性能，為傳統(tǒng)級聯(lián)和獨立的GaN FET提供了智能替代解決方案。通過集成的<100ns電
- 關鍵字： 德州儀器 GaN
SiC和GaN系統(tǒng)設計工程師不再迷茫
- SiC和GaN MOSFET技術的出現(xiàn)，正推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提高了多個百分點，而這在幾年前是不可想象的?！ ≡诂F(xiàn)實世界中，沒有理想的開關特性。但基于新材料、擁有超低開關損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn)，既能實現(xiàn)低開關損耗，又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換，并支持超快速開關頻率，使得這些新技術既成就了DC/DC轉(zhuǎn)換器設計工程師的美夢，但同時也變成了他們的惡夢。 比如一名設計工程師正在開發(fā)功率轉(zhuǎn)換應用，如逆變器或馬達驅(qū)動控制器，或者正在設
- 關鍵字： SiC GaN
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