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e絡(luò)盟達(dá)成新分銷合作,開(kāi)售Piera Systems系列
- 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟近日宣布與Piera Systems簽署全球分銷協(xié)議。通過(guò)這項(xiàng)協(xié)議，e絡(luò)盟將為全球客戶供應(yīng)Piera Systems的IPS系列高精度智能顆粒傳感器。該系列傳感器具備豐富功能，能夠以更低成本帶來(lái)卓越的測(cè)量精度，且其設(shè)計(jì)可輕松實(shí)現(xiàn)集成，因而可廣泛部署于辦公室、醫(yī)院和學(xué)校等各種環(huán)境。當(dāng)前，世界各地都在全力以赴地解決疫情帶來(lái)的不良影響，并積極應(yīng)對(duì)氣候變化這一緊迫挑戰(zhàn)，這無(wú)疑促使人們?cè)絹?lái)越重視空氣質(zhì)量監(jiān)測(cè)。室內(nèi)空氣質(zhì)量對(duì)人類健康有著直接且重大的影響，可能造成生產(chǎn)效
- 關(guān)鍵字： e絡(luò)盟 Piera Systems
Solid Sands與Rapita Systems建立合作.致力于解決C++標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)的代碼覆蓋率分析需求
- Solid Sands和Rapita Systems宣布，兩家公司已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，以開(kāi)發(fā)改進(jìn)C++標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)的代碼覆蓋率分析中，傳統(tǒng)工具無(wú)法完全支援的部分。這次合作源于雙方共同客戶提出的針對(duì)C++標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)進(jìn)行大規(guī)模代碼覆蓋率分析的需求。通過(guò)雙方的交流，一致認(rèn)可了深化安全關(guān)鍵應(yīng)用市場(chǎng)的測(cè)試解決方案的可能性?！皳?jù)我們所知，我們是第一個(gè)嘗試對(duì)C++標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)進(jìn)行大規(guī)模覆蓋分析的公司?！盨olid Sands首席技術(shù)官M(fèi)arcel Beemster說(shuō)道?！霸谶@次分析中，我們發(fā)現(xiàn)C++標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)中有相當(dāng)大一部份是用于僅被
- 關(guān)鍵字： Solid Sands Rapita Systems C++標(biāo)準(zhǔn)庫(kù) 代碼覆蓋率分析
納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K
- 納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品，包含GaN驅(qū)動(dòng)NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K，均可廣泛適用于快充、儲(chǔ)能、服務(wù)器電源等多種GaN應(yīng)用場(chǎng)景。其中，NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動(dòng)芯片，專門(mén)用于驅(qū)動(dòng)E?mode（增強(qiáng)型）GaN 開(kāi)關(guān)管；NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品，內(nèi)部集成了高壓半橋驅(qū)動(dòng)器和兩顆650V耐壓的GaN開(kāi)關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性： 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅(qū)動(dòng)電流2A/-4A 03.&n
- 關(guān)鍵字： 納芯微 GaN
基于安森美半導(dǎo)體高頻率準(zhǔn)諧振NCP1342搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場(chǎng)對(duì)于高功率密度的需求也正日益增高。過(guò)去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。對(duì)于未來(lái)的5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來(lái)實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?產(chǎn)品實(shí)體圖?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
- 關(guān)鍵字： 安森美 NCP1342 PD QR 高頻率 GaN
四維圖新旗下杰發(fā)科技與IAR Systems達(dá)成戰(zhàn)略合作
- 中國(guó)上?！?022年12月27日——嵌入式開(kāi)發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR Systems宣布，其最新發(fā)布的IAR Embedded Workbench for Arm 9.32.1版本已全面支持四維圖新旗下杰發(fā)科技全系列車規(guī)級(jí)MCU芯片，幫助中國(guó)汽車行業(yè)開(kāi)發(fā)者打造強(qiáng)大的嵌入式開(kāi)發(fā)解決方案，助力汽車行業(yè)創(chuàng)新。雙方將基于協(xié)議共同建立合作伙伴聯(lián)盟，以期加速業(yè)務(wù)發(fā)展。圖：杰發(fā)科技與IAR Systems達(dá)成戰(zhàn)略合作IAR Embedded Workbench for Arm為杰發(fā)科技MCU芯片提供完整的開(kāi)發(fā)
- 關(guān)鍵字： 四維圖新 杰發(fā)科技 IAR Systems
基于安森美半導(dǎo)體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場(chǎng)對(duì)于高功率密度的需求也正日益增高。過(guò)去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無(wú)法在所需的頻率下輸出更高的功率。對(duì)于未來(lái)的5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來(lái)實(shí)現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場(chǎng)景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
- 關(guān)鍵字： 安森美 有源鉗位 NCP1568 GaN PD電源 適配器
世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案
- 安森美GAN_Fet驅(qū)動(dòng)方案(NCP51820)。 數(shù)十年來(lái)，硅來(lái)料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個(gè)狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開(kāi)始改變。由開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性。但問(wèn)題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢(shì)。作為解決方案出現(xiàn)的兩個(gè)化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器
- 關(guān)鍵字： NCP51820 安森美 半導(dǎo)體 電源供應(yīng)器 GaN MOS Driver
英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能
- 【2022年11月24日，德國(guó)慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動(dòng)和電池供電設(shè)備供電的主流標(biāo)準(zhǔn)。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標(biāo)準(zhǔn)中，擴(kuò)展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動(dòng)適配器和充電器市場(chǎng)發(fā)展的主要驅(qū)動(dòng)力。為了加速這一趨勢(shì)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數(shù)字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 PFC和混合反激式組合IC GaN USB-C EPR適配器
IAR Systems 與嘉楠科技達(dá)成合作，支持RISC-V內(nèi)核高精度AI芯片
- 中國(guó)上?！?022年11月23日——嵌入式開(kāi)發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR Systems 與領(lǐng)先的端側(cè) AI 芯片研發(fā)供應(yīng)商嘉楠科技 (NASDAQ: CAN) 今天共同宣布，IAR Systems 最新推出的 Embedded Workbench for RISC-V 3.11.1版本已支持嘉楠勘智K510芯片，助力開(kāi)發(fā)雙核RISC-V 64位 AI 端側(cè)推理芯片。IAR Embedded Workbench for RISC-V是一個(gè)完整的C/C++編譯器和調(diào)試器工具鏈，將嵌入式開(kāi)發(fā)者所需的一切
- 關(guān)鍵字： IAR Systems 嘉楠 RISC-V AI芯片
基于安森美半導(dǎo)體NCP1342驅(qū)動(dòng)GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案
- 此電源設(shè)計(jì)最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時(shí)輸出時(shí)，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導(dǎo)熱好！通標(biāo)變壓器設(shè)計(jì)，21V效率最高達(dá)到93%,驅(qū)動(dòng)與MOS均采用美國(guó)安森美半導(dǎo)體技術(shù)！?場(chǎng)景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構(gòu)，COST
- 關(guān)鍵字： 安森美 NCP1342 65W PD GAN 1A1C 超小尺寸PD
西門(mén)子收購(gòu) Avery Design Systems，進(jìn)一步擴(kuò)展集成電路驗(yàn)證解決方案
- · 此項(xiàng)收購(gòu)進(jìn)一步擴(kuò)展西門(mén)子企業(yè)級(jí)驗(yàn)證平臺(tái)，將 Avery Design Systems的驗(yàn)證協(xié)議和合規(guī)性測(cè)試套件產(chǎn)品添加至平臺(tái)之中?！?nbsp;客戶可以在仿真、硬件模擬和原型設(shè)計(jì)的周期內(nèi)利用西門(mén)子的驗(yàn)證方案優(yōu)化質(zhì)量并縮短上市時(shí)間。西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日簽署對(duì) Avery Design Systems 公司的收購(gòu)協(xié)議。Avery Design Systems 總部位于美國(guó)馬塞諸塞州的圖克斯伯里，是一家獨(dú)立于仿真的驗(yàn)證 IP 供應(yīng)商。收購(gòu)后 Avery Desig
- 關(guān)鍵字： 西門(mén)子 Avery Design Systems 集成電路驗(yàn)證
格芯獲得3000萬(wàn)美元政府基金研發(fā)GaN芯片
- 據(jù)外媒《NBC》報(bào)道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬(wàn)美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機(jī)、射頻無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱，電動(dòng)汽車的普及、電網(wǎng)升級(jí)改造以及5G、6G智能手機(jī)上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導(dǎo)體帶來(lái)需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
- 關(guān)鍵字： 格芯獲 GaN
IAR Systems RISC-V功能安全版開(kāi)發(fā)工具支持最新的SiFive汽車解決方案
- 嵌入式開(kāi)發(fā)軟件和服務(wù)的全球領(lǐng)導(dǎo)者 IAR Systems?持續(xù)為 SiFive 的 RISC-V 車用 CPU IP 提供解決方案：IAR Systems 旗下的 IAR Embedded Workbench? for RISC-V 支持最新的 SiFive 車用 E6-A 和 S7-A 產(chǎn)品系列，以滿足信息娛樂(lè)、連接和 ADAS 等汽車應(yīng)用的需求。IAR 的完整開(kāi)發(fā)工具鏈幫助 OEM 和供應(yīng)商的嵌入式軟件開(kāi)發(fā)人員充分利用 RISC-V 提供的能效、簡(jiǎn)單性、安全性和靈活性。由于 RISC-V 在所有產(chǎn)品中
- 關(guān)鍵字： IAR Systems RISC-V SiFive
GaN IC縮小電機(jī)驅(qū)動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、 機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的上市時(shí)間
- EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。該逆變器尺寸極小，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級(jí)GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達(dá)28 Apk(2
- 關(guān)鍵字： GaN IC 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開(kāi)發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的器
- 關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
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