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      ST已經(jīng)做好部署,準(zhǔn)備挖掘GaN的全部潛力

      • GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,以高頻、高壓等為特色。但長期以來,由于工藝、成本等因素制約,GaN還處于Si(硅)和SiC(碳化硅)應(yīng)用的夾縫之間。在新的一年里,GaN的市場前景將如何?GaN技術(shù)和應(yīng)用有何新突破?為此,本媒體邀請了部分GaN資深企業(yè),介紹一下GaN功率器件的新動向。
      • 關(guān)鍵字: 202201  GaN  

      IC PARK 年度盛事圓滿收官!業(yè)界翹楚云端論劍,引爆中國“芯”思潮

      • 12月10日,第五屆“芯動北京”中關(guān)村IC產(chǎn)業(yè)論壇、“華為杯”第四屆中國研究生創(chuàng)“芯”大賽決賽開幕式以線上云會議的方式召開。今年是“十四五”規(guī)劃開局之年,本次會議在北京市委書記蔡奇提出的“舉全市之力做大做強集成電路產(chǎn)業(yè)”指示精神的背景下,高度聚焦集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展,邀請了來自國內(nèi)外“政產(chǎn)學(xué)研用”領(lǐng)域嘉賓齊聚一堂,圍繞創(chuàng)“芯”機、育“芯”才等主題進行深入交流,探討當(dāng)前形勢下我國集成電路產(chǎn)業(yè)如何應(yīng)對挑戰(zhàn),共繪集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展新藍(lán)圖。 北京市委常委、副市長殷勇,中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會設(shè)計分會理事長魏少軍,創(chuàng)“芯”大賽
      • 關(guān)鍵字: IC PARK  芯動北京  

      GaN功率芯片走向成熟,納微GaNSense開啟智能集成時代

      • GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,以高頻、高壓等為特色。但是長期以來,在功率電源領(lǐng)域,處于常規(guī)的Si(硅)和熱門的SiC(碳化硅)應(yīng)用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場前景如何?GaN技術(shù)有何新突破?不久前,消費類GaN(氮化鎵)功率解決方案供應(yīng)商——納微半導(dǎo)體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片,采用了專利的GaNSense?技術(shù)。值此機會,電子產(chǎn)品世界的記者采訪了銷售營運總監(jiān)李銘釗、高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右:納微半導(dǎo)體級的高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、銷售營運總監(jiān)李銘
      • 關(guān)鍵字: GaN  集成  202201  

      蘋果證實:新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

      •   10月19日消息,據(jù)The Verge報道,蘋果公司向其證實,新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器?! ∨c傳統(tǒng)充電器相比,GaN充電器的更小、更輕,同時支持大功率?! 〈送?,蘋果公司還確認(rèn),140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標(biāo)準(zhǔn),這意味著該充電器可以為其他支持該標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備充電?! ⌒碌?40W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋果中國官網(wǎng)上架?! ∑渲校?40W USB-C電源適配器的價格為729元,USB-C轉(zhuǎn)MagSa
      • 關(guān)鍵字: 蘋果  電源適配器  GaN  充電器  

      碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來?

      • 以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段,Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn),第三代半導(dǎo)體確實具有更多的性能優(yōu)勢。
      • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  氮化鎵  GaN  寬禁帶  WBG  

      InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

      •   2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案,不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能,同時還能顯著減少BOM,非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計?! ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝,內(nèi)部集成
      • 關(guān)鍵字: PI  InnoSwitch?3-PD  GaN  

      TI推出全新GaN技術(shù),攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

      • TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計難題,降低總所有成本
      • 關(guān)鍵字: GAN  TI  電源供應(yīng)器  

      新思科技PrimeSim可靠性分析解決方案加速任務(wù)關(guān)鍵型IC設(shè)計超收斂

      • 經(jīng)晶圓廠認(rèn)證的全生命周期可靠性簽核有助于預(yù)防汽車、醫(yī)療和5G芯片設(shè)計中的過度設(shè)計和昂貴的后期ECO(工程變更指令) 要點: ?   經(jīng)過驗證的技術(shù)統(tǒng)一工作流程在整個產(chǎn)品生命周期內(nèi)提供符合ISO 26262等標(biāo)準(zhǔn)的高性能可靠性分析?   與PrimeSim? Continuum解決方案整合可無縫使用業(yè)界領(lǐng)先的仿真器進行電遷移/IR壓降分析、MOS老化、高西格瑪Monte Carlo、模擬故障和其他可靠性分析?   與PrimeWave?設(shè)計環(huán)境整合
      • 關(guān)鍵字: 可靠性分析  IC  

      集邦咨詢:新能源車需求助攻GaN功率元件

      • TrendForce集邦咨詢表示,2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升,驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增,使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中,以GaN功率元件成長幅度最高,預(yù)估今年營收將達(dá)8,300萬美元,年增率高達(dá)73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究,GaN功率元件,其主要應(yīng)用大宗在于消費性產(chǎn)品,至2025年市場規(guī)模將達(dá)8.5億美元,年復(fù)合成長率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
      • 關(guān)鍵字: 新能源車  GaN  功率元件  

      多家IC設(shè)計廠商證實:收到臺積電漲價通知

      •   原標(biāo)題:多家IC設(shè)計廠商證實:收到臺積電漲價通知 強調(diào)不影響合作關(guān)系  8月25日,市場幾度傳出臺積電即將全線漲價,從最初的明年成熟制程上漲15%至20%、先進制程漲幅達(dá)10%,到全面漲價20%,并從即日起生效?! Υ耍瑩?jù)中央社報道,多家IC設(shè)計廠商證實收到臺積電漲價通知,并表示不會因而影響與臺積電的合作關(guān)系?! C設(shè)計業(yè)者指出,臺積電包含7納米及5納米的先進制程漲價約7%至9%,其余成熟制程代工價格漲幅約20%?! 〈送?,臺積電罕見未給客戶緩沖期,今天通知漲價隨即于今天生效,供應(yīng)鏈也緊急尋求因應(yīng)
      • 關(guān)鍵字: IC  臺積電  漲價  

      ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

      • 氮化鎵(GaN)是一種III/V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料,能隙為3.4eV,電子遷移率為1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此,GaN的固有特性,讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻,亦即相較于同尺寸的硅基組件,GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高,而且物料清單成本更低。在過去的十多年里,產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測,GaN功率開關(guān)組件的黃金時期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件,GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力,這
      • 關(guān)鍵字: ST  Exagan  GaN  

      憑借快充出圈的氮化鎵,為什么這么火?

      • 氮化鎵快充火爆的背后,除了受消費者需求影響,是否還有其他原因?為什么快充會率先用到氮化鎵呢?
      • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  快充  GaN  

      媒體稱明年晶圓代工價漲定了,臺積電:不評論

      •   財聯(lián)社6月24日訊,據(jù)媒體報道,IC設(shè)計業(yè)者透露,明年初晶圓代工價格已經(jīng)敲定,不僅聯(lián)電8英寸和12英寸的晶圓代工價格續(xù)漲,晶圓代工龍頭臺積電也漲價,部分8英寸和12英寸制程價格上漲一到兩成,且12英寸制程漲幅高于8英寸。臺積電發(fā)言窗口表示,不評論價格問題。
      • 關(guān)鍵字: IC  晶圓廠  臺積電    

      Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認(rèn)證

      • 空間應(yīng)用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行,防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響,因為這類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運行。為滿足這一要求,Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds(on)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)獲得了商業(yè)航天和國防空間應(yīng)用認(rèn)證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件,包括負(fù)載點轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
      • 關(guān)鍵字: MOSFET  LET  IC  MCU  

      中國臺灣IC產(chǎn)值雙位成長新常態(tài) 2021第一季整體較去年增長25%

      • 據(jù)WSTS統(tǒng)計,21Q1全球半導(dǎo)體市場銷售值1,231億美元,較上季(20Q4)成長3.6%,較2020年同期(20Q1)成長17.8%;銷售量達(dá)2,748億顆,較上季成長4.9%,較去年同期成長22.7%;ASP為0.448美元,較上季衰退1.2%,較去年同期(20Q1)衰退4.0%。區(qū)域市場方面,中國大陸市場銷售值成長幅度最高,較上季(20Q4)成長8.9%,達(dá)到434億美元,較去年同期(20Q1)成長25.6%;歐洲市場次之,較上季(20Q4)成長8.8%,達(dá)到110億美元,較去年同期成長8.7%;
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