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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan fet

            保護(hù)汽車?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞

            • 在嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中,各種功率場效應(yīng)晶體管(power FET,功率FET),被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路,連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會讓該器件疲損,致使其進(jìn)入開路、短路或阻性模式。
            • 關(guān)鍵字: RTP器件  FET  

            通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率

            •  在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中,效率已經(jīng)有了顯著的提高,重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過,隨著80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn),設(shè)計(jì)人員開始認(rèn)識到,AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)。  AC/DC平均系統(tǒng)
            • 關(guān)鍵字: 改善  能量  效率  開關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  通過  

            利用氬氣改善p型GaN LED的性能

            • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN,那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者:Vla...
            • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

            采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

            • 在當(dāng)今社會,DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來說:英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
            • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

            大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場

            • 超級半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
            • 關(guān)鍵字: LED  GaN  MOSFET  

            用射頻開關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號

            • 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
            • 關(guān)鍵字: 射頻開關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

            Intersil集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡化電源設(shè)計(jì)

            • 簡介   一提到電源設(shè)計(jì),大多數(shù)工程師都會感到撓頭,他們往往會問,“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲?、升壓、flyback、半橋和全橋等。
            • 關(guān)鍵字: intersil  FET  DC/DC  

            硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

            • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問世以來,LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
            • 關(guān)鍵字: LED芯片  硅襯底  GaN    

            硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

            • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管,高密度光學(xué)存儲用的紫光激光器,紫外光探測器,...
            • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  LED芯片    

            一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

            • 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點(diǎn),使其具有帶寬寬,高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn),使用了Agilent ADS等仿真軟件,進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
            • 關(guān)鍵字: GaN  S波段  寬帶  放大器    

            GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計(jì)

            • 摘要:為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究。考慮了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
            • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  探測器  紅外  量子  GaN  

            MOS-FET與電子管OTL功放的制作

            MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

            • MOS—FET末級無負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
            • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

            MOS—FET甲乙類功率放大器

            TI 小貼士:圖例理FET知識

            • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
            • 關(guān)鍵字: FET  
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