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砷化鎵IDM廠調高財測 臺系業(yè)者雨露均沾
- 隨著下游需求回溫，自2010年初以來，整體砷化鎵 (GaAs)市場需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化鎵IDM業(yè)者紛紛上調2010年度財測后，Avago也宣告調高 2010年2~4月的營收預估值。受惠于此，臺系砷化鎵晶圓代工廠宏捷科技以及穩(wěn)懋半導體的單月營收皆持續(xù)攀升，市場預期業(yè)者的第2季也可望持續(xù)優(yōu)于第1 季表現(xiàn)。 受惠于智能型手機(smartphone)出貨量持續(xù)成長，帶動功率放大器(PA)的需求，也反應在全球各家砷化鎵IDM業(yè)者的財測中。而臺系晶圓代工廠以及
- 關鍵字： GaAs 晶圓代工
高性能微波/毫米波GaAs器件提高3G/4G回程網(wǎng)絡的速度和容量
- 數(shù)據(jù)通信量的增加正在成為回程網(wǎng)絡的瓶頸 近年來，寬帶用戶數(shù)量明顯增加，并出現(xiàn)了大量手持移動互聯(lián)網(wǎng)設備(MID)。數(shù)據(jù)和視頻應用已超過話音(參見圖1)，導致傳輸網(wǎng)絡的需求量前所未有地急劇增長。市調專業(yè)機構ABIResearch最新報告顯示，2009年移動通信用戶總量將達到43億，2013年將接近54億。因此，數(shù)據(jù)在移動通信中所占比例將迅速增長。保持這種增長勢頭很大程度上取決于移動用戶能否獲得積極的寬帶體驗。為保證各類通信的服務質量(QoS)，收集和傳送數(shù)據(jù)的回程網(wǎng)絡必須與用戶需求保持同步。
- 關鍵字： TriQuint 3G 4G GaAs
NJR開發(fā)GaAs MMIC NJG1139UA2 適合于便攜式數(shù)字電視
- 日本無線(NJR)現(xiàn)開發(fā)完成了GaAsMMICNJG1139UA2，并已開始供貨了。該產品是設有旁通電路的寬帶低噪音放大器，...
- 關鍵字： GaAs MMIC NJG1139UA2 數(shù)字電視 LNA
新日本無線開發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2
- 新日本無線現(xiàn)開發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已開始供貨了。該產品是設有旁通電路的寬帶低噪音放大器，最適合于便攜式數(shù)字電視。 【開發(fā)背景】 近年來，隨著便攜式設備和汽車導航儀等可接收地面數(shù)字廣播的產品越來越多，為了提高終端的接收靈敏度、市場需求具有高增益/高線性度/低噪音指數(shù)的低噪音放大器(以后稱作LNA)。為了適應市場的要求，新日本無線開發(fā)了NJG1129MD7(08年12月公布)。NJG1139UA2是在此之上采用了小型化封裝，減少了外部元件，并為了更加容易使用而開
- 關鍵字： 新日本無線 放大器 GaAs
帶有旁通性能1SEG用寬帶低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1129MD7現(xiàn)開始發(fā)放樣品
- 新日本無線已開發(fā)完成了最適用于1SEG信號用調諧器模塊的寬帶低噪聲放大器（下稱LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，現(xiàn)開始樣品供貨。 近年來，手機和車載導航等能接收1SEG信號產品在不斷地增加，因終端接收信號靈敏度不足，故具有高增益／高線性／低噪聲的高性能LNA是市場需要。新日本無線為滿足這種市場需求，開發(fā)了NJG1134HA8（08年3月27日發(fā)表）。NJG1129MD7就是為了滿足市場所求的更高靈敏度，所開發(fā)了1SEG用寬帶LNA GaAs MMIC。 該產品是可支持47
- 關鍵字： 新日本無線 寬帶低噪聲放大器 GaAs MMIC NJG1129MD7
Ge組分對SiGe HBT主要電學特性的影響
- 0 引言 SiGe基區(qū)異質結雙極型晶體管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技術首次制作出SiGe基區(qū)HBT以來，SiGe集成電路的規(guī)模和電路的速度不斷發(fā)展，電流增益和頻率響應等性能已經接近或達到了化合物異質結器件的水平。而SiGe異質結技術和傳統(tǒng)的Si集成電路相比，在工藝上并未增加大的復雜性，且成本低于化合物半導體器件。最新的SiGe HBT的研究表明已研制出超過200 GHz電流增益峰值達到400的晶體管，并且低溫下fT達到200 GHz的SiGeHBT也
- 關鍵字： HBT
Hittite推出SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器
- Hittite Microwave Corporation近日推出兩款SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器，適用于頻率在50-4GHz的汽車、寬帶，CATV，蜂窩/3G，WiMAX/4G以及固定無線應用。 HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高線性增益單元放大器，無需外部匹配電路，從而成為競爭對手的理想替代品，如50MHz到4GHz的IF和RF應用AH-1與AM-1增益單元。 HMC636ST89E高線性增益單元放大器額定為200 MHz到
- 關鍵字： 放大器 Hittite SMT GaAs pHEMT
Hittite Microwave推出22到46 GHz有源X2倍頻器
- Hittite Microwave Corporation近日推出一個新款GaAs MMIC有源X2倍頻器，從而使設計者可以實現(xiàn)頻率覆蓋22到46GHz的連續(xù)輸出。這一器件在時鐘發(fā)生器，點對點無線電、軍事和航空、VSAT以及測試設備應用中，還具有優(yōu)越的基波和諧波抑制。 HMC598有源X2倍頻器使用GaAs PHEMT技術，以裸片形式提供。器件由輸入放大器、低轉換損耗倍頻器和一個輸出緩沖放大器組成。當用+5 dBm輸入信號驅動時，倍頻器提供22到30 GHz的+15 dBm典 型輸入功率。高輸出
- 關鍵字： Hittite 倍頻器 有源 GaAs PHEMT
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