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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> flash

            基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

            • 摘要:德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構的最高性能的DSP器件,是市場上應用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
            • 關鍵字: C6678 DSP  flash boot  多核boot  I2C引導  SRIO  網(wǎng)絡  

            FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進設計

            • 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設計思想。
            • 關鍵字: Flash  NAND  FAT  文件系統(tǒng)    

            大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應用

            • 隨著嵌入式系統(tǒng)產品的發(fā)展,對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例,闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
            • 關鍵字: Flash  NAND  02A  1FT    

            如何將“壞塊”進行有效利用

            •   被廣泛應用于手機、平板等數(shù)碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在,但是我們可以憑借高科技變廢為寶,將“壞塊”進行有效的利用,從而滿足我們的應用需求,讓壞塊不“壞”。   要想變廢為寶,有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”,做到知己知彼,才能為我所用。壞塊的特點是當編程或者擦除這個塊時,不能將某些位拉高,從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤,這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
            • 關鍵字: Nand Flash  寄存器  

            提高MSP430G 系列單片機的Flash 擦寫壽命的方法

            • 摘要在嵌入式設計中,許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機在芯片內部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機中并不具備E
            • 關鍵字: MSP430G  單片機  Flash    

            關于單片機中的flash和eeprom

            • FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結構也不同,F(xiàn)LASH的電路結構較簡單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器,而廉價型設計往往只有 FLASH,早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結構,現(xiàn)在已基本上停產了。
            • 關鍵字: 單片機  flash  eeprom  

            NAND FLASH扇區(qū)管理

            • 首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖:以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例,這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page),64個頁(page)組成1個塊(block),4096個塊(block)構成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
            • 關鍵字: Flash  NAND  扇區(qū)管理  

            JEDEC標準(JESD216)S FDP對串行Flash在系統(tǒng)中的應用

            • JEDEC標準(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數(shù)表的結構、功能和作用,并給出其在系統(tǒng)設計中的具體應用。
            • 關鍵字: JEDEC  Flash  JESD    

            TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設計

            • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設計,摘要 為實現(xiàn)數(shù)字信號處理器的加栽,介紹了TMS320C6455的各種加載模式,尤其是對外部ROM的引導方式,以及一種無需數(shù)據(jù)轉換即可通過數(shù)據(jù)加載將用戶程序寫入Flash的方法。以TMS320C6455為例,同時結合LED燈閃爍實例驗證
            • 關鍵字: DSP  加栽模式  二次加載  Flash  

            三星、東芝競擴產,NAND Flash恐跌三成

            • 全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求,預估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調機構IHS iSuppli最
            • 關鍵字: 三星  東芝  NAND  Flash   

            NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

            • 我們使用的智能手機除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢,這就是我
            • 關鍵字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

            DSP硬件設計需要知道的注意事項

            • 數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設備,通過CMOS處理技術,DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了DSP
            • 關鍵字: 硬件設計  FlaSh  DSP  

            從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

            • 使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
            • 關鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

            NAND Flash合約價 恐一路跌到年底

            • 市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,
            • 關鍵字: NAND  Flash   

            如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉

            • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉,關于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶頭疼的難點,他們強調已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規(guī)范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無法提高,只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
            • 關鍵字: 燒錄  SmartPRO 6000  Nand Flash  
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            flash介紹

            閃存(Flash ROM): 是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場效應管構成,寫入時,利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時,則利用高壓下的隧道效應,使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導體技術,內部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導體技術發(fā)展很快,價格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細 ]

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