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EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道
- 對于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預(yù)處理和清洗會(huì)議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論，并在會(huì)上向與會(huì)的同仁報(bào)告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
- 關(guān)鍵字： 光刻 EUV 掩膜 CMOS
22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場看法存分歧
- 浸潤式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭，爭議不斷。據(jù)了解，臺(tái)積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動(dòng)深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數(shù)家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術(shù)最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長可達(dá)13.5納米，約是248波長的KrF顯影設(shè)備的15分之1，盡管浸潤式顯
- 關(guān)鍵字： 消費(fèi)電子 EUV 電子束 消費(fèi)電子
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