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emi-rfi 文章 進(jìn)入emi-rfi技術(shù)社區(qū)
開關(guān)電源輸入EMI濾波器設(shè)計(jì)與仿真
- 摘要：開關(guān)電源中常用EMI濾波器抑制共模干擾和差模干擾。三端電容器在抑制開關(guān)電源高頻干擾方面有良好性能。文中在開關(guān)電源一般性能EMI濾波器電路結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，給出了使用三端電容器抑制高頻噪聲的濾波器結(jié)構(gòu)。并使用
- 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 仿真 濾波器 EMI 輸入 開關(guān)電源
設(shè)計(jì)更高能效、極低EMI準(zhǔn)諧振適配器
- 準(zhǔn)方波諧振轉(zhuǎn)換器也稱準(zhǔn)諧振(QR)轉(zhuǎn)換器，廣泛用于電源適配器。準(zhǔn)方波諧振的關(guān)鍵特征是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)在漏極至源極電壓(VDS)達(dá)到其最低值時(shí)導(dǎo)通，從而減小開關(guān)損耗及改善電磁干擾(EMI)信號(hào)。 準(zhǔn)諧振轉(zhuǎn)換器采用不連續(xù)導(dǎo)電模式(DCM)工作時(shí)，VDS必須從輸入電壓(Vin)與反射電壓(Vreflect)之和降低到Vin。變壓器初級(jí)電感(Lp)與節(jié)點(diǎn)電容(Clump，即環(huán)繞MOSFET漏極節(jié)點(diǎn)的所有電容組合值，包括MOSFET電容和變壓器寄生電容等)構(gòu)成諧振網(wǎng)絡(luò)，Lp與C
- 關(guān)鍵字： 安森美 MOSFET 電源適配器 EMI
直流電源EMI濾波器的設(shè)計(jì)
- 直流電源EMI濾波器的設(shè)計(jì)原則、網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)、參數(shù)選擇
1 設(shè)計(jì)原則-滿足最大阻抗失配插入損耗要盡可能增大，即盡可能增大信號(hào)的反射。設(shè)電源的輸出阻抗和與之端接的濾波器的輸人阻抗分別為ZO和ZI，根據(jù)信號(hào)傳輸理論， - 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 濾波器 EMI 直流電源 電源
實(shí)時(shí)頻譜分析在EMI診斷中的應(yīng)用
- 隨著通信系統(tǒng)的干擾特點(diǎn)發(fā)生變化，測(cè)試設(shè)備也在變化。模擬電路以前實(shí)現(xiàn)的功能，現(xiàn)在可以以數(shù)字方式實(shí)現(xiàn)，測(cè)量速度不斷提高，我們可以更快地獲得測(cè)量結(jié)果。泰克公司推出的實(shí)時(shí)頻譜分析儀可以即時(shí)查看非常寬的頻譜跨度，而不會(huì)丟失頻段中的信息，從而可以發(fā)現(xiàn)、捕獲并測(cè)量對(duì)傳統(tǒng)技術(shù)極具挑戰(zhàn)性的瞬態(tài)峰值。
- 關(guān)鍵字： 診斷 應(yīng)用 EMI 分析 頻譜 實(shí)時(shí) 通信協(xié)議
中頻發(fā)電機(jī)對(duì)檢測(cè)裝置的干擾剖析及EMI濾波器的實(shí)現(xiàn)
- 0 引言
隨著電子信息技術(shù)的飛速發(fā)展及各類電氣、電子、信息設(shè)備的日益廣泛應(yīng)用，電磁干擾(EMI)的交互作用使得電子設(shè)備中存在著越來(lái)越復(fù)雜的電磁環(huán)境，對(duì)各種儀器設(shè)備產(chǎn)生越來(lái)越大的危害。電子設(shè)備受電磁噪聲干擾 - 關(guān)鍵字： EMI 發(fā)電機(jī) 檢測(cè)裝置 干擾
時(shí)鐘產(chǎn)品分類
- 時(shí)鐘按功能分，可分為多頻、EMI削減、低功耗小尺寸、高性能低相位抖動(dòng)、時(shí)鐘分配等(如圖1)。 多頻：就是在同一個(gè)晶振里可產(chǎn)生不同頻率的時(shí)鐘源。例如，晶振本身也許是一個(gè)37kHz的，你可以從這個(gè)頻率上面去延伸開來(lái)，像ATM需要25MHz，SDH需要19.44MHz……這一個(gè)器件可產(chǎn)生系統(tǒng)里需要的所有頻率，并且這些頻率之間可以相互沒有任何關(guān)系。 EMI削減：該器件已擁有多頻器件的所有功能，除此之外，EMI(電磁干擾)削減特點(diǎn)突出。 低功耗、小尺寸：主要針對(duì)
- 關(guān)鍵字： Cypress 時(shí)鐘 EMI 低功耗
TI推出立體聲模擬輸入D類音頻放大器
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款真正的無(wú)濾波器 15 W 立體聲模擬輸入 D 類音頻放大器。該器件采用高級(jí)電磁干擾抑制技術(shù)，無(wú)需基于電感器的高成本輸出濾波器，從而可將物料清單 (BOM) 成本降低 50%。該 TPA3110D2 的 SpeakerGuard 保護(hù)電路可保護(hù)揚(yáng)聲器免受損壞，有助于降低最終設(shè)備用戶退貨幾率與相關(guān)支持成本。此外，TPA3110D2 還具有增強(qiáng)性能，是高清電視、媒體擴(kuò)展基座、數(shù)字無(wú)線電廣播以及條形音箱 (sound bars) 等消費(fèi)類音頻應(yīng)用的理想選擇。 TPA
- 關(guān)鍵字： TI D類音頻放大器 EMI
D類放大器：低功耗高效率推動(dòng)大規(guī)模普及
- D類放大器的應(yīng)用范圍非常廣泛，隨著技術(shù)的成熟，目前已進(jìn)入大規(guī)模普及階段。針對(duì)其在器件成本、EMI等方面的問題，業(yè)內(nèi)企業(yè)也提出了多種解決方案。 D類放大器技術(shù)是三四年前被業(yè)內(nèi)熱議的新技術(shù)，目前它已進(jìn)入大規(guī)模普及階段。業(yè)界正在積極解決應(yīng)用普及過程中的問題，如EMI(電磁干擾)、成本和效率等。與此同時(shí)，集成技術(shù)也是一個(gè)不容忽視的趨勢(shì)。 轉(zhuǎn)入大規(guī)模普及階段 三四年前，D類放大器在業(yè)界掀起了一個(gè)新技術(shù)的小高潮。D類放大器采用脈沖調(diào)制方式將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字脈沖，由MOSFET進(jìn)行放大，再通過低
- 關(guān)鍵字： ADI D類放大器 MOSFET EMI
為便攜應(yīng)用選擇適合的集成EMI濾波及ESD保護(hù)方案
- 如今的手機(jī)等便攜設(shè)備的尺寸日趨小巧纖薄，同時(shí)又在集成越來(lái)越多的新功能或新特性，如大尺寸顯示屏、高分辨率相機(jī)模塊、高速數(shù)據(jù)接口、互聯(lián)網(wǎng)接入、電視接收等，讓便攜設(shè)備的數(shù)據(jù)率及時(shí)鐘頻率越來(lái)越高。這樣，便攜設(shè)備面臨著諸多潛在的電磁干擾(EMI)/射頻干擾(RFI)源的風(fēng)險(xiǎn)，如開關(guān)負(fù)載、電源電壓波動(dòng)、短路、電感開關(guān)、雷電、開關(guān)電源、RF放大器和功率放大器、帶狀線纜與視頻顯示屏的互連及時(shí)鐘信號(hào)的高頻噪聲等。因此，設(shè)計(jì)人員需要針對(duì)音頻插孔/耳機(jī)、USB端口、揚(yáng)聲器、鍵盤、麥克風(fēng)、相機(jī)、顯示屏互連等多個(gè)位置，為便攜設(shè)
- 關(guān)鍵字： 安森美 EMI ESD
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