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            GaN IC縮小電機驅動器并加快eMobility、電動工具、 機器人和無人機的上市時間
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設計，增強了電機驅動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時簡化設計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機外殼中，從而實現最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機驅動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內含柵極驅動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達28 Apk(2
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            • 關鍵字：
                        GaN IC  電機驅動器                          
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            世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅動器NCP51561 應用于高頻小型化工業(yè)電源
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 現階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產品設計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導體開關的器
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            • 關鍵字：
                        GaN  氮化鎵  SiC  碳化硅  NCP51561  onsemi                          
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            功率GaN RF放大器的熱考慮因素
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應用超出了蜂窩基站和國防雷達范疇，在所有 RF 細分市場中獲得應用。其中許多應用需要很長的使用壽
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            • 關鍵字：
                        Wolfspeed  放大器  GaN                          
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            使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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            • 關鍵字：
                        TI  GaN                          
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            貿澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 2022年9月23日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子  (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標準D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現已被 Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經優(yōu)化適合車載充電器、軟開關DC/DC
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            • 關鍵字：
                        貿澤  D2PAK-7L  UnitedSiC  SiC FET                          
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            大聯大友尚集團推出基于onsemi和GaN System產品的PD快充電源方案
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯大友尚基于onsemi和GaN System產品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機、電腦為代表的移動智能設備已經成為人們日常生活的重要工具，然而隨著這些設備所覆蓋的功能越來越多，設備有限的續(xù)航能力已經無法滿足用戶對
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            • 關鍵字：
                        大聯大友尚  onsemi  GaN System  PD快充電源                          
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            使用集成GaN解決方案提高功率密度
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設計得以實現。在許多應用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現的性能，使用 GaN 進行設計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結構。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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            • 關鍵字：
                        德州儀器  GaN  功率密度                          
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            GaN將在數據服務器中挑起效率大梁
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢，但這還不夠，能源效率是另一個重點領域，這是因為服務器及其冷卻系統(tǒng)對能源消耗，占據了數據中心將近40%的運營成本。GaN具有獨特的優(yōu)勢，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數據中心的配電和轉換、節(jié)能、減少對冷卻系統(tǒng)的需求，并最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。數字化和云端服務的快速建置推動了全球數據服務器的產業(yè)規(guī)模的成長。今天，數據服務器消耗了全球近1%的電力，這個數字預計會不斷的成長下去。次世代的產業(yè)趨勢，例如虛擬世界、增強實境和虛擬現實，所消耗大量電力將遠超現今地球上所能
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            • 關鍵字：
                        GaN  數據服務器  效率                          
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            殺入新能源汽車市場的GaN，勝算幾何？
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 在電力電子應用中，為了滿足更高能效和更高開關頻率的要求，功率密度正在成為關鍵的指標之一?；诠瑁⊿i）的技術日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數產品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
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            • 關鍵字：
                        貿澤電子  GaN                          
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            UnitedSiC（現已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產品組合
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務器電源應用實現量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
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            • 關鍵字：
                        UnitedSiC  Qorvo  750V  SiC FET                          
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            UnitedSiC（現為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產品組合
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實現更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
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            • 關鍵字：
                        UnitedSiC  Qorvo  電源  SiC FET                          
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            東芝級聯共源共柵技術解決 GaN 應用的痛點
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 和傳統(tǒng)的硅功率半導體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關速度、更高的工作溫度、更低導通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡單來說，GaN
的開關速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN
的寄生參數極小，開關速度極高，比較適合高頻應用，例如：電動汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉換電路、OBC（車載充電）、低功率開關電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
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            • 關鍵字：
                        202207  東芝    共源共柵  GaN                          
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            Transphorm的表面貼裝封裝產品系列增加行業(yè)標準TO-263 (D2PAK)封裝產品，擴大SuperGaN平臺的優(yōu)勢
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴充了其表面貼裝封裝產品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場效應晶體管 (FET)，典型導通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
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            • 關鍵字：
                        Transphorm  GaN                          
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            東芝級聯共源共柵技術解決GaN應用痛點
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 受訪人：黃文源  東芝電子元件（上海）有限公司半導體技術統(tǒng)括部技術企劃部高級經理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？　　回答：自從半導體產品面世以來，硅一直是半導體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導體的出現，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導體的
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            • 關鍵字：
                        東芝  GaN  級聯共源共柵                          
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            第三代半導體市場的“互補共生”
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營銷組的應用經理，負責工業(yè)和個人電子市場的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過去20年中設計了15000個電源。Robert于2002年加入TI，大部分時間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學的電氣工程學士學位和碩士學位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產品？　
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            • 關鍵字：
                        TI  第三代半導體  GaN  SiC                          
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            e-mode gan fet介紹
            
      			
            
		      	
            
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