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UWB - 智能物聯(lián)的未來(lái)之星，你怎么看他？低功耗Wi-Fi解決方案在智能家居的應(yīng)用和發(fā)展結(jié)合超寬帶測(cè)距和雷達(dá)功能以實(shí)現(xiàn)高級(jí)IoT應(yīng)用來(lái)這里瞧瞧NXP技術(shù)培訓(xùn)視頻吧>>

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e-mode gan fet 文章進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)

富士通明年計(jì)劃量產(chǎn)氮化鎵功率器件

富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實(shí)現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計(jì)劃將于2013年下半年開(kāi)始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對(duì)實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)做出重大貢獻(xiàn)。
關(guān)鍵字：富士通功率器 GaN

電源設(shè)計(jì)：正確地同步降壓 FET 時(shí)序

由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時(shí)序優(yōu)化正變得越來(lái)越重要。在開(kāi)關(guān)期間，存在兩個(gè)過(guò)渡階段：低...
關(guān)鍵字：電源設(shè)計(jì) 同步降壓 FET 時(shí)序

德州儀器推出最靈活PFET高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)

日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側(cè)負(fù)載開(kāi)關(guān)。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業(yè)界最寬泛電源電壓支持，是分立式 FET 開(kāi)關(guān)的最靈活替代產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： TI TPS27081A FET

功放為智能手機(jī)提供最佳效率

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：智能手機(jī) 功放最佳效率 TD-LTE GaN

將光電FET光耦用作一個(gè)線性壓控電位器

光電FET可以用作一只可變電阻，或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓，因此能夠安全地控制高壓電路參數(shù)。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問(wèn)題(圖1)。為了校正這種非線性，可以采用一
關(guān)鍵字： FET 光電電位器光耦

基于優(yōu)化變換器的FET開(kāi)關(guān)來(lái)改善能量效率

　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過(guò)，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開(kāi)始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)。　　AC/DC平均系統(tǒng)
關(guān)鍵字：改善能量效率開(kāi)關(guān) FET 優(yōu)化變換器基于

設(shè)計(jì)主電源和備用電源之間的FET-OR電路開(kāi)關(guān)

圖1為一具有“二極管或”功能的電路，用于主電源和備用電源之間必須自動(dòng)切換的場(chǎng)合，包括電池供電存儲(chǔ)器電...
關(guān)鍵字：主電源備用電源 FET-OR

“主流GaN”的發(fā)展和未來(lái)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： GaN 恩智浦氮化鎵射頻功率晶體管

科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)

科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
關(guān)鍵字：科銳放大器 GaN

對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖的方法

圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此
關(guān)鍵字：緩沖方法進(jìn)行電壓 FET 關(guān)斷轉(zhuǎn)換器

技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性?xún)r(jià)比更高的功率元件（一）

與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
關(guān)鍵字： SiC 功率元件 GaN 導(dǎo)通電阻

用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能

所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時(shí)，仍然需要提供終端用戶(hù)想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備...
關(guān)鍵字：智能MOSFET 醫(yī)療電子 FET

基于FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路介紹

電路的功能定時(shí)器專(zhuān)用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來(lái)組成定時(shí)器，這樣可以減少I(mǎi)C的數(shù)量，事先了
關(guān)鍵字： FET 輸入 OP放大器模擬

硅上GaN LED分析

硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率，制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
關(guān)鍵字： GaN LED 分析

用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路介紹

電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
關(guān)鍵字： VCA FET 幅度調(diào)制乘法運(yùn)算

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e-mode gan fet介紹

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e-mode gan fet電路

基于FET的100W功率音頻放大器電路圖
基于FET的100W音頻放大器電路圖
PMU Mode Operation for the MAX
高速FET輸入儀表放大器電路圖

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具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaNFET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)

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Qorvo UF3C065030B3 650 V、27毫歐姆碳化硅(SiC) FET產(chǎn)品
英飛凌EiceDRIVER柵極門(mén)極驅(qū)動(dòng)選型指南.pdf
產(chǎn)品簡(jiǎn)介英飛凌GaN EiceDRIVER? 系列.pdf
Designing Stable Compensation Networks for Single Phase Voltage Mode Buck Regulators
泰克 IsoVu 測(cè)量系統(tǒng)幫助松下半導(dǎo)體明顯縮短新型 GaN 器件的開(kāi)發(fā)時(shí)間
GaN電源EMC優(yōu)化設(shè)計(jì)
一種基于GaNpower半導(dǎo)體的GaN MOS設(shè)計(jì)的150W PC電源應(yīng)用電路
GaN（氮化鎵）將推動(dòng)電源解決方案的進(jìn)步

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