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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> e-flash

            FPGA最小系統(tǒng)之:最小系統(tǒng)電路分析

            • FPGA的管腳主要包括:用戶I/O(User I/O)、配置管腳、電源、時鐘及特殊應(yīng)用管腳等。其中有些管腳可有多種用途,所以在設(shè)計FPGA電路之前,需要認(rèn)真的閱讀相應(yīng)FPGA的芯片手冊。
            • 關(guān)鍵字: Cyclone  Altera  Flash  FPGA  CPLD  SDRAM  FPGA最小系統(tǒng)  

            FPGA最小系統(tǒng)之:最小系統(tǒng)的概念

            • FPGA最小系統(tǒng)是可以使FPGA正常工作的最簡單的系統(tǒng)。它的外圍電路盡量最少,只包括FPGA必要的控制電路。一般所說的FPGA的最小系統(tǒng)主要包括:FPGA芯片、下載電路、外部時鐘、復(fù)位電路和電源。如果需要使用NIOS II軟嵌入式處理器還要包括:SDRAM和Flash。一般以上這些組件是FPGA最小系統(tǒng)的組成部分。
            • 關(guān)鍵字: FPGA最小系統(tǒng)  Altera  NiosII  Flash  SDRAM  

            SPI Flash M25P32 的TFFS文件系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)

            • TFFS文件系統(tǒng)中的Core Layer內(nèi)核層可將其他層連接起來協(xié)同工作;翻譯層主要實現(xiàn)DOS和TFFS之間的交互、管理文件系統(tǒng)和Flash各個物理塊的關(guān)系,同時支持TFFS的各種功能,如磨損均衡、錯誤恢復(fù)等;MTD層執(zhí)行底層的程序驅(qū)動(map、read、write、erase等);socket層的名稱來源于可以插拔的socket存儲卡,主要提供與具體的硬件板相關(guān)的驅(qū)動。
            • 關(guān)鍵字: 文件系統(tǒng)  Flash  SOCKET  

            Flash硬件接口和程序設(shè)計中的關(guān)鍵技術(shù)

            • 閃速存儲器(Flash Memory)以其集成度高、制造成本低、使用方便等諸多優(yōu)點廣泛地應(yīng)用于辦公設(shè)備、通信設(shè)備、醫(yī)療設(shè)備、家用電器等領(lǐng)域。介紹了Flash的使用方法,并給出了單片機與閃速存儲器接口和程序設(shè)計中應(yīng)注意的關(guān)鍵技術(shù)。
            • 關(guān)鍵字: 編程  接口  Flash  擦除  

            大容量NOR Flash與8位單片機的接口設(shè)計

            • Flash存儲器又稱閃速存儲器,是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲器。它兼有RAM和ROM的特點,既可以在線擦除、改寫,又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲器中最早出現(xiàn)的一個品種,與其他種類的Flash存儲器相比具有以下優(yōu)勢:可靠性高、隨機讀取速度快,可以單字節(jié)或單字編程,允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
            • 關(guān)鍵字: NOR  Flash  接口  單片機  

            F1aSh存儲器在TMS320C3X系統(tǒng)中的應(yīng)用

            • 以基于TMS320C32 DSP開發(fā)的故障錄波裝置為模型,介紹AMD公司的Flash存儲器Am29F040摘 要 的原理和應(yīng)用;利用它的操作過程實現(xiàn)斷電后仍然可以將子程序保存在F1ash存儲器內(nèi)的特 性,結(jié)合TMS320C3x提出實現(xiàn)DSP系統(tǒng)上電后用戶程序的自動引導(dǎo)的方法。
            • 關(guān)鍵字: DSP  Flash  TI  

            Flash數(shù)據(jù)丟失,說好的數(shù)據(jù)去哪了?

            • 芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行,從而造成整個系統(tǒng)崩潰,下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。
            • 關(guān)鍵字: 電源電壓  Flash  MCU  

            麥格理分析師:DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

            •   據(jù)外媒報道,存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音,麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。   他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲,有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。   據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導(dǎo),Daniel Kim發(fā)布報告說:「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預(yù)期更強。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。   整體來說,Daniel Kim認(rèn)為芯片價格上漲,即暴露看空論點的瑕疵。   他指出,建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
            • 關(guān)鍵字: DRAM  Flash  

            盤點+分析:Flash原廠2016年財報

            • 2016年Flash原廠加速向3D NAND切換,除了研發(fā)成本增加,切換過程中也很容易出現(xiàn)產(chǎn)能損失,同時還需要更新舊設(shè)備,增加新設(shè)備,以及擴大生產(chǎn)空間,從而導(dǎo)致Flash原廠NAND Flash產(chǎn)出減少,以及投資成本增加。
            • 關(guān)鍵字: Flash  三星  

            大陸韓國擴產(chǎn)競賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩

            •   儲存型快閃存儲(NANDFlash)軍備競賽再起,南韓存儲大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元),在南韓及大陸兩地增加存儲產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長江存儲武漢廠,也預(yù)定本月底正式動土,都為2018年供給過于求再現(xiàn),埋下隱憂。   目前各市調(diào)機構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應(yīng)求局面,但南韓存儲大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲廠,在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元,擴充產(chǎn)能,希望市占率能趕上三星,但也為NANDFlash市場投下新變數(shù)。   稍早三星和美光也都
            • 關(guān)鍵字: Flash  晶圓  

            為滿足NAND Flash市場需求 SK海力士建新廠

            •   SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個存儲器晶圓廠,滿足NAND Flash市場增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個月開始設(shè)計外部的建設(shè),2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備,總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。     SK海力士表示,公司決定額外的新建一座Fab工廠,主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場需求的增長,以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之,考慮到通常建立一個半導(dǎo)體工廠需要超過2年,所以提前做好準(zhǔn)備。   SK海力士曾在20
            • 關(guān)鍵字: NAND Flash  SK海力士  

            Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛

            •   芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運行,從而造成整個系統(tǒng)崩潰,下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化。        1、用戶代碼對Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯誤改寫  例如,在有對Flash寫入或擦除操作的代碼中,如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù),這自然會導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對以上情況,可以在程序中設(shè)置多個允許操作的變量,當(dāng)執(zhí)行寫入或擦除操作時,對
            • 關(guān)鍵字: Flash  芯片  

            NAND Flash供不應(yīng)求,第三季品牌商營收大幅季成長19.6%

            •   TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示,受惠于智能手機需求強勁,及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少,第三季NAND Flash開始漲價,使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%,營業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,第四季各項終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰,預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著,各項NAND Flash產(chǎn)品的合約價漲幅將更高,廠商的營收
            • 關(guān)鍵字: NAND Flash  英特爾  

            Flash缺貨,存儲器成為三星的搖錢樹

            •   NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇,缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社)   根據(jù)DIGITIMES的報導(dǎo),NAND Flash缺貨,加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇,缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計2017年DRAM供應(yīng)量成長率是15%,比2016年的32%低很多,而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是,2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè),2017年將增加至13兆韓元,其中4兆韓元用于DRAM,F(xiàn)lash則約9兆韓元,遠(yuǎn)不如原
            • 關(guān)鍵字: Flash  存儲器  

            中國存儲三大勢力成形 各自進(jìn)擊

            •   早前報導(dǎo),中國存儲三大勢力成形,目前長江存儲、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能,就差合肥團(tuán)隊還未有相關(guān)消息,現(xiàn)在相關(guān)招募信息與環(huán)評結(jié)果曝光,也透露更多發(fā)展信息。   中國發(fā)展存儲成三路進(jìn)擊,除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成,第三勢力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導(dǎo)的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動,現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評公告,也可一窺其在合肥的布局。   合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞,但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達(dá)前社長坂本幸雄,目前得到消息已淡出合
            • 關(guān)鍵字: 長江存儲  Flash   
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