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海力士反行業(yè)主流看法：今年DRAM芯片恐將過(guò)剩
- 2月9日消息，據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，在DRAM芯片行業(yè)多數(shù)企業(yè)普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM芯片廠海力士卻發(fā)出警告，認(rèn)為今年DRAM芯片恐出現(xiàn)供給過(guò)剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產(chǎn)業(yè)的大廠。 全球DRAM芯片龍頭三星上周才公開(kāi)表示，看好整體內(nèi)存產(chǎn)業(yè)，海力士卻發(fā)布警告，看法與三星大為迥異。海力士發(fā)警告，將牽動(dòng)南科、華亞科、力晶以及創(chuàng)見(jiàn)、威剛等臺(tái)灣內(nèi)存企業(yè)發(fā)展計(jì)劃。 外電報(bào)道，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲在接受媒體採(cǎi)訪時(shí)透露，由于各大晶片廠都大舉擴(kuò)大資本支出，擔(dān)心DRAM芯片會(huì)供給過(guò)剩
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM
應(yīng)用材料兩名高管因竊取三星技術(shù)機(jī)密被捕
- 據(jù)報(bào)道，韓國(guó)檢方近日逮捕了兩名美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料Applied Materials高管，罪名則是這兩名高管偷取三星DRAM、NAND芯片處理技術(shù)等機(jī)密并出售給了競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手海力士。 美國(guó)證券交易委員會(huì)的報(bào)告顯示，Applied已經(jīng)確認(rèn)此事，并透露說(shuō)其中一人是前應(yīng)用材料韓國(guó)(AMK)高管、現(xiàn)任應(yīng)用材料副總裁，另一名則是應(yīng)用材料韓國(guó)子工廠的高管。 應(yīng)用材料在一封電子郵件中表示，由于韓國(guó)檢方目前還未公布兩人的姓名，他們也不方便透露兩者的信息。作為應(yīng)用材料的一大客戶，三星的利益顯然受到了傷害
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用材料 DRAM NAND
DDR2芯片價(jià)格有望在下半年超過(guò)DDR3
- 報(bào)道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開(kāi)始減少，其價(jià)格有望在今年下半年超過(guò)DDR3。 Simon Chen認(rèn)為，DDR2在低端PC市場(chǎng)還是比較受歡迎。如果1Gb DDR2的價(jià)格低于2美元，那么它需求將會(huì)出現(xiàn)大幅度增長(zhǎng)。 Simon Chen還表示，上游芯片供應(yīng)商紛紛通過(guò)工藝升級(jí)的方式來(lái)加大DDR3芯片的產(chǎn)量，不過(guò)這種升級(jí)或許會(huì)因?yàn)槠渌O(shè)備的供應(yīng)短缺而延緩。 根據(jù)DRAMeXchange的監(jiān)測(cè)，1Gb DDR2
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3 DDR2
美國(guó)09年專利前25名出爐 三星電子緊隨IBM
- 湯森路透知識(shí)產(chǎn)權(quán)解決方案事業(yè)部今日發(fā)布了《2009年頂級(jí)專利權(quán)人》(2009 Top Patentees) 的分析結(jié)果，對(duì)過(guò)去一年在美國(guó)獲得專利最多的前25家公司進(jìn)行排名。這項(xiàng)研究發(fā)現(xiàn)，在這25家頂級(jí)公司中，無(wú)一家中國(guó)大陸企業(yè)上榜。老牌科技廠商美國(guó)IBM公司以4843項(xiàng)專利位列第一， 韓國(guó)三星電子和美國(guó)微軟公司分別位列第二和第三，這份25大專利權(quán)名單還包括11家日本公司，中國(guó)臺(tái)灣、芬蘭和德國(guó)各一家公司。 2009年美國(guó)專利權(quán)人 TOP25 亞洲公司目前已經(jīng)占據(jù)了專利權(quán)名單的56%，而日
- 關(guān)鍵字： 三星電子 芯片 LCD DRAM
三星發(fā)布全球首顆30nm級(jí)工藝DDR3內(nèi)存芯片
- 三星電子宣布，全球第一顆采用30nm級(jí)別工藝的DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)通過(guò)客戶認(rèn)證。注意這里說(shuō)的是30nm級(jí)別工藝(30-nm class)，而不是真正的30nm，也就是說(shuō)有可能是38nm 之類的。三星此前投產(chǎn)的3-bit MLC NAND、異步DDR 32Gb MLC NAND閃存芯片同樣也是這種30nm級(jí)別的。 三星這種30nm工藝級(jí)DDR3 DRAM內(nèi)存芯片的容量為2Gb，支持1.5V標(biāo) 準(zhǔn)電壓和1.35V低電壓，相比50nm工藝級(jí)可節(jié)省最多30%的功耗，因此又稱為綠色內(nèi)存(Gree
- 關(guān)鍵字： 三星電子 DRAM 30nm DDR3
三星的“致命傷”——過(guò)渡依賴芯片產(chǎn)品
- 導(dǎo)讀：《朝鮮日?qǐng)?bào)》今日撰文稱，三星電子雖然躋身世界最大的電子企業(yè)行列，但公司銷(xiāo)售業(yè)績(jī)?cè)诤艽蟪潭壬弦蕾囉谛酒a(chǎn)品，而芯片的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)容易根據(jù)市場(chǎng)環(huán)境起伏不定，這也被認(rèn)為是三星的“致命弱點(diǎn)”。如果現(xiàn)在放松警惕，今后可能會(huì)面臨更大的危機(jī)。 以下為全文： 三星電子在韓國(guó)企業(yè)史上第一個(gè)實(shí)現(xiàn)“銷(xiāo)售額100萬(wàn)億韓元、營(yíng)業(yè)利潤(rùn)10萬(wàn)億韓元”的業(yè)績(jī)，成為世界最大的電子企業(yè)。但英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》29日?qǐng)?bào)道稱：“從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，三星電子的創(chuàng)新性不足將損害收益。
- 關(guān)鍵字： 三星電子 芯片 LCD DRAM
40納米成DRAM廠流行口號(hào)
- 近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(dá)(Elpida)說(shuō)起。因?yàn)闋柋剡_(dá)2009年沒(méi)錢(qián)轉(zhuǎn)進(jìn)50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過(guò)50納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn)45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營(yíng)，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導(dǎo)入，讓整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米都還沒(méi)看到影子時(shí)，又冒出一堆40納米的話題，但40納米能為DRAM產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)多少? 真的有待商榷，只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后，有機(jī)會(huì)大量生產(chǎn)，其它陣營(yíng)的40納米技術(shù)，都是口頭說(shuō)說(shuō)成分居多。
- 關(guān)鍵字： DRAM 40納米
LSI 針對(duì)企業(yè)網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)應(yīng)用擴(kuò)展定制 IP 產(chǎn)品系列
- LSI 公司日前宣布推出具有多核功能的 PowerPC 476 微處理器內(nèi)核和高速嵌入式 DRAM 內(nèi)存模塊，進(jìn)一步豐富了其業(yè)界領(lǐng)先的定制芯片 IP 產(chǎn)品系列。該新型處理器內(nèi)核和內(nèi)存模塊旨在加速用于諸如企業(yè)級(jí)交換機(jī)、路由器、RAID 存儲(chǔ)器、服務(wù)器以及基站等高性能應(yīng)用中的高級(jí)網(wǎng)絡(luò)和存儲(chǔ)SoC 的開(kāi)發(fā)。 定制多核集成電路 (IC) 使 OEM 廠商能夠針對(duì)計(jì)算密集型應(yīng)用開(kāi)發(fā)出高度差異化的高性能解決方案。LSI 推出的這款新型 PowerPC 476FP 器件采用 TSMC 40G 工藝制造而成，能
- 關(guān)鍵字： LSI DRAM 內(nèi)存模塊 PowerPC476
DRAM迎來(lái)希望之光 年底將“春光燦爛”
- 在DRAM市場(chǎng)的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時(shí)期之一，當(dāng)時(shí)廠商能活下來(lái)就不錯(cuò)了。 但是，繼春季溫和復(fù)蘇之后，DRAM供應(yīng)商的黑暗日子結(jié)束，夏天迎來(lái)了光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。 DDR3來(lái)臨 第三季度，下一代DRAM技術(shù)——DDR3看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli公司預(yù)測(cè)，DDR3出貨量將在2010年第一季度超
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3 DDR2
DRAM跌價(jià)襲擊 模塊廠1月?tīng)I(yíng)收處變不驚
- 2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補(bǔ)貨行情落空，DRAM價(jià)格大跌，所幸NAND Flash價(jià)格比預(yù)期強(qiáng)勢(shì)，存儲(chǔ)器模塊廠1月?tīng)I(yíng)收可望維持平穩(wěn)，與2009年12月相較，呈現(xiàn)小漲或小跌的局面，整體第1季營(yíng)收受到2月農(nóng)歷過(guò)年工作天數(shù)減少影響，而呈現(xiàn)下滑，但整體行情不看淡;模塊廠認(rèn)為，DDR3目前仍是缺貨，往下修正的幅度有限，一方面DDR3利潤(rùn)較高，另一方面DDR3短期會(huì)被DDR2價(jià)格帶下來(lái)，但整體第1季DDR3供貨仍相對(duì)吃緊。 存儲(chǔ)器模塊廠2009年交出豐厚的成績(jī)單，創(chuàng)見(jiàn)、威剛都賺足1個(gè)股本，但2010年1月立
- 關(guān)鍵字： DRAM NAND DDR3
設(shè)備交期拉長(zhǎng) 恐影響設(shè)備業(yè)2010年成長(zhǎng)力道
- 近期晶圓代工、DRAM等科技大廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃不斷，不少業(yè)者的機(jī)臺(tái)進(jìn)廠時(shí)間落在下半年，從目前的設(shè)備交期6~9個(gè)月來(lái)推算，部分機(jī)臺(tái)交貨時(shí)間恐怕落到2011年。 在2010年科技業(yè)大擴(kuò)產(chǎn)風(fēng)潮下，市場(chǎng)紛紛看好設(shè)備業(yè)業(yè)績(jī)可望較2009年成長(zhǎng)4~5成，不過(guò)近期在關(guān)鍵設(shè)備交期拉長(zhǎng)到6~9個(gè)月的隱憂下，設(shè)備業(yè)者已開(kāi)始擔(dān)憂，交期拉長(zhǎng)恐怕使部分原本可在2010年交貨的機(jī)臺(tái)，延后到2011年，使全年業(yè)績(jī)成長(zhǎng)幅度受到壓抑。 設(shè)備短缺現(xiàn)象自2009年第4季就已出現(xiàn)，尤其是關(guān)鍵機(jī)臺(tái)包括LED的金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MO
- 關(guān)鍵字： MOCVD，晶圓代工 DRAM
DDR3來(lái)臨 2010年DRAM市場(chǎng)云開(kāi)月明
- 2009年DRAM 市場(chǎng)烏云籠罩，廠商艱難度過(guò)黑暗時(shí)期，終于守得云開(kāi)見(jiàn)月明。春季溫和復(fù)蘇，夏季迎來(lái)光明。價(jià)格在春季的基礎(chǔ)上持續(xù)上漲，營(yíng)業(yè)收入也水漲船高。 三星走在前列，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率為19%，營(yíng)業(yè)收入達(dá)22 億美元，市場(chǎng)份額擴(kuò)大到35.5%的最高水平。 DDR3 來(lái)臨 第三季度，下一代 DRAM 技術(shù)——DDR3 看到希望，而且顯然這種技術(shù)代表未來(lái)的一股潮流。iSuppli 公司預(yù)測(cè)，DDR3 出貨量將在2010 年第一季度超過(guò)DDR2。 三星在 DDR3
- 關(guān)鍵字： DRAM DDR3
機(jī)臺(tái)交期延 DRAM廠制程微縮絆腳石
- 2010年臺(tái)DRAM廠將決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)，但新制程關(guān)鍵恐未必在技術(shù)上，而在于浸潤(rùn)式微顯影(Immersion Scanner)機(jī)臺(tái)設(shè)備采購(gòu)是否能跟上腳步，近期業(yè)界傳出瑞晶機(jī)臺(tái)原本2月要交貨，但目前交期已遞延至4月，南亞科和華亞科之前亦傳出機(jī)臺(tái)交貨不及，公司則澄清前期機(jī)臺(tái)已順利拉進(jìn)來(lái)，轉(zhuǎn)換制程進(jìn)度一切正常。 DRAM廠決戰(zhàn)50和40奈米制程技術(shù)最大挑戰(zhàn)是資金問(wèn)題，其中，機(jī)臺(tái)購(gòu)置成本占相當(dāng)大比重，由于1臺(tái)機(jī)臺(tái)設(shè)備動(dòng)輒要價(jià)新臺(tái)幣10億元，且每臺(tái)機(jī)器產(chǎn)能約僅1萬(wàn)片，若1座產(chǎn)能達(dá)10萬(wàn)片的12寸
- 關(guān)鍵字： Samsung DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。
動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]
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