DRAM設計鈺創(chuàng)董事長盧超群近日表示，DRAM產業(yè)確實遇到許多瓶頸，不過在未來世代，記憶體還是很重要的產品之一，DRAM產業(yè)仍有發(fā)展前景，不過要思考誰能在產業(yè)中獲利，而臺灣DRAM產業(yè)要能與韓國三星競爭，最重要的還是要拓展更多價值型的DRAM，如Mobile DRAM與Graphic DRAM產品，減少在大量型DRAM的比重，同時產官學也需引領一個新秩序，產業(yè)才有持續(xù)發(fā)展的機會。
盧超群表示，未來的IC將走向堆迭模式，臺積電也積極開發(fā)3D IC的技術，打算把CPU與記憶體等重要元件堆迭在一顆IC
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三星 DRAM
據IHS iSuppli公司的DRAM市場簡報，DRAM市場第三季度形勢困難，但幾家廠商和表現(xiàn)優(yōu)于產業(yè)整體水平，占市場營業(yè)收入的份額略有增長，尤其是韓國三星電子和美國美光。
總體來看，排名前8的廠商第三季度合計占有97.6%的DRAM市場，與第二季度時的97.4%相差很小。但是，合計營業(yè)收入降到66億美元，比第二季度時的80億美元減少了18.5%，如表1所示。與此同時，由于價格下滑23.0%，整體產業(yè)的營業(yè)收入環(huán)比亦下降15.8%，降至68億美元。
盡管第三季度形勢低迷，但還是有兩個明顯的
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三星 DRAM
2011年半導體商營收成長將呈現(xiàn)兩極化局面。根據ICInsights最新研究預估，2011年全球半導體市場產值成長率僅達2%，但受惠今年智慧型手機和平板等行動裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(NVIDIA)營收仍可擁有33%、26%及11%的亮眼表現(xiàn)。相較之下，今年五家動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)大廠，則受市況不佳影響，表現(xiàn)大不如前，估計僅三星(Samsung)和東芝(Toshiba)營收可微幅成長，其余均是下跌走勢，其中，爾必達(Elpida)營收衰退幅度恐高達39%
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DRAM 半導體 通訊IC
2011年半導體商營收成長將呈現(xiàn)兩極化局面。根據ICInsights最新研究預估，2011年全球半導體市場產值成長率僅達2%，但受惠今年智慧型手機和平板等行動裝置熱銷，高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)和輝達(NVIDIA)營收仍可擁有33%、26%及11%的亮眼表現(xiàn)。相較之下，今年五家動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)大廠，則受市況不佳影響，表現(xiàn)大不如前，估計僅三星(Samsung)和東芝(Toshiba)營收可微幅成長，其余均是下跌走勢，其中，爾必達(Elpida)營收衰退幅度恐高達39%
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高通 DRAM
蘭巴斯公司(Rambus)指控美光(Micron)與海力士(Hynix)共謀阻止其記憶芯片成為業(yè)界標準的官司失利，16日股價一度暴跌78%。
蘭巴斯指稱美光科技與南韓海力士公司違反加州反托辣斯法，串通操縱DRAM價格，但舊金山的加州高等法院法官16日以九票對三票駁回這項指控。
蘭巴斯16日午盤股價最多暴跌14.04美元，以每股4美元成交，跌幅高達78%，收盤時回升到7.11美元，但跌幅仍達60.6%。美光股票則飆升23.4%，以6.74美元收盤;海力士股價17日在首爾股市則漲3.8%，收每
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美光 DRAM
近日有業(yè)內媒體消息透露，包括力晶科技、南亞科技、華亞科技以及茂德科技在內的臺系四大DRAM芯片制造商2011年或將遭受重大虧損。據消息透露，臺系四大DRAM制造商2011年最終將可能遭受總額超過800億新臺幣的凈虧損，這一數(shù)字距離千億級別僅一步之遙，約折合26.7億美元。
該消息同時還指出，僅力晶科技、南亞科技以及華亞科技三大DRAM制造商，2011年前三個季度的凈虧損額累計就達到了約570億新臺幣，這其中還未包含茂德科技。原本今年的DRAM行業(yè)情況就已經相當糟糕，而近期以來泰國洪災的影響更是
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力晶科技 DRAM
力晶亟欲與標準型DRAM劃清界限的同時，也積極往NAND Flash產業(yè)靠攏，董事長黃崇仁表示，不要再說臺灣沒有內存自有技術了，力晶的NAND Flash技術目前臺灣唯一自產自銷，同時也呼吁美光(Micron)趕快把NAND Flash技術技轉給南亞科和華亞科，臺廠不要再死守DRAM產業(yè)，才有一起得救的機會;再者，他也暗示面板業(yè)資金借貸遠比DRAM產業(yè)包袱大，是政府和市場要重視之處。
力晶的NAND Flash技術師承日商瑞薩(Renesas)，早期幫是做代工，后來瑞薩退出后就將技術賣給力晶，力
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力晶 DRAM
據IHS iSuppli公司的DRAM研究報告，盡管其DRAM含量不斷增加，但機頂盒在DRAM市場中的份額未來幾年將進一步下降。
按比特出貨量計算，2010年機頂盒(STB)使用的DRAM所占份額為1.06%，今年將降到0.97%。除了2014年預計出現(xiàn)短暫反彈，機頂盒占DRAM市場的份額隨后將繼續(xù)下滑，到2015年將只有0.76%。
然而，機頂盒產業(yè)的DRAM比特出貨量不斷增加，預計明年將達到2.796億Gb，到2015年底預計達到6.646億Gb。每臺機頂盒使用的DRAM數(shù)量也將不斷增
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機頂盒 DRAM
日廠爾必達(Elpida)現(xiàn)居全球第3大DRAM廠地位，DIGITIMES Research觀察其2011年第3季營運表現(xiàn)，不僅營收僅641億日圓，為近7季最低水平，且營業(yè)損失與凈損更分別擴大至447億日圓與489億日圓，為近4季最大虧損金額，主因該季平均銷售單價(Average Selling Price;ASP)較第2季大幅下滑37%所致。
DIGITIMES Research分析，為改善虧損狀況，爾必達計劃自順應市場動向、降低成本、調整生產體制，及運用智財權優(yōu)勢等4方面著手提升獲利能力。
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爾必達 DRAM
據外國媒體報道，三星電子總裁近日宣稱，預計泰國洪災將會對個人電腦(PC)產量產生巨大沖擊，并將由此進一步沖擊計算機芯片市場，而且這種沖擊形成的不利局面可能要到明年第一季度才會好轉。
三星作為全球第二大個人電腦元件制造商，未能規(guī)避洪災的影響。自7月份以來的洪災重創(chuàng)了三星硬盤驅動(HDD)的產量，并進一步給整個個人電腦行業(yè)帶來了恐慌。特別是在全球整體經濟增長緩慢以及個人電腦面臨智能手機和平板電腦等 產品威脅的形勢之下，這種洪災對個人電腦產生的不利影響也就不言而喻。
三星是全球頂級的DRAM(動
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三星 DRAM
日本最大動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)生產商爾必達記憶體(Elpida Memory)近日稱,維持截至3月財年800億日圓(11億美元)的資本支出計劃不變.
該公司稱,預計當前季度記憶體芯片出貨量將增長約5%,上季增幅為16%.
其并稱,若日圓保持當前水準,將在籌備工作完成後把日本廣島工廠的生產轉移到臺灣瑞晶電子.
該公司表示,預計10-12月移動設備芯片出貨量持平,明年1-3月跳漲.
爾必達記憶體是排在三星電子和海力士半導體之後的全球第三大DRAM生產商。
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爾必達 DRAM
英特爾帶領全球ODM/OEM計算機大廠推出超輕薄筆電Ultrabook，記憶體架構不再采用DRAM模塊，而是改成將DRAM顆粒直接打在主板上的「板載DRAM(DRAM On Board)」，DRAM顆粒良品率就成為DRAM廠能否接到訂單最大關鍵。南科(2408)及美光陣營已是臺、美、日計算機廠DRAM顆粒直接供貨商，旗下封測廠福懋科(8131)躍居良品率測試重鎮(zhèn)，并成為Ultrabook架構改變下的最大受惠者?！ ?/li>
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福懋科 Ultrabook DRAM
據IHS iSuppli公司的DRAM研究報告，2011年以及隨后四年，DRAM在PC中的增長將急劇放緩，這主要是因為英特爾推出超薄便攜電腦以及云計算服務的發(fā)展。PC是使用DRAM的傳統(tǒng)大戶。
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筆記本電腦 DRAM
DRAM廠第3季財報陸續(xù)公布，在價格崩盤、減產導致出貨減少下，各廠第3季虧損金額都持續(xù)擴大，南亞科和華亞科合計單季虧損將近新臺幣190億元，力晶第3季則虧損66.63億元，對于DRAM產業(yè)后市，南亞科釋出悲觀訊息表示，近期泰國洪水問題影響到硬碟馬達龍頭廠日本電廠(Nidec)，客戶對于11、12月訂單仍在評估中，最悲觀的情況是對2012年1、2月需求產生沖擊，讓DRAM市場更加疲軟。
南亞科2011年第3季自行營收73.23億元，較上季減少約36%，營業(yè)凈損98.2億元，稅后虧損119.63億元
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南亞科 DRAM
據集邦科技訊 高科技產業(yè)在進入第四季之后，不少產業(yè)別因訂單減少，或是市場報價低于成本，而出現(xiàn)無薪假的傳聞。但DRAM業(yè)則是早已虧損累累，如果再面臨景氣衰退，業(yè)界擔心DRAM將不知何去何從!盡管有業(yè)界還是希望政府伸援手，卻不見有人開口，因為兩年多前政府所提的救DRAM方案，因為報價回升，業(yè)界很快就忘了虧損，也不愿配合自救方案，當時接受政府委托出面成立臺灣創(chuàng)新內存公司的宣明智，最后是白忙一場。
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臺積電 DRAM
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內存。DRAM 只能將數(shù)據保持很短的時間。為了保持數(shù)據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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