- 由于系統(tǒng)帶寬不斷的增加，因此針對更高的速度和性能，設計人員對存儲技術進行了優(yōu)化。下一代雙數據速率（DDR）SDRAM芯片是DDR3 SDRAM。 DDR3 SDRAM具有比DDR2更多的優(yōu)勢。這些器件的功耗更低，能以更高的速度工作，有更高的性能（2倍的帶寬），并有更大的密度。
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FPGA DDR3 存儲器 控制器
- 全球DRAM市場正加速進行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價格持續(xù)上漲，DDR2價格卻嚴重下跌，且累積庫存越來越多，近期韓系DRAM大廠開始祭出買DDR3模塊必須搭配買DDR2模塊的搭售策略，希望系統(tǒng)廠和模塊廠不要只購買DDR3模塊，由于DDR3模塊在現貨市場貨源奇缺，使得部分下游通路商亦跟進DRAM大廠，采取搭售策略，希望在DDR2與DDR3 模塊世代交替的同時，避免產品價格嚴重背道而馳。
近期DRAM市場已呈現兩極化發(fā)展，DDR3芯片市場缺貨情況持續(xù)惡化，但DDR2芯片庫存卻是愈堆愈多，存儲
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DRAM DDR3
- 據國外媒體報道，由于計算機內存芯片供不應求可能有助于利潤創(chuàng)下4年來新高，全球第二大內存芯片廠商海力士計劃今年償還逾1萬億韓元債務(約合8.88億美元)。
海力士首席執(zhí)行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪時表示，“我們的目標是，在進行必要投資的同時償還巨額債務。目前，海力士有息債務約為7萬億韓元(約合62.16億美元)。”
更少的債務和更高的利潤有助于海力士吸引其他收購方。去年11月，曉星公司撤消了收購海力士的收購要約。分析師稱，由于PC需求增長，今年
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DRAM 內存芯片 DDR3
- 2010年PC主流內存標準從DDR2向DDR3的轉換正在逐步成為現實。據臺灣媒體報道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現急劇下滑，多家臺系DRAM芯片制造商都在加快產能從DDR2向DDR3轉換的步伐。根據稍早前的報道，臺灣力晶(PSC)半導體以及他們和日本爾必達合資的瑞晶電子(Rexchip)預計，今年第一季度DDR3晶圓在其總產能中所占比例 將超過70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產量的比例還不足5%。從去年第四季度開始，力晶和瑞晶已經明顯加快了增產DDR3的步伐。
另一家DRAM大廠
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DRAM DDR2 DDR3
- DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉移到DDR3身上，近期臺系 DRAM廠紛搶著將產能轉移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預計第1季底DDR3比重將達70%，速度超乎預期。不過，亦有業(yè)者認為，若大家都搶著把DDR2產能轉走，說不定會意外讓DDR2跌勢止穩(wěn)，反而有利于DDR2價格走勢。
臺 DRAM廠表示，原本業(yè)者認為在農歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機會，因為DDR2若
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DRAM DDR2 DDR3 存儲器
- 臺灣力晶半導體表示，經過連續(xù)十個季度的虧損后，受需求反彈和芯片價格穩(wěn)步上漲的推動，第四財政季度公司實現凈利潤。
力晶半導體在其網站上發(fā)布公告稱，已有大量現金流入公司，這將顯著改善公司的財務結構。該公司并未提供截至去年12月31日財季的凈利潤數據。
力晶半導體稱，公司將通過增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤成果。公司預計，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達到75%。
分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個人電腦應用的主流內存芯片。與DDR2芯片相比，DDR3的處理速度更快，
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力晶 DDR3
- 據國外媒體報道，臺灣力晶半導體近日表示，經過連續(xù)十個季度的虧損后，受需求反彈和芯片價格穩(wěn)步上漲的推動，第四財政季度公司實現凈利潤。
力晶半導體在其網站上發(fā)布公告稱，已有大量現金流入公司，這將顯著改善公司的財務結構。該公司并未提供截至去年12月31日財季的凈利潤數據。
力晶半導體稱，公司將通過增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤成果。公司預計，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達到75%。
分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個人電腦應用的主流內存芯片。與DDR2芯片相比，DD
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力晶 內存芯片 DDR3
- 華亞科辦理6.4億股的現金增資，南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認購現增額度，但近期傳出美光向臺塑集團攤牌，希望能增加認購比例，爭取華亞科更多股權，惟臺塑集團回決此提議，認為目前「等權共治」策略較佳。內存業(yè)者表示，在瑞晶股權落入爾必達(Elpida)手中后，華亞科主導權亦成為臺、美雙方角力戰(zhàn)場，背后意義在于DRAM產能分配和潛在市占率。不過，針對美光要求提高華亞科持股一事，華亞科與南亞科均不予置評。
2009年臺DRAM產業(yè)整合計劃白忙1年，而茂德與海力士(Hynix)分手，亦使
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華亞科 DRAM DDR3
- 隨著2010年寒假及春節(jié)的臨近，電子賣場即將迎來新一輪的銷售高潮。記者在走訪中關村電子賣場時了解到，步入2010年，多數型號內存價格已有小幅上漲，或已計劃漲價。銷售人員向記者介紹道，從2009年中旬至今，內存價格一路上揚，其主要原因在于金融危機對中國市場的影響逐漸消逝，而各廠家的出貨量沒有迅速提高，導致部分廠家、型號的內存出現短時間缺貨。
據商家預計，2010年內存價格仍會緩慢上漲，寒假銷售情況被普遍看好。
據國外專業(yè)分析機構DRAMeXchange報道，受2010年PC銷量看漲以及OEM
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奇夢達 DRAM DDR3 內存
- 2010年DRAM產業(yè)前景看好，臺系DRAM廠忙著搶錢擴大產能，華亞科日前宣布辦理現金增資，預計再募資超過新臺幣百億元，日前已正式獲得證期局的同意。華亞科預計2010年資本支出上看450億元，與同為臺塑集團的南亞科合計資本支出高達640億元，2家DRAM廠雙雙展開搶錢大作戰(zhàn)，一同轉進50奈米制程世代，且同時增加DDR3新產品的出貨比重，屆時生產成本可持續(xù)降低。
經歷2008年金融風暴洗禮，全球DRAM廠從破產邊緣逐漸爬起，也使得各廠都沒有多余的資金可以擴產和進行制程微縮，配合終端需求有Windo
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華亞科 DRAM DDR3
- 據DRAMeXchange預測，由于同期的PC銷量看好，加上OEM廠商為了保證庫存會開始大量進貨，因此明年下半年內存市場可能會出現嚴重的缺貨現象。另外，內存價格的低迷走勢有望于明年第二季度開始減緩，而各大內存廠商則有望于明年年底實現扭虧為盈。
DRAMeXchange還預測稱，明年第一季度，DDR3內存將力壓DDR2成為內存市場的主流產品，到明年年底，DDR3內存的銷量將可占據內存市場整體份額的80%。相比另外一家市場分析機構iSuppli上個月的預測而言，DRAMeXchange對DDR3的信
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PC DRAM DDR3
- 爾必達公司近日宣布其位于廣島的芯片廠已經開始量產40nm制程2Gb DDR3內存芯片產品，爾必達公司今年10月份剛剛完成40nm制程2Gb DDR3內存芯片技術的開發(fā)工作，而他們只用了兩個月的時間便將這項技術投入了量產。
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比較現有的50nm制程技術，40nm制程能在每片晶圓上多產出44%的DDR3內存芯片，而且新制程用于生產1.6Gbps規(guī)格的DDR3內存芯片時的良率可達100%。芯片工作電壓方面，40nm制程的DDR3芯片也比50nm制程的產品的1.5V降低了2/3左右，達到1
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爾必達 40nm 2Gb DDR3
- 爾必達公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內存芯片產品的開發(fā)工作，并稱使用這種新制程技術制作出的內存芯片在制作成本方面要比現有的50nm制程內存芯片更低。當應用在300mm尺寸晶 圓上時，這種65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年開發(fā)完成)的產出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進一步縮小芯片的尺寸之外，還可以顯著減小廠方在制造設備上的費用投資。
這種65nm XS制程技術的1Gb DDR3內存芯片面向的
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爾必達 65nm DDR3
- 2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。
DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內也不會過時，它的價格在過去數月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。
主要有兩個原因在推動產業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。
新款英特爾處理器
促進產業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內
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DRAM DDR2 DDR3
- 2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。
DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內也不會過時，它的價格在過去數月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。
主要有兩個原因在推動產業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。
新款英特爾處理器
促進產業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內
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DRAM 存儲 DDR3 DDR2
ddr3介紹
目錄概述
設計
發(fā)展
DDR3內存的技術改進
概述
針對Intel新型芯片的一代內存技術（但目前主要用于顯卡內存），頻率在800M以上，和DDR2相比優(yōu)勢如下：
(1)功耗和發(fā)熱量較?。何×薉DR2的教訓，在控制成本的基礎上減小了能耗和發(fā)熱量，使得DDR3更易于被用戶和廠家接受。
(2)工作頻率更高：由于能耗降低，DDR3可實現更高的工作頻率，在一定程度 [
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