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賽靈思Kintex-7 FPGA DDR3接口性能演示

該視頻演示了Kintex-7FPGA的DDR3內(nèi)存的接口性能
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電源設(shè)計(jì)技巧：DDR內(nèi)存電源

CMOS邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源...
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電源設(shè)計(jì)小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運(yùn)行速度，允許系統(tǒng)時(shí)鐘頻
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深入研究DDR電源

DDR存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程由于幾乎在所有要求快速處理大量數(shù)據(jù)(可能是計(jì)算機(jī)、服務(wù)器或游戲系統(tǒng))的應(yīng)用中都要求 ...
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使用Xilinx的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測(cè)試

目前廣泛使用的計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片是DDR(雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)[1]。它的最新品種DDR3單片容量已經(jīng)可以...
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使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA作DDR芯片測(cè)試

使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB，在生成控制模塊時(shí)設(shè)置不同參數(shù)，可以輕而易舉的實(shí)現(xiàn)對(duì)不同型號(hào)的DDR存儲(chǔ)芯片的測(cè)試，數(shù)據(jù)率可高達(dá)800Mb/s以上。由于時(shí)間利用率比使用計(jì)算機(jī)主板測(cè)試DDR芯片高得多，所以可以極大地節(jié)約測(cè)試時(shí)間。
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基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì)

基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計(jì),摘要：介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù)，它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫(xiě)頻率限制，提供更好的讀寫(xiě)速度，以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲(chǔ)要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計(jì)方法。
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DDR SDRAM在高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中的應(yīng)用

在數(shù)據(jù)處理中為了更好地對(duì)被測(cè)對(duì)象進(jìn)行處理和分析，研究人員們把重點(diǎn)更多的放在高速、高精度、高存儲(chǔ)深度的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的研究上由于A／D芯片及高性能的FPGA的出現(xiàn)，已經(jīng)可以實(shí)現(xiàn)高速高精度的數(shù)據(jù)處理，則
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DDR測(cè)試技術(shù)與工具

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)
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DRAM內(nèi)存迎來(lái)價(jià)格反彈期

　　臺(tái)灣南亞科技2月16日表示，今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片期貨價(jià)增長(zhǎng)幅度至少達(dá)到5%，并以此開(kāi)啟增長(zhǎng)勢(shì)頭。此前他們預(yù)計(jì)DRAM芯片價(jià)格最早在一季度開(kāi)始恢復(fù)增長(zhǎng)。　　
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DDR信號(hào)測(cè)量方法及信號(hào)完整性驗(yàn)證面臨的挑戰(zhàn)與建議

1． DDR概述　　如今，存儲(chǔ)器件在計(jì)算機(jī)、汽車(chē)與消費(fèi)電子產(chǎn)品上可謂無(wú)所不在。其中DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是最常用的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)之一，而隨著該技術(shù)的發(fā)展，其傳輸速率在日益加快，功耗在日益
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基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制研究與設(shè)計(jì)

1內(nèi)存條的工作原理DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成，DDRSDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)...
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基于FPGA的DDR內(nèi)存條的控制

摘要：隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的日益加大以及存儲(chǔ)速度的加快，大容量的高速存儲(chǔ)變得越來(lái)越重要。內(nèi)存條既能滿(mǎn)足大容量的存儲(chǔ)又能滿(mǎn)足讀寫(xiě)速度快的要求，這樣使得對(duì)內(nèi)存條控制的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。首先介紹了內(nèi)存條的工作原
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Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口

Cyclone II如何實(shí)現(xiàn)的DDR SDRAM接口,在不增加電路板復(fù)雜度的情況下要想增強(qiáng)系統(tǒng)性能，改善數(shù)據(jù)位寬是一個(gè)有效的手段。通常來(lái)說(shuō)，可以把系統(tǒng)頻率擴(kuò)大一倍或者把數(shù)據(jù)I/O管腳增加一倍來(lái)實(shí)現(xiàn)雙倍的數(shù)據(jù)位寬。這兩種方法都是我們不希望用到的，因?yàn)樗鼈儠?huì)增加
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用高帶寬混合信號(hào)示波器進(jìn)行DDR驗(yàn)證和調(diào)試的技巧

DDR存儲(chǔ)器，也稱(chēng)雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，常用于高級(jí)嵌入式電路系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，包括計(jì)算機(jī)、交通運(yùn)輸、家庭娛樂(lè)系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品。 DDR的廣泛采用也推動(dòng)著DDR存儲(chǔ)器自身的研發(fā)，在DDR 1和DDR
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ddr介紹

　DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存　　嚴(yán)格的說(shuō)DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱(chēng)為DDR，部分初學(xué)者也?？吹紻DR SDRAM，就認(rèn)為是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的縮寫(xiě)，是雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的意思。DDR內(nèi)存是在SDRAM內(nèi)存基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的，仍然沿用SDRAM生產(chǎn)體系，因此對(duì)于內(nèi)存廠商而言，只需對(duì)制造普通SD [ 查看詳細(xì) ]