ddr-sdram 文章進(jìn)入ddr-sdram技術(shù)社區(qū)

處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹

處理器外接SDRAM的控制技術(shù)介紹,現(xiàn)代的處理器(SoC)或DSP都內(nèi)建有內(nèi)存控制器，它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAMhellip;hellip;等內(nèi)存的控制接口。但不同處理器內(nèi)部的內(nèi)存控制方式都不盡相同，而且它們的控制程序大部分都位于開機(jī)程序內(nèi)，皆屬于
關(guān)鍵字：介紹技術(shù) 控制 SDRAM 處理器

DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)
關(guān)鍵字： DDR 測(cè)試技術(shù)

　　DDR是雙倍數(shù)據(jù)速率的SDRAM內(nèi)存，如今大多數(shù)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、服務(wù)器產(chǎn)品的主流存儲(chǔ)器技術(shù)，并且不斷向嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域滲透。孰不知，隨著iPhone等大牌智能手機(jī)的采納，DDR內(nèi)存儼然成為智能手機(jī)轉(zhuǎn)變的方向之一，例如韓國(guó)泛泰去年底最新推出的Android智能手機(jī)Vega X就搭載了512MB的DDR2內(nèi)存。　　DDR技術(shù)不斷發(fā)展，并行總線達(dá)到了串行技術(shù)的速度，時(shí)鐘速度達(dá)到1GHz。目前，DDR3現(xiàn)在已經(jīng)具備1.6Gb/s的數(shù)據(jù)速率，而DDR3-1866及更高速率版本正在開發(fā)中，很快就會(huì)出現(xiàn)在市場(chǎng)上。
關(guān)鍵字： SDRAM DDR測(cè)試

　　臺(tái)灣南亞科技2月16日表示，今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片期貨價(jià)增長(zhǎng)幅度至少達(dá)到5%，并以此開啟增長(zhǎng)勢(shì)頭。此前他們預(yù)計(jì)DRAM芯片價(jià)格最早在一季度開始恢復(fù)增長(zhǎng)。　　
關(guān)鍵字： DRAM DDR

要FPGA與的數(shù)字信號(hào)采集系統(tǒng)。可以提供大容量的存儲(chǔ)空間。提供優(yōu)秀的系統(tǒng)適應(yīng)能力。該方案通過(guò)計(jì)算機(jī)并口實(shí)現(xiàn)與計(jì)算機(jī)的通信 ,但是高性能的邏輯分析儀價(jià)格昂貴,而且存取深度不足限制了對(duì)于海量數(shù)字電視信號(hào)的分析能力
關(guān)鍵字： SDRAM FPGA 數(shù)字電視信號(hào) 采集系統(tǒng)

采用90nm工藝制造的DDR3 SDRAM存儲(chǔ)器架構(gòu)支持總線速率為600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高帶寬，工作電壓低至1.5V，因此功耗小，存儲(chǔ)密度更可高達(dá)2Gbits。該架構(gòu)無(wú)疑速度更快，容量更大，單位比特的功耗更低，但問(wèn)
關(guān)鍵字： SDRAM FPGA DDR3 存儲(chǔ)器

基于SDRAM文件結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng),O 引言　　面對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，原始采樣數(shù)據(jù)可能包含多種不同樣式的信號(hào)，這給傳統(tǒng)基于連續(xù)存儲(chǔ)方式的數(shù)據(jù)緩存系統(tǒng)帶來(lái)了挑戰(zhàn)。除此之外，由于對(duì)不同信號(hào)的處理往往需要不同的數(shù)據(jù)幀結(jié)構(gòu)，緩存系統(tǒng)的設(shè)計(jì)需要保存原
關(guān)鍵字：方式數(shù)據(jù) 系統(tǒng) 存儲(chǔ) 結(jié)構(gòu) SDRAM 文件基于

1． DDR概述　　如今，存儲(chǔ)器件在計(jì)算機(jī)、汽車與消費(fèi)電子產(chǎn)品上可謂無(wú)所不在。其中DDR SDRAM(雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)是最常用的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)技術(shù)之一，而隨著該技術(shù)的發(fā)展，其傳輸速率在日益加快，功耗在日益
關(guān)鍵字： DDR 信號(hào)測(cè)量方法信號(hào)完整性

基于Xilinx 和FPGA的DDR2 SDRAM存儲(chǔ)器接口控制器的設(shè)計(jì),　　本白皮書討論各種存儲(chǔ)器接口控制器設(shè)計(jì)所面臨的挑戰(zhàn)和 Xilinx 的解決方案，同時(shí)也說(shuō)明如何使用 Xilinx軟件工具和經(jīng)過(guò)硬件驗(yàn)證的參考設(shè)計(jì)來(lái)為您自己的應(yīng)用(從低成本的 DDR SDRAM 應(yīng)用到像 667 Mb/sDDR2 SDRAM 這樣
關(guān)鍵字：接口控制器設(shè)計(jì) 存儲(chǔ)器 SDRAM Xilinx FPGA DDR2 基于

1內(nèi)存條的工作原理DDR內(nèi)存條是由多顆粒的DDRSDKAM芯片互連組成，DDRSDRAM是雙數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)...
關(guān)鍵字： FPGA DDR 內(nèi)存 SDKAM

　　臺(tái)系DRAM廠陸續(xù)啟動(dòng)多角化產(chǎn)品線策略，近期茂德悄悄與鈺創(chuàng)進(jìn)行結(jié)盟，將在中科12寸晶圓廠為鈺創(chuàng)代工高容量256Mb DDR2產(chǎn)品，采用72納米制程，目前已進(jìn)入試產(chǎn)，這是茂德跨入消費(fèi)性電子市場(chǎng)重要里程碑，對(duì)鈺創(chuàng)而言，亦在SDRAM產(chǎn)能吃緊情況下獲得及時(shí)雨。　　2008~2009 年DRAM產(chǎn)業(yè)低潮雖然僅淘汰歐系奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)，但各家DRAM業(yè)者都意識(shí)到太過(guò)執(zhí)著于標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品，終究是一條不歸路，因此自 2010年開始，陸續(xù)傳出DRAM廠開始布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)品領(lǐng)域，包括SDRAM、
關(guān)鍵字： Qimonda DRAM SDRAM

摘要：隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的日益加大以及存儲(chǔ)速度的加快，大容量的高速存儲(chǔ)變得越來(lái)越重要。內(nèi)存條既能滿足大容量的存儲(chǔ)又能滿足讀寫速度快的要求，這樣使得對(duì)內(nèi)存條控制的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。首先介紹了內(nèi)存條的工作原
關(guān)鍵字： FPGA DDR 內(nèi)存條