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傳TMC研發(fā)中心花落聯(lián)電 可望擴大聯(lián)電營運版圖
- 臺灣內(nèi)存公司(TMC)投資計劃書已正式送交臺灣“經(jīng)濟部工業(yè)局”!根據(jù)業(yè)者由日本爾必達及通產(chǎn)省所獲知的消息指稱，TMC的制造中心將鎖定瑞晶，研發(fā)中心將結(jié)合聯(lián)電研發(fā)資源。 對此，聯(lián)電高階主管表示毫不知情;“經(jīng)濟部”工業(yè)局對此說法予以否認。 業(yè)界盛傳，TMC研發(fā)中心若能進一步與聯(lián)電結(jié)果，搭配放寬晶圓廠赴大陸投資規(guī)定，讓聯(lián)電與大陸和艦合并案成形，聯(lián)電集團營運版圖將大幅擴大。而瑞晶將成為TMC最大生產(chǎn)基地。 對此傳言，力晶董事長黃崇仁表示，力晶持
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減產(chǎn)帶動市況好轉(zhuǎn) DRAM供過于求隱憂未除
- 制造廠大規(guī)模減產(chǎn)，帶動DRAM市況逐步好轉(zhuǎn)，再加上日、韓政府有意紓困DRAM產(chǎn)業(yè)，這使臺灣TMC推動產(chǎn)業(yè)技術(shù)扎根計劃增加難度。不過，全球DRAM產(chǎn)業(yè)仍無法擺脫供過于求隱憂。 DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展與TMC未來走向再度受到外界注目。 動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)廠近來紛紛減產(chǎn)自救，并已略具成效。另外，日本及韓國政府也有意對DRAM廠紓困，讓臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)技術(shù)扎根難度大增，政府聯(lián)美、日抗韓的夢想是否因而幻滅也備受關(guān)注。 全球DRAM廠于2006年大規(guī)模擴產(chǎn)，造成市場嚴(yán)重供過于求，讓DRAM產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： TMC DRAM
俄羅斯政府可能向奇夢達注資
- 徘徊于倒閉邊緣的DRAM制造商奇夢達可能已經(jīng)找到了潛在投資者。德國薩克森州州長本周發(fā)表聲明稱俄羅斯聯(lián)邦政府正在考慮向奇夢達注資。薩克森州州長Stanislaw Tillich的一位發(fā)言人稱，俄羅斯總理普京在本周早些時候與Tillich會晤后，指示俄羅斯工業(yè)與貿(mào)易部部長 Viktor Khristenko考慮向奇夢達投資的有關(guān)事宜。 而在四月初，此前媒體報道的三家有意投資奇夢達的俄羅斯公司：Angstrem, Sitronics以及AFK-Sistema都否認了他們的投資計劃。它們
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現(xiàn)貨市場供給吃緊 有助于DDR2 1Gb顆粒價格上漲
- 現(xiàn)貨市場供給吃緊，將有助于DDR2 1Gb顆粒價格未來上漲趨勢 DRAM顆?，F(xiàn)貨價格自4月13日的0.95美元上漲至4月16日的1.13美元，漲幅達19%，據(jù)市場人士表示由于eTT的主要供應(yīng)者如力晶和爾必達在短期間將停止顆粒出貨至現(xiàn)貨市場中，現(xiàn)貨市場買家進場補貨,拉高庫存，帶動DDR2 1Gb eTT價格一度上漲至1.20美元。 上周現(xiàn)貨市場傳出爾必達將停止出貨給臺灣模塊廠客戶，力晶也決定到六月底前將出貨的數(shù)量控制在最低水位，影響所及，也讓投機性買盤在現(xiàn)貨市場中發(fā)酵并讓DDR2 1Gb e
- 關(guān)鍵字： 爾必達 DRAM
瑞晶65納米制程將獲利 DRAM廠不靠政府仍可存活
- 臺、日合資的瑞晶將旗下7.5萬片產(chǎn)能全數(shù)轉(zhuǎn)進65納米製程后，由于極具成本競爭力，1Gb DDR2價格只要跨過1.5美元門檻，瑞晶營運就會開始有現(xiàn)金流入，對照22日現(xiàn)貨價已漲至1.2美元，瑞晶極可能在5月成為臺灣第1家開始獲利的DRAM廠。臺DRAM廠認為，這證明不用靠政府，還是可以活過來! 爾必達(Elpida)與力晶合資DRAM廠瑞晶，旗下中科12吋晶圓廠單月滿載產(chǎn)能8萬片，日前已將原本70納米製程全數(shù)轉(zhuǎn)進65納米製程，由于轉(zhuǎn)換過程部分機器設(shè)備有瓶頸，產(chǎn)出微幅減少5,000片，單月實際產(chǎn)能7.
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內(nèi)存晴雨表：聲稱內(nèi)存市場復(fù)蘇的報告過于夸張
- 在面臨破產(chǎn)威脅之際，許多內(nèi)存供應(yīng)商為了維護自己的形象，紛紛強調(diào)潛在的市場復(fù)蘇，試圖向外界描繪出一幅比較樂觀的圖景。但是，雖然預(yù)計總體內(nèi)存芯片價格將在2009年剩余時間內(nèi)趨于穩(wěn)定，但iSuppli公司認為，這些廠商不會在近期真正恢復(fù)需求與獲利能力。 繼第一季度全球DRAM與NAND閃存營業(yè)收入比去年第四季度下降14.3%之后，這些產(chǎn)品市場將在今年剩余時間內(nèi)增長。第二季度DRAM與NAND閃存營業(yè)收入合計將增長3.6%，第三和第四季度分別增長21.9%和17.5%。 圖4所示為iSuppli公
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爾必達DRAM擬漲價并尋求注資 股價勁升15%
- 北京時間4月22日晚間消息，據(jù)國外媒體報道，日本爾必達記憶體股價周三大漲近15%，因其計劃大幅上調(diào)芯片價格，同時有報導(dǎo)指該公司可能尋求5億美元公共注資以充實資本。 該公司下月起將上調(diào)晶片價格約50%，因為先前的減產(chǎn)已經(jīng)緩解芯片產(chǎn)業(yè)供應(yīng)過剩的局面。爾必達是全球第三大動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)廠商。 芯片廠商在過去繁榮時期的過度投資，導(dǎo)致產(chǎn)業(yè)步入長達兩年的下滑，奇夢達被迫申請破產(chǎn)，而累累虧損的爾必達亦被迫與臺灣記憶體公司結(jié)盟，后者是臺灣政府設(shè)立的企業(yè)，旨在救援本地芯片廠商。 全球經(jīng)濟
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ASML的上半年訂單落空 預(yù)期下半年有望回復(fù)
- 按全球第一大光刻設(shè)備供應(yīng)商ASML公司的預(yù)估，其Q1的銷售額將從08年Q4的4.94億歐元下降到1.84億歐元，而去年同期為9.19億歐元，下降達80%。 ASML預(yù)計Q2的銷售額在2.1-2.3億歐元間，因為受工藝制程的進一步縮小推動，產(chǎn)業(yè)可能會在今年下半年開始復(fù)蘇，訂單回歸到4.0-5.0億歐元。新的工藝制程會要求購買新的或者升級現(xiàn)有的設(shè)備。 如08年僅只有各領(lǐng)域的領(lǐng)先者在購買設(shè)備，主要集中在如閃存flash的45nm、DRAM的55nm及代工的45nm客戶。預(yù)計2009年會加速工藝制
- 關(guān)鍵字： ASML 光刻 DRAM
DRAM廠50nm制程的轉(zhuǎn)進與資本投資
- DRAM價格持續(xù)低于現(xiàn)金成本;2009年資本支出大減56% 隨著全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨了超過二年的不景氣，加上去年下半年金融風(fēng)暴襲卷造成消費需求急凍之下，2008年DRAM顆粒價格下跌逾85%，2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb價格回到了0.88美元均價，但仍在材料成本與現(xiàn)金成本之間，在DRAM廠本身面臨到極大的現(xiàn)金流出壓力下，不僅要大幅減產(chǎn)因應(yīng)，對新制程轉(zhuǎn)進，也在大減資本支出下延后時程。根據(jù)集邦科技調(diào)查統(tǒng)計，全球2009年的DRAM資本支出已經(jīng)下修至54億美元，比起2008年時122億
- 關(guān)鍵字： 集邦 DRAM 摩爾定律
臺灣記憶體公司面臨更嚴(yán)格審查
- 臺灣政府面臨對臺灣記憶體公司(Taiwan Memory)越來越嚴(yán)格的審查。為了改革臺灣陷入困境的動態(tài)隨機存取存儲器(D-Ram)芯片業(yè)，臺灣政府成立了臺灣記憶體公司。 臺灣立法院經(jīng)濟委員會昨天通過了一項提案，要求政府定期提供有關(guān)臺灣記憶體公司的報告。 提出提案的反對黨立委潘孟安表示，臺灣記憶體公司的結(jié)構(gòu)已經(jīng)與立法者和行業(yè)的預(yù)期大不相同。“臺灣記憶體成立時，我們以為它能加快產(chǎn)業(yè)整合，幫助臺灣與韓國競爭，但希望的火花變成了曇花一現(xiàn)。” 臺灣記憶體公司是為了應(yīng)對D-Ram產(chǎn)業(yè)迄今
- 關(guān)鍵字： TMC Dram
日本政府和臺灣當(dāng)局支持爾必達與TMC合作
- 日前日本政府與臺灣當(dāng)局達成共識，將針對日本半導(dǎo)體大廠爾必達公司及臺灣當(dāng)局出資設(shè)立的臺灣內(nèi)存(TMC)公司的合作提供支持。 報導(dǎo)指出，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的審議官木村雅昭近日造訪臺灣當(dāng)局，一致同意期待爾必達與TMC的合作。 日本本期國會將審議有關(guān)產(chǎn)業(yè)活力再生特別措施法(簡稱「產(chǎn)業(yè)再生法」)的修正案，爾必達正考慮在修法之后，運用官方的紓困金以增強資本。 日本政府也在檢討該修正案通過后，如何提供具體的支持。 報導(dǎo)指出，TMC是臺灣官民合資所成立的新公司。爾必達于4月1日決定將與TMC合作。
- 關(guān)鍵字： TMC DRAM
集邦：今年DRAM業(yè)資本支出54億美元 年減56%
- 全球DRAM廠持續(xù)減產(chǎn)，以減少虧損及資金流出，并放緩制程技術(shù)推進時程;集邦科技預(yù)期，今年全球DRAM產(chǎn)業(yè)資本支出約54億美元，年減56%。 集邦科技表示，50納米制程技術(shù)每片晶圓顆粒產(chǎn)出量可望較60納米制程增加40%至50%，有助于制造廠降低成本達3成以上。 只是集邦科技估計，以目前DRAM制程來看，DRAM生產(chǎn)線升級至浸潤式技術(shù)所需設(shè)備費用，及其它轉(zhuǎn)進新制程所需支出，每1萬片產(chǎn)能需要1億美元左右的資本支出。 而減少資金流出，為DRAM廠當(dāng)務(wù)之急，期能安然度過這波景氣寒冬，因此，集邦
- 關(guān)鍵字： 集邦 DRAM
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