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大功率寬帶射頻脈沖功率放大器設計
- 大功率線性射頻放大器模塊廣泛應用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統(tǒng)中，其寬頻帶、大功率的產(chǎn)生技術是無線電子通訊系統(tǒng)中的一項非常關鍵的技術。隨著現(xiàn)代無線通訊技術的發(fā)展，寬頻帶大功率技術、寬頻帶跳頻、擴頻技術對固態(tài)線性功率放大器設計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設備模塊化。 通常情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場效應管(FET)設計要比使用常規(guī)功率晶體管設計方便簡單，正是基于場效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易
- 關鍵字： 放大器 寬帶射頻 MOSFET
讀取隔離端數(shù)字狀態(tài)無需附加電源(06-100)
- 電子系統(tǒng)常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進行隔離,比如在醫(yī)療產(chǎn)品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵源必須與后級處理電路隔離,當然需要隔離的應用場合還很多，如采集爆炸現(xiàn)場參數(shù)的電路同樣需要與后級完全隔離，等等。 在這些應用中,通常需要采集被隔離電路的數(shù)字線上的一些狀態(tài)參數(shù), 傳統(tǒng)的辦法是采用光耦得以實現(xiàn).然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉換時間長(或動態(tài)響應慢)，再者,隨著光發(fā)射器老化，其光電轉換增益將隨時間減小。 采用圖1所示電
- 關鍵字： Maxim MOSFET RC DATA_IN
NXP推出的高性能小信號MOSFET SOT883
- 恩智浦半導體（NXP Semiconductors）發(fā)布了全新的小信號MOSFET器件系列，新產(chǎn)品采用了全球最小封裝之一的SOT883進行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0 x 0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據(jù)14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對眾多應用而設計，包括DC/DC電源轉換器模塊、液晶電視電源以及手機和其他便攜設備的負載開關。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關速度和非常低的Rds(on)
- 關鍵字： MOSFET
什么是MOSFET
- “MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。 MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。功率MO
- 關鍵字： MOSFET
可降低油耗的汽車電子系統(tǒng)
- 我們如何才能使汽車駕駛室具備更多的功能，使發(fā)動機具有更大的功率，同時還能夠符合各國政府對每加侖行駛距離的要求?只有采用新一代的低導通電阻功率 MOSFET將汽車中傳統(tǒng)的電力系統(tǒng)和液壓系統(tǒng)改為電子系統(tǒng)，這些MOSFET不但可以提高汽車的舒適性和安全性，還能夠提高燃油的行駛距離。 發(fā)動機不僅僅要讓汽車在路上行駛，還要為整個汽車系統(tǒng)提供動力。現(xiàn)在人們對汽車的娛樂性、舒適性及安全性的要求越來越高。通過深入分析發(fā)現(xiàn)，對于一輛普通的汽車，每加侖的汽油所產(chǎn)生的能量最終用在車輪行駛上的不到15%，而大部分的能量
- 關鍵字： MOSFET 油耗
Maxim推出內置低導通阻抗開關的高效率雙路3A/5A降壓調節(jié)器
- Maxim推出MAX8833/MAX8855，該系列器件是業(yè)界第一款具有以下功能的降壓型調節(jié)器：工作在3.3V或2.5V輸入下，分別可提供雙路3A或雙路5A輸出，并且內置開關可最大程度節(jié)省空間。除了節(jié)省空間外，器件由于采用內部MOSFET，因此可有效地工作在低輸入電壓下，這是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能實現(xiàn)的。在低壓應用中，分立的競爭方案需要更高電壓實現(xiàn)完全導通，相比較而言，內部MOSFET則可提供更優(yōu)異的性能。MAX8833/MAX8855分別具有49mΩ和37mΩ低導通阻抗，可以以超過1M
- 關鍵字： Maxim 調節(jié)器 MOSFET 其他IC 制程
電源管理和MOSFET推動中國功率器件市場發(fā)展
- 全球能源需求的不斷增長以及環(huán)境保護意識的逐步提升使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場發(fā)展的新趨勢。為此，電源|穩(wěn)壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來越多的應用到整機產(chǎn)品中。在整機市場產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機產(chǎn)品中應用比例不斷提升的雙重帶動下，中國功率器件市場在2007-2011年將繼續(xù)保持快速增長，但由于市場基數(shù)的不斷擴大，市場增長率將逐年下降。預計到2011年時中國功率器件市場銷售額將達到1680.4億元，2007-2011年中國功率器件市場年均復合增長率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
- 關鍵字： 模擬技術 電源技術 MOSFET 芯片 IC 元件 制造
功率模塊市場增長 產(chǎn)業(yè)發(fā)展迫在眉睫
- 功率半導體器件的應用迄今已有50年歷史，自上世紀80年代以來，隨著新型功率半導體器件尤其是電源管理芯片的蓬勃發(fā)展，功率器件極大地拓展了應用領域。全球各大廠商也不失時機地加大研發(fā)力度，占領市場高地。 發(fā)展功率半導體產(chǎn)業(yè)迫在眉睫 目前，我國功率半導體企業(yè)生產(chǎn)條件和產(chǎn)品大都停留在國外上世紀70年代的水平。有個別集成電路企業(yè)制造一些小電流低檔老產(chǎn)品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢復和超快恢復二極管完全不能制造。因此，我國市場用的功率器件約90%依賴進口，其余約10%低檔產(chǎn)品是自己制造的。
- 關鍵字： 模擬技術 電源技術 功率 半導體 VD-MOSFET 模擬IC 電源
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