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            內(nèi)置MOSFET降壓型開關(guān)穩(wěn)壓器NJW1933

            飛兆汽車級高速、低邊驅(qū)動器系列可提高效率、簡化設(shè)計

            • 使用功率MOSFET的汽車應(yīng)用要求柵極驅(qū)動器具備高峰值驅(qū)動電流和低輸出阻抗。來自飛兆半導(dǎo)體的 FAN31xx_F085 和FAN32xx_F085* 系列高速、低端汽車合格柵極驅(qū)動器(紐約證券交易所代碼: FCS)為電源和其他高效MOSFET開關(guān)應(yīng)用帶來了靈活性,可提供大量功能和性能組合選擇以創(chuàng)建緊湊、高效和可靠的設(shè)計。
            • 關(guān)鍵字: 飛兆  驅(qū)動器  MOSFET  

            東芝針對移動設(shè)備的高電流充電電路將推出超緊湊型MOSFET

            • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布,該公司已經(jīng)為智能手機和平板電腦等移動設(shè)備的高電流充電電路的開關(guān)推出了超緊湊型MOSFET,包括兩種電池。
            • 關(guān)鍵字: 東芝  MOSFET  智能手機  移動設(shè)備  

            東芝推出高壓MOSFET “πMOS VIII”系列

            • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布推出新系列高壓MOSFET “πMOS VIII”系列,并推出了該系列的首款產(chǎn)品“TK9J90E”,并計劃于2013年8月投入量產(chǎn)。
            • 關(guān)鍵字: 東芝  MOSFET  TK9J90E  

            東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容

            • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布通過“MOSFET”擴充移動設(shè)備鋰離子電池和電源管理開關(guān)專用保護(hù)電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造,實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻,可減少設(shè)備的傳導(dǎo)損失。
            • 關(guān)鍵字: 東芝  MOSFET  鋰離子電池  

            騙子成堆的LED燈具廠商……

            利用理想二極管和熱插拔控制器隔離電源故障

            • 用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如,μTCA網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系...
            • 關(guān)鍵字: MOSFET    LTC4225    LTC4227    

            東芝擴大用于基站和服務(wù)器的功率MOSFET陣容

            • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布為其用于基站和服務(wù)器的通用直流-直流轉(zhuǎn)換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產(chǎn)品。這些產(chǎn)品使用最新的第八代低電壓溝槽結(jié)構(gòu),并實現(xiàn)了頂尖[1]低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能。即日開始批量生產(chǎn)。
            • 關(guān)鍵字: 東芝  MOSFET  

            東芝為基站和服務(wù)器推出30V電壓功率MOSFET

            • 東京—東芝公司(TOKYO:6502)日前宣布為專用于基站和服務(wù)器的通用DC-DC轉(zhuǎn)換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產(chǎn)品采用了最新的第八代低壓溝槽結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了最高級別的低導(dǎo)通電阻和高速轉(zhuǎn)換。該系列產(chǎn)品計劃于6月底投入量產(chǎn)。
            • 關(guān)鍵字: 東芝  MOSFET  電阻  

            對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進(jìn)行失效分析

            • 摘要:由于銅絲鍵合可以替代金鍵合,價格又便宜,正在被越來越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品,但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術(shù)。
            • 關(guān)鍵字: 銅絲鍵合  MOSFET  金鍵合  失效分析  金屬層  201308  

            利用PowerTrench MOSFET應(yīng)對更高功率密度的新挑戰(zhàn)

            • 引言隨著社會經(jīng)濟從紙張型向數(shù)字信息管理型方向發(fā)展,用于數(shù)據(jù)處理、存儲和網(wǎng)絡(luò)的數(shù)據(jù)中心在個人業(yè)務(wù)、學(xué)術(shù)...
            • 關(guān)鍵字: PowerTrench  MOSFET  

            飛兆開發(fā)出SP 5智能功率模塊系列三相MOSFET逆變器解決方案

            •   電機控制系統(tǒng)設(shè)計人員需要能夠在嚴(yán)苛的應(yīng)用條件下,提高效率同時確保最高可靠性的解決方案。為此,飛兆半導(dǎo)體開發(fā)了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案,為設(shè)計人員提供交流感應(yīng)電機 (ACIM) 和無刷直流電機逆變器解決方案,適用于功率最高為 200 W 的電機,包括風(fēng)扇電機、洗碗機和各種小型工業(yè)電機。
            • 關(guān)鍵字: 飛兆  MOSFET  SPM  

            理想二極管和熱插拔控制器實現(xiàn)電源冗余并隔離故障

            • 用肖特基二極管實現(xiàn)多電源系統(tǒng)有多種方式。例如,μTCA 網(wǎng)絡(luò)及存儲服務(wù)器等高可用性電子系統(tǒng)都在其冗余電源系統(tǒng)中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統(tǒng),例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
            • 關(guān)鍵字: 凌力爾特  肖特基二極管  MOSFET  

            Vishay新款-40V和-30V MOSFET擴充Gen III P溝道產(chǎn)品

            • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件,擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
            • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  

            復(fù)蘇乏力 元件供應(yīng)商日子難過

            •   雖然所有領(lǐng)先指標(biāo)都顯示2013年下半年將恢復(fù)季節(jié)性增長,但包括半導(dǎo)體在內(nèi)的電子元件產(chǎn)業(yè)目前訂單情況遜于當(dāng)前市場復(fù)蘇階段的預(yù)期水平。據(jù)IHS公司的元件價格走勢追蹤服務(wù),這種需求缺口可能限制今年電子元件市場的增長幅度。   2013年商品類芯片的總體前景仍然堅挺,預(yù)計半導(dǎo)體營業(yè)收入增長4.8%,盡管該市場的各個領(lǐng)域不會同樣強勁。   在假日季節(jié)之前的這個時期,MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動沒有呈現(xiàn)出通常的水平。這個階段通常出現(xiàn)交貨期延長和價格上漲現(xiàn)象,而目前尚未看到這些情況。同時,消費電子、汽
            • 關(guān)鍵字: 電子元件  MOSFET  
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            coolsic mosfet介紹

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