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硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸
- 硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級(jí)堆棧密不可分。
- 關(guān)鍵字： 硅光子 半導(dǎo)體芯片 CMOS 芯片設(shè)計(jì)
ldo與dcdc區(qū)別、原理及應(yīng)用詳解
- ldo與dcdc區(qū)別、原理及應(yīng)用詳解-LDO低壓差線性穩(wěn)壓器，故名思意，為線性的穩(wěn)壓器，僅能使用在降壓應(yīng)用中。也就是輸出電壓必需小于輸入電壓。C/DC：直流電壓轉(zhuǎn)直流電壓。嚴(yán)格來講，LDO也是DC/DC的一種，但目前DC/DC多指開關(guān)電源。
- 關(guān)鍵字： ldo dcdc 開關(guān)電源
電路設(shè)計(jì)常用接口類型說明
- 本文主要對(duì)電路設(shè)計(jì)常用接口類型進(jìn)行了簡(jiǎn)要說明，下面一起來學(xué)習(xí)一下： (1)TTL電平接口： 這個(gè)接口類型基本是老生常談的吧，從上大學(xué)學(xué)習(xí)模擬電路、數(shù)字電路開始，對(duì)于一般的電路設(shè)計(jì)，TTL電平接口基本就脫不了“干系”!它的速度一般限制在30MHz以內(nèi)，這是由于BJT的輸入端存在幾個(gè)pF的輸入電容的緣故(構(gòu)成一個(gè)LPF)，輸入信號(hào)超過一定頻率的話，信號(hào)就將“丟失”。它的驅(qū)動(dòng)能力一般最大為幾十個(gè)毫安。正常工作的信號(hào)電壓一般較高，要是把它和信號(hào)電壓較低的ECL電路接近時(shí)會(huì)產(chǎn)生比較明顯的串?dāng)_問題。
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
關(guān)于TTL電平、CMOS電平和EIA電平的一些總結(jié)
- 手機(jī)串口一般是CMOS電平，當(dāng)把a(bǔ)ndroid手機(jī)當(dāng)做開發(fā)板上的一個(gè)器件(比如利用android系統(tǒng)自帶的GPRS模塊，wifi模塊，語(yǔ)音視頻模塊等等)看待時(shí)，常常會(huì)涉及到自己重寫底層協(xié)議和驅(qū)動(dòng)的情況，同時(shí)也會(huì)涉及到不同開發(fā)板不同電平之間的轉(zhuǎn)換。最近在做一個(gè)利用android手機(jī)收發(fā)數(shù)據(jù)的實(shí)驗(yàn)，其中就涉及到了EIA電平和TTL電平的轉(zhuǎn)換，TTL電平和CMOS電平的轉(zhuǎn)換?，F(xiàn)簡(jiǎn)要的總結(jié)下常用的TTL電平，CMOS電平和EIA電平，以及一些與上述電平有關(guān)集成邏輯電路和rs232串口的一些基本知識(shí)： 一、集
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
Sony傳擴(kuò)增CMOS產(chǎn)能14%，滿足車用、物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)需求
- 據(jù)海外媒體報(bào)道，Sony 計(jì)劃于 2018 年 3 月底前將使用于智能手機(jī)、數(shù)字相機(jī)等用途的 CMOS 影像傳感器月產(chǎn)能擴(kuò)增至 10 萬(wàn)片(以 12 吋晶圓計(jì)算)左右水準(zhǔn)，大幅增加 14%。目前 Sony 月產(chǎn)能約 8.8 萬(wàn)片。 報(bào)導(dǎo)指出，因智能手機(jī)自拍用前置相機(jī)朝高性能化演進(jìn)，加上車用、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)用需求增加，因此 Sony 決定增產(chǎn)因應(yīng)。 根據(jù) Sony 公布的財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示，2016 年度(2016 年 4 月~2017 年 3 月)Sony 影像傳感器銷售額年增 15% 至 5
- 關(guān)鍵字： Sony CMOS
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