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            2009年全球圖像傳感器市場規(guī)模預測

            •   市場研究機構StrategiesUnlimited指出,全球圖像傳感器市場將在09年縮水11%,來到64億美元規(guī)模,不過接下來將逐漸恢復正常成長。該機構預期,未來數(shù)年該市場的平均年成長率會維持在個位數(shù);到09年為止,其十年來的復合年成長率高達22%。   圖像傳感器市場在2009年的衰退主要是受到全球經(jīng)濟景氣循環(huán)影響,而這樣的負面影響恐怕會持續(xù)下去,特別是在該市場因為幾乎所有手機都內(nèi)建相機而經(jīng)歷爆炸性成長之后。未來幾年,預計圖像傳感器的銷售量仍將呈現(xiàn)成長,但短期需求波動、供應過?;虺跃o,以及沉重的價
            • 關鍵字: CCD  傳感器  CMOS  

            基于0.13μm CMOS工藝的快速穩(wěn)定的高增益Telescop

            • 近年來,軟件無線電(Software Radio)的技術受到廣泛的關注。理想的軟件無線電臺要求對天線接收的模擬信號經(jīng)過放大后直接采樣,但是由于通常射頻頻率(GHz頻段)過高,技術上所限難以實現(xiàn),而多采用中頻采樣的方法。而對
            • 關鍵字: Telescopic  0.13  CMOS  工藝    

            高性能CMOS集成電壓比較器設計


            • 電壓比較器是對輸入信號進行鑒幅與比較的電路,其功能是比較一個模擬信號和另一個模擬信號(參考信號),并以輸出比較得到的二進制信號。其在A/D轉換器、數(shù)據(jù)傳輸器、切換功率調(diào)節(jié)器等設備中有著廣泛的應用。在
            • 關鍵字: CMOS  性能  集成  電壓比較器    

            耶魯大學與SRC公司聯(lián)合開發(fā)下一代內(nèi)存芯片技術FeDRAM

            •   SRC公司與耶魯大學的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內(nèi)存芯片性能的新技術。這項技術使用鐵電體層來替換傳統(tǒng)內(nèi)存芯片中的電容結構作為基本的存儲 單元,科學家們將這種內(nèi)存稱為鐵電體內(nèi)存(FeDRAM),這種內(nèi)存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結構,不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質材料制作。   這種技術能使存儲單元的體積更小,信息的保存時間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右,刷新的時間間隔可以更大,因此耗電量也更小,還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數(shù)據(jù)。此外,有關的制
            • 關鍵字: 內(nèi)存芯片  CMOS  FeDRAM  

            CMOS圖像傳感器集成A/D轉換器技術的研究

            • 片上集成A/D轉換器是CMOS圖像傳感器的關鍵部件,文章分析和比較了三類不同集成方式:芯片級,列級和象素級的原理,性能和特點。最后,展望了CMOS圖像傳感器上集成A/D轉換器的未來發(fā)展趨勢。
            • 關鍵字: CMOS  圖像傳感器  集成  轉換器    

            國產(chǎn)芯片已達國際主流芯片品質

            •   今年國內(nèi)拉動內(nèi)需,特別是3G的啟動建設和FTTH進入實質性的發(fā)展階段,使光模塊市場一片紅火,預計今年我們可實現(xiàn)60%的業(yè)務增長。   由于對IC行業(yè)來說光通信市場不大,所以光收發(fā)IC芯片的供應商并不是很多,在國內(nèi)我們是第一家量產(chǎn)高速收發(fā)芯片的IC公司。   國內(nèi)芯片企業(yè)的優(yōu)勢主要是在成本上,研發(fā)成本、管理成本、銷售成本都比國外企業(yè)要低。對IC來說,基于同樣的工藝,制造成本幾乎是一樣的。要取得制造成本的優(yōu)勢必須發(fā)揮技術優(yōu)勢,采用相對低成本的工藝,做出同樣的產(chǎn)品性能。我們采用CMOS工藝的收發(fā)IC芯片
            • 關鍵字: 3G  CMOS  IC設計  FTTH  

            ST慶祝Nano2012框架協(xié)議正式啟動

            •   意法半導體和法國電子信息技術實驗室CEA-LETI宣布,法國經(jīng)濟、工業(yè)和就業(yè)部長,以及國家和地區(qū)政府的代表、CEA-LETI和意法半導體的管理層,齊聚法國格勒諾布爾(Grenoble)市的Crolles分公司,共同慶祝Nano2012研發(fā)項目正式啟動。IBM的代表也參加了啟動儀式。IBM公司是意法半導體和CEA-LETI的重要合作伙伴,與雙方簽署了重要的技術開發(fā)協(xié)議。   Nano2012是由意法半導體領導的國家/私營戰(zhàn)略研發(fā)項目,聚集研究院和工業(yè)合作伙伴,得到法國國家、地區(qū)和本地政府的財政支持,旨
            • 關鍵字: ST  CMOS  32nm  22nm  Nano2012    

            豪威CMOS傳感器量產(chǎn) 擴大對臺積電訂單

            •   CMOS影像傳感器(CMOS Image Sensor)大廠豪威科技(OmniVision)與臺積電合作,采用最新背面照度(Backside Illumination,BSI)制程的傳感器新產(chǎn)品,陸續(xù)獲得一線智能型手機OEM廠設計案(design win),預計本季度開始大量出貨。   豪威已開始擴大對臺積電下單,臺積電(2330)也已完成1.1微米間距BSI制程傳感器的功能測試,并計畫在12寸廠以65納米投片。
            • 關鍵字: 臺積電  CMOS  傳感器  65納米  

            從快生活到優(yōu)生活“新摩爾定律”主導半導體業(yè)創(chuàng)新

            •   幾十年來,摩爾定律所闡述的生產(chǎn)力效益定律一直是半導體行業(yè)發(fā)展的驅動力。它催生了數(shù)字處理器、寬帶和大容量存儲器。這些技術大幅提升了PC、手機等產(chǎn)品的生產(chǎn)力。然而,經(jīng)濟學正給半導體行業(yè)帶來革命性轉變。未來,“新摩爾定律”將發(fā)揮重要作用。   產(chǎn)品研發(fā)從性能驅動轉為經(jīng)濟學驅動   半導體產(chǎn)業(yè)是個相對年輕的產(chǎn)業(yè)。自摩爾定律預測芯片上晶體管的數(shù)量每18個月翻一番以來,半導體器件制造商一直追求生產(chǎn)力的提升。這一定律確實沒錯。如今消費應用的SoC可能集成了幾億個晶體管。然而,半導體產(chǎn)業(yè)正
            • 關鍵字: NXP  摩爾定律  CMOS  晶體管  

            MEMS代工產(chǎn)業(yè)呈高度分散與高競爭性

            •   法國市場研究機構Yole Development針對微機電系統(tǒng)(MEMS)市場發(fā)表最新報告指出,目前全球至少50家公司正在提供MEMS代工服務,使得該領域變得高度分散與高競爭性,但又是整體MEMS產(chǎn)業(yè)不可缺少的一塊。   Yole表示,大型的開放MEMS代工廠現(xiàn)在都很賺錢,并開始升級到8吋晶圓制程;不過由于MEMS在消費性應用領域的高成長性,以及來自其它高潛力應用市場的商機,也吸引了許多來自主流半導體產(chǎn)業(yè)的新進者投入競爭。   Yole并指出,由于這些來自半導體產(chǎn)業(yè)的新進者,具備能結合CMOS技術
            • 關鍵字: MEMS  晶圓  CMOS  

            韓國三星發(fā)布采用45nm工藝技術的應用處理器

            •   韓國三星電子發(fā)布了采用45nm低功耗CMOS工藝技術的應用處理器“S5P6440”。其特點是圖形性能高、功耗及成本低等。適用于PND等家電產(chǎn)品。   該處理器配備有英國ARM工作頻率533MHz或667MHz的CPU內(nèi)核“ARM1176”。CPU內(nèi)核、芯片上的所有硬件加速器及周邊部件接口均由工作頻率166MHz、64bit總線“AXI”連接。   還配備有支持現(xiàn)行及新一代多值NAND閃存的錯誤訂正用硬件,以及支持移動DDR或D
            • 關鍵字: 三星  45納米  CMOS  S5P6440  

            集成電路發(fā)展哲理

            •   半導體技術極其豐富多彩,身陷其景,會有“不識廬山真面目,只緣身在此山中”的感觸。為此,既要“近賞細微”,又要“臨空瀏覽”,以期從中領悟到一些哲理。   本演講根據(jù)半導體技術“由簡入繁”、又“化繁為簡”的螺旋式發(fā)展史事,探討主流半導體技術的發(fā)展哲理,供大家參考討論。   發(fā)展歷程   根據(jù)IC Knowledge 的歸納[1],可以把集成電路(IC)的發(fā)展歷程劃分為四個階段:
            • 關鍵字: 集成電路  CMOS  EPROM  DSP  DRAM  MPU  200907  

            在危機中尋找突破點

            •   在金融海嘯中,博通(Broadcom)公司2008年增長了25%,成了半導體行業(yè)的明星企業(yè)。不過該公司在2009年一季度營收有所下降,博通的解釋是增長率會根據(jù)產(chǎn)品或者最終市場和季節(jié)性有所差別,并且很大程度上受到了金融危機的影響。不過,博通尤其是WLAN部門的發(fā)展經(jīng)驗可圈可點。   Michael Hurlston    Broadcom公司副總裁   兼無線連接集團WLAN事業(yè)部總經(jīng)理   運營成本控制   博通擅長運營成本控制,不同的事業(yè)部有不同的特點:一些
            • 關鍵字: Broadcom  WLAN  65納米  CMOS  PA  Wi-Fi  200907  

            基于CMOS閾值電壓的基準電路設計

            • 摘要:在數(shù)/模混合集成電路設計中電壓基準是重要的模塊之一。針對傳統(tǒng)電路產(chǎn)生的基準電壓易受電源電壓和溫度影響的缺點,提出一種新的設計方案,電路中不使用雙極晶體管,利用PMOS和NMOS的閾值電壓產(chǎn)生兩個獨立于電
            • 關鍵字: CMOS  閾值電壓  基準  電路設計    
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            cmos+dps介紹

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