cmos finfet 文章 進入cmos finfet技術(shù)社區(qū)
全球半導(dǎo)體營業(yè)額2012年將首次衰退
- 今年經(jīng)濟景氣比原來預(yù)估差，使我們只得再度下修全球半導(dǎo)體營業(yè)額，預(yù)估今年營業(yè)額為3030億美元(8.82兆臺幣)，較2011年3100億美元衰退2.3%。從2009年后，每年全球半導(dǎo)體營業(yè)額皆呈成長，2012年是首次衰退，所幸2013年可望恢復(fù)成長。 2012年半導(dǎo)體的6大應(yīng)用市場中，只有無線通訊應(yīng)用市場呈現(xiàn)成長，資料處理、消費電子、工業(yè)、有線通訊以及汽車等5大應(yīng)用市場，皆呈衰退。 明年將可恢復(fù)成長 資料處理是半導(dǎo)體最大的應(yīng)用市場，PC(PersonalComputer，個人電腦)是資
- 關(guān)鍵字： 平板電腦 CMOS.DRAM
波士頓半導(dǎo)體收購日本半導(dǎo)體廠設(shè)備
- 波士頓半導(dǎo)體設(shè)配公司 (Boston Semi Equipment, LLC)宣布整入全套 200mm CMOS 制造晶圓廠設(shè)備。此套晶圓廠設(shè)備內(nèi)含超過 500 項目前還在日本用于生產(chǎn)線中的設(shè)備。此套設(shè)備目前用于 0.25 微米制程，實際上具有 0.18 微米的生產(chǎn)力。設(shè)備的重新營銷也即將開始。 擔(dān)任 Boston Semi Equipment CEO 的 Bryan Banish 說道：“這是 Boston Semi Equipment 的一次重要收購，不僅更確認(rèn)并擴大我們在前段二
- 關(guān)鍵字： LLC CMOS 200mm
為汽車應(yīng)用而優(yōu)化的CMOS收音機IC解決方案
- 高增長的經(jīng)濟體如巴西、印度尼西亞、印度和中國已出現(xiàn)新興中產(chǎn)階級和快速增長的汽車市場。這些市場要求汽車...
- 關(guān)鍵字： CMOS 收音機IC 汽車應(yīng)用
科學(xué)家首次研制成功單電子半加器
- 據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)11月21日報道，研究人員一直在努力降低硅基計算組件的尺度，以滿足日益增長的小規(guī)模、低能耗計算需求。這些元件包括晶體管和邏輯電路，它們都被用于通過控制電壓來處理電子設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)。在一項新研究中，韓國、日本和英國科學(xué)家組成的科研小組僅用5個晶體管就制造出一個半加器，它是所有邏輯電路中最小的一種。這也是首次成功制成基于單電子的半加器(HA)。相關(guān)研究報告發(fā)表在最新一期《應(yīng)用物理快報》上。 研究人員稱，單電子半加器是單電子晶體管多值邏輯電路家族中最小的運算模塊，所有的邏輯電路都由眾多半
- 關(guān)鍵字： 半加器 晶體管 CMOS
ASM：邁入FinFET將需要全方位ALD方案
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在轉(zhuǎn)換到3D結(jié)構(gòu)，進而導(dǎo)致關(guān)鍵薄膜層對高速原子層沉積(ALD)的需求日益升高。過去在平面元件中雖可使用幾個 PVD 與 CVD 步驟，但就閘極堆疊的觀點而言，過渡到 FinFET 元件將需要全方位的 ALD 解決方案。 就 FinFET 而言，以其尺寸及控制關(guān)鍵元件參數(shù)對后閘極 (gate last) 處理的需求來說，在 14 奈米制程必需用到全 ALD 層。半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASM International (ASMI) 針對此一趨勢，與《電子工程專輯》談到了ALD 技術(shù)在先進半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 FinFET ALD
高清監(jiān)控前端及核心組件發(fā)展趨勢分析
- 談到高清攝像機前端問題，從推出到現(xiàn)在普遍的應(yīng)用，a&s分別就IP與HD-SDI在諸多文章中舉出若干存在的障礙和問題，綜合整理大致有以下十點。前端高清攝像機的十大問題給工程商在攝像機應(yīng)用選型及使用上帶來很多困惑，因為這十大問題幾乎都與高清攝像機所采用的元器組件有很大的關(guān)聯(lián)，而對于更加專業(yè)的元器件的知識，工程商實在不知該如何從高清攝像機的規(guī)格特性條件上看出端倪，從而解決相應(yīng)的問題。 IP與HD-SDI前端常見的十大問題： Sensor傳感器幀數(shù)條件差異造成高清效果差異; DSP/
- 關(guān)鍵字： 攝像機 CMOS HD-SDI
導(dǎo)入FinFET制程技術(shù) 聯(lián)電14奈米后年亮相
- 聯(lián)電14nm鰭式電晶體(FinFET)制程技術(shù)將于后年初開始試產(chǎn)。聯(lián)電正全力研發(fā)新一代14nmFinFET制程技術(shù)，預(yù)計效能可較現(xiàn)今28nm制程提升35～40%，可提供通訊晶片與應(yīng)用處理器低功耗與高效能優(yōu)勢，擴大搶攻通訊與消費性電子IC制造商機。 聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，14nmFinFET制程技術(shù)將會是聯(lián)電切入未來次世代通訊運算市場的最佳利器。 聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，由于晶圓從28跨入20nm制程以下的微縮過程中，勢必得使用雙重曝光(DoublePatterning)微影技術(shù)才能實現(xiàn)，而此
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 處理器 14nm FinFET
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