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            基于ARM和以太網(wǎng)供電的網(wǎng)絡攝像機設計

            •   1 系統(tǒng)的結構   整個系統(tǒng)由AT91RM9200處理器、CMOS傳感器、音頻采集系統(tǒng)、以太網(wǎng)供電系統(tǒng)和以太網(wǎng)數(shù)據(jù)通信等幾部分組成。首先,通過CMOS傳感器鏡頭采集圖像,同時還可以進行音頻采集,經過AT91RM9200處理器處理,整個過程通過網(wǎng)絡進行數(shù)據(jù)傳輸,通過網(wǎng)絡進行供電,從而實現(xiàn)以太網(wǎng)供電的網(wǎng)絡攝像機系統(tǒng)功能。   2 系統(tǒng)的硬件設計   2.1 AT91RM9200相關設計   AT91RM9200嵌入ARM920T ARM Thumb處理器核,工作于180 MHz時,性能高達200
            • 關鍵字: ARM  CMOS  網(wǎng)絡攝像機  

            淺談設計PCB時抗ESD的方法

            •   來自人體、環(huán)境甚至電子設備內部的靜電對于精密的半導體芯片會造成各種損傷,例如穿透元器件內部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏的PN結;短路正向偏置的PN結;熔化有源器件內部的焊接線或鋁線。為了消除靜電釋放(ESD)對電子設備的干擾和破壞,需要采取多種技術手段進行防范。   在PCB板的設計當中,可以通過分層、恰當?shù)牟季植季€和安裝實現(xiàn)PCB的抗ESD設計。在設計過程中,通過預測可以將絕大多數(shù)設計修改僅限于增減元器件。通過調整PCB布局布線,能夠很好
            • 關鍵字: PCB  ESD  CMOS  

            基于CMOS圖像傳感器的指紋識別設計

            •   引 言   CMOS圖像傳感器是近年來得到快速發(fā)展的一種新型固態(tài)圖像傳感器。它將圖像傳感部分和控制電路高度集成在同一芯片里,體積明顯減小、功耗也大大降低,滿足了對高度小型化、低功耗成像系統(tǒng)的要求。與傳統(tǒng)的CCD圖像傳感器相比,CMOS圖像傳感器還具有集成度高、控制簡單、價格低廉等諸多優(yōu)點。因此隨著CMOS集成電路工藝的不斷進步和完善,CMOS圖像傳感器已經廣泛應用于各種通用圖像采集系統(tǒng)中。同時作為一種PC機與外圍設備間的高速通信接口,USB具有許多突出的有點: 連接簡便,可熱插拔,無需定位及運行安裝
            • 關鍵字: CMOS  USB  CPLD  

            十個電荷泵的設計方案以及經典應用案例

            • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
            • 關鍵字: 電荷泵  CMOS  DC-DC  圖像傳感器  鎖相環(huán)芯片  

            一種0.1-1.2GHz的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開關芯片設計

            •   設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發(fā)開關芯片。該電路采用深N阱體懸浮技術,在1.8V電壓供電下,該射頻開關收發(fā)兩路在0.1-1.2GHz內的測試結果具有0.7dB的插入損耗、優(yōu)于-20dB的回波損耗以及-37dB以下的隔離度。   目前,全球無線通信系統(tǒng)正處于快速發(fā)展進程中,無線通信“行業(yè)專網(wǎng)”系統(tǒng)也正處于飛速發(fā)展的黃金時期。我國無線通信行業(yè)專網(wǎng)所用頻點和帶寬種類繁多,其頻率 主要集中在0.1-1.2GHz。各專網(wǎng)使用不同的頻點、射頻帶寬和信號帶寬,標
            • 關鍵字: CMOS  射頻無線收發(fā)芯片  RFID   

            東芝新CMOS振蕩器提供全球最高等級精確度

            •   東京—東芝公司今天宣布,該公司已開發(fā)出一款采用標準CMOS技術制造的原型參考時鐘振蕩器,該振蕩器達到了全球最高等級精確度。這款新設備用于代替?zhèn)鹘y(tǒng)的晶體振蕩器,將為電子設備的微型化提供支持。   東芝將于6月13日在夏威夷檀香山舉辦的2014年超大規(guī)模集成電路技術及電路研討會(Symposia on VLSI Technology and Circuits)上展示這項振蕩器技術。   近年來,對于作為電子產品復雜功能來源的電子組件的微型化要求已經擴及振蕩器,激發(fā)了對超小型振蕩器的興趣。
            • 關鍵字: 東芝  CMOS  振蕩器  

            應用材料公司推出面向3D芯片結構的先進離子注入系統(tǒng)

            •   應用材料公司今天宣布全新推出Applied Varian VIISta® 900 3D系統(tǒng)。作為業(yè)內領先的中電流離子注入設備,該系統(tǒng)專為2x納米以下節(jié)點的FinFET和3D NAND制程而開發(fā),具有超凡的控制能力,可以幫助高性能、高密度的復雜3D器件實現(xiàn)器件性能優(yōu)化,降低可變性,提高良率,是應用材料公司在精密材料工程領域的又一重大突破。   VIISta 900 3D系統(tǒng)能有效提高離子束角度精度和束線形狀準確度,并且還能夠出色的控制離子劑量和均勻性,從而幫助客戶實現(xiàn)制程的可重復性,優(yōu)化器件性
            • 關鍵字: VIISta  900 3D  2x納米  FinFET  

            整體16/14納米FinFET設備訂單恐延一季

            •   Needham & Co.半導體設備分析師Edwin Mok 27日針對晶圓代工領域提出了透徹分析,認為相關的半導體設備訂單有望在今(2014)年下半年攀高,但16/14奈米FinFET(鰭式場效電晶體)訂單卻將遞延一季。   barron`s.com報導,Mok發(fā)表研究報告指出,據(jù)了解晶圓代工廠格羅方德(GlobalFoundries;GF)正在提高紐約州Malta廠的20奈米制程產能,而三星電子(Samsung)也正在逐漸增加Austin廠的設備,這似乎支持了近來傳出的高通(Qualco
            • 關鍵字: FinFET  14納米  

            英飛凌推出最小的天線調諧專用開關

            •   英飛凌科技股份公司針對射頻前端擴大高效集成電路解決方案產品組合,推出一款天線調諧專用開關。新款天線調諧開關(Aperture tuning)對提升4G智能手機和平板電腦的終端用戶體驗助益匪淺。該新產品從根本上優(yōu)化天線特性,在相關的LTE頻帶上可讓運行中的數(shù)據(jù)率達到最高水平。BGS1xGN10系列開關采用市面上最小封裝,這對新一代智能手機和其他便攜式設備等空間受限的應用而言至關重要。此外,該系列進一步降低電流消耗,延長此類設備的待機和工作時間。  采用英飛凌射頻CMOS開關技術的天線調諧專用開關有利于開
            • 關鍵字: 英飛凌  BGSA14GN10  CMOS  

            英飛凌面向智能電話和平板電腦的射頻開關出貨量突破10億大關 Bulk RF CMOS技術實現(xiàn)最快增速

            •   英飛凌科技股份公司近日宣布,其用于智能電話和平板電腦的射頻開關的出貨量已經突破10億大關。這凸顯了英飛凌作為發(fā)展速度最快的射頻開關領先供應商之一的地位。預計,今后數(shù)年,隨著新一代智能電話和平板電腦集成越來越多的LTE頻段,射頻開關需求將呈兩位數(shù)增長。  隨著4G/LTE手機可支持的工作頻段和運行模式越來越多,其射頻前端部件設計日益復雜、苛刻。除形形色色的頻段或模式選擇應用之外,天線開關也是射頻前端至關重要的主要組件。這些天線開關要么可以選擇連接至4G/LTE主用天線的發(fā)射(TX)/接收(RX)通道,要
            • 關鍵字: 英飛凌  LTE  CMOS  

            RFaxis推出新款純CMOS大功率放大器

            •   專注于為無線連接和蜂窩移動市場開發(fā)創(chuàng)新型下一代射頻(RF)解決方案的領先無晶圓半導體公司RFaxis, Inc.于2014年6月18日宣布,該公司用于無線局域網(wǎng)絡(WLAN)應用的RFX241高功率2.4GHz功率放大器(PA)已投入量產。  RFX241最新加入RFaxis瞄準快速增長的無線接入點(AP)、路由器(Router)、機頂盒(STB)、家庭網(wǎng)關(HGW)、熱點(Hotspot)等無線基礎設施市場的純CMOS大功率CMOS PA產品系列。RFX241可與包括RTC6649E在內的目前市場上
            • 關鍵字: RFaxis  RF  CMOS  

            應用材料公司突破導線技術傳統(tǒng)瓶頸

            •   應用材料公司(AppliedMaterials)宣布其全新EnduraVolta化學氣相沈積(CVD)系統(tǒng)加入獨特的鈷金屬后,一舉突破導線技術傳統(tǒng)瓶頸,讓“摩爾定律”持續(xù)向下進展到20納米。此外,應材的EnduraVentura實體氣相沈積(PVD)系統(tǒng)不但成功協(xié)助客戶降低成本,更可制造出體積更小、耗能更低、性能更高的整合型3D芯片。   在強大技術創(chuàng)新突破的支持下,應用材料公司在營運方面也頗有斬獲。應用材料公司臺灣區(qū)總裁余定陸表示,拜半導體事業(yè)的蓬勃發(fā)展與應用材料公司不
            • 關鍵字: 應用材料  FinFET  

            德國開發(fā)出可耐高溫的新型微芯片

            •   在地熱生產和石油生產過程中溫度通常會超過200℃,高于設備所用的傳統(tǒng)微芯片一般能耐受的最高溫度。德國弗勞恩霍夫微電子電路與系統(tǒng)研究所(IMS)的研究人員近日開發(fā)出一種新型的高溫工藝,可以制造出超緊湊型微芯片,這種微芯片在高達300℃的溫度下也能正常工作。   傳統(tǒng)的CMOS芯片有時能耐受250℃的高溫,但其性能與可靠性會迅速下降。還有一種方法是對熱敏感的微芯片實施持續(xù)冷卻,但是很難實現(xiàn)。此外,市場上也存在專門的高溫芯片,但是尺寸過大(最小尺寸也達1微米)。   IMS開發(fā)的微芯片尺寸僅有0
            • 關鍵字: 微芯片  CMOS  

            一種低電壓、低功耗模擬電路設計簡介

            • 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連,或者連接到VDD或VSS,所以經常被用作一個三端設備。由于未來CMOS技術的閾值電壓并不會遠低于現(xiàn)有標準,于是采用襯底驅動技術進行模擬電路設計就成為較好的解決方案[1].襯底驅動技術的原理是:在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓,以形成反型層,輸入信號加在襯底和源極之間,這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅動MOS晶體管的原理類似于結型場效應晶體管,也就是一個耗盡型器件,它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導電溝
            • 關鍵字: MOS  CMOS  

            研究表明新三維封裝技術將提高智能移動設備性能

            • 當平面工藝已經無法滿足對于性能提升的需求時,3D架構是業(yè)界首先能想到的提升方式。
            • 關鍵字: CMOS  納米  
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            cmos finfet介紹

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