cmos digital image sensor 文章進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區(qū)

ROHM開(kāi)發(fā)CMOS運(yùn)算放大器和比較器

ROHM株式會(huì)社針對(duì)力求省電的筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、游戲機(jī)等便攜數(shù)碼產(chǎn)品，推出高可靠性CMOS運(yùn)算放大器、比較器。共發(fā)布24種1ch、2ch的高速型、低功耗型CMOS運(yùn)算放大器、比較器。首先是從需求量大的1ch產(chǎn)品的樣品出貨、量產(chǎn)開(kāi)始。3月份開(kāi)始推出高速型「BU7261G」、「BU7261SG」和低功耗型「BU7241G」、「BU7241SG」運(yùn)算放大器樣品，并將于2007年6月開(kāi)始量產(chǎn)。而CMOS比較器則從2007年4月開(kāi)始推出高速型「BU7251G」、「BU7251SG」，與低功耗型「BU7231G
關(guān)鍵字： CMOS ROHM 比較器電源技術(shù) 模擬技術(shù) 運(yùn)算放大器模擬IC 電源

先進(jìn)的3G多頻段收發(fā)器實(shí)現(xiàn)了前端的高度集成

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： 3G GSM TD-SCDMA 收發(fā)器 2G RF WCDMA UMTS CMOS HSDPA LO IF LNA 3GPP

Silicon Image宣布開(kāi)始供應(yīng)第二代處理器

Silicon Image公司近日宣布開(kāi)始供應(yīng)第二代SteelVine™存儲(chǔ)處理器，型號(hào)為SiI5723、SiI5734、SiI5744 與SiI5733。這種更高性能的新款SteelVine處理器的設(shè)計(jì)為主板和存儲(chǔ)應(yīng)用制造商提供功率需求更低、封裝引腳尺寸更小、功能更為強(qiáng)大的高性價(jià)比解決方案。在全球頂級(jí)的技術(shù)展——德國(guó)漢諾威消費(fèi)電子、信息及通信博覽會(huì)（CeBIT）上，已有好幾家公司展出了集成第二代SteelVine處理器功能的新產(chǎn)品。第二代SteelVine處理器具有先進(jìn)的存儲(chǔ)能力，包括用
關(guān)鍵字： Image Silicon 單片機(jī) 嵌入式系統(tǒng)

移動(dòng)終端中三類射頻電路的演進(jìn)方向

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：射頻 GSM CMOS GaAs HBT FET SAW FEM VOC DCR DCT

CMOS集成電路使用注意事項(xiàng)

CMOS集成電路的安裝。為了避免由于靜電感應(yīng)而損壞電路，焊接CMOS集成電路所使用的電烙鐵必需良好接地，焊接時(shí)間不得超過(guò)5秒。最好使用20~25W內(nèi)熱式電烙鐵和502環(huán)氧助焊劑，必要時(shí)可使用插座。在接通電源的情況下，不應(yīng)裝拆CMOS集成電路。凡是與CMOS集成電路接觸的工序，使用的工作臺(tái)及地板嚴(yán)禁鋪墊高絕緣的板材（如橡膠板、玻璃板、有機(jī)玻璃、膠木板等），應(yīng)在工作臺(tái)上鋪放嚴(yán)格接地的細(xì)鋼絲網(wǎng)或銅絲網(wǎng)，并經(jīng)常檢查接地可靠性。CMOS集成電路的測(cè)試。測(cè)試時(shí)所有CMOS集成電路的儀器、儀表均應(yīng)良好接地。如果是低阻信
關(guān)鍵字： CMOS 集成電路

被訴侵犯Silicon Image版權(quán) Analogix積極應(yīng)對(duì)

????Silicon?Image日前宣布它已經(jīng)在美國(guó)加利福尼亞北部聯(lián)邦地方法院向硅谷數(shù)模半導(dǎo)體有限公司(Analogix?Semiconductor)提起訴訟。? ????該訴訟控告Analogix公司涉嫌版權(quán)侵權(quán)、盜用商業(yè)秘密以及從事非法、不公平而且?guī)в衅垓_性的商業(yè)行為。在本訴訟案件當(dāng)中，Silicon?Image公司宣稱Analogix公司涉嫌侵犯Silicon?Imag
關(guān)鍵字： Analogix Image Silicon 芯片

AMIS新型 2400dpi CMOS圖像傳感器

　　傳感器分別提供2400dpi、 1200dpi、 600dpi和 300dpi的可選分辨率，可滿足印刷、掃描和成像外圍設(shè)備的廣泛要求。　　AMIS宣布首個(gè)2400dpi CMOS圖像傳感器現(xiàn)已投放市場(chǎng)。高度整合和具成本效益的AMIS-722402提供分辨率為2400、1200、600或 300dpi 的多種選擇，同時(shí)還可降低掃描儀、支票閱讀機(jī)、辦公自動(dòng)化設(shè)備、打印機(jī)和其它基于成像的外圍設(shè)備在操作時(shí)的功耗和噪音。　　新的傳感器以AMI&nb
關(guān)鍵字： 2400dpi AMIS CMOS 圖像傳感器消費(fèi)電子消費(fèi)電子

松下超耐久堿性電池“DIGITAL POWER™（數(shù)字動(dòng)力）”在2007CES展會(huì)上面世

松下超耐久堿性電池“DIGITAL POWER™（數(shù)字動(dòng)力）”在2007CES展會(huì)上面世松下電池繼續(xù)滿足著便攜式電子產(chǎn)品的需求松下公司向外界推出了新款改良版的高級(jí)堿性電池DIGITAL POWER™。經(jīng)過(guò)松下公司的內(nèi)部測(cè)試表明，這款高級(jí)AA電池比現(xiàn)在市面上的堿性電池具有高強(qiáng)的耐久性，并且質(zhì)量更佳。在剛剛過(guò)去的假期里已經(jīng)開(kāi)始對(duì)外供應(yīng)。質(zhì)量上的改進(jìn)使之成為目前松下生產(chǎn)的最具耐久性的堿性電池。在拉斯維加斯2007CES上，松下將會(huì)在中央大廳第9405號(hào)展廳向參觀者
關(guān)鍵字： 2007CES DIGITAL POWER 超耐久電池堿性數(shù)字動(dòng)力松下消費(fèi)電子消費(fèi)電子

32段CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器AY0438及其與單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)

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關(guān)鍵字： CMOS LCD驅(qū)動(dòng)器液晶顯示 LCD

CMOS多頻段低噪聲放大器設(shè)計(jì)

本設(shè)計(jì)中的并行式多頻段LNA為單個(gè)LNA，但能同時(shí)工作在不同頻段下且放大所需頻段的信號(hào)。
關(guān)鍵字： CMOS 多頻低噪聲放大器設(shè)計(jì)

超低功耗電子電路系統(tǒng)設(shè)計(jì)原則

本文將對(duì)超低功耗電路設(shè)計(jì)原則進(jìn)行分析，并就怎樣設(shè)計(jì)成超低功耗的產(chǎn)品作一些論述，從而證明了這種電路在電路結(jié) ...
關(guān)鍵字： CMOS TTL 單片機(jī)

X-Digital采用Blackfin®處理器將數(shù)字音頻傳送到酒店和公寓大樓

——Blackfin處理器的處理能力和性能夠使廣播傳輸系統(tǒng)制造商為MDU客戶傳送多達(dá)384個(gè)數(shù)字音頻通道。美國(guó)模擬器件公司在馬薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發(fā)布X-Digital 系統(tǒng)公司——一家廣播傳輸系統(tǒng)制造商——在其帶有FM調(diào)制器的集成衛(wèi)星接收器中采用了ADI公司的Blackfin®處理器。X-Digital系統(tǒng)公司采用Blackfin處理器，提供了這樣一種產(chǎn)品，允許衛(wèi)星運(yùn)營(yíng)商將數(shù)字音頻傳送到遠(yuǎn)遠(yuǎn)還沒(méi)有打開(kāi)的市場(chǎng)——多住戶單元（MDU），例如酒店和公
關(guān)鍵字： Blackfin® X-Digital 處理器單片機(jī) 酒店嵌入式系統(tǒng) 數(shù)字音頻消費(fèi)電子消費(fèi)電子

MCU 中輸入/輸出口的使用

本文介紹了幾款MCU輸入/輸出口的使用。
關(guān)鍵字：掩膜 CMOS 電阻

基于積累型MOS變?nèi)莨艿纳漕l壓控振蕩器設(shè)計(jì)

引言隨著移動(dòng)通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝實(shí)現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實(shí)現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機(jī)的關(guān)鍵。過(guò)去的VCO電路大多采用反向偏壓的變?nèi)荻O管作為壓控器件，然而在用實(shí)際工藝實(shí)現(xiàn)電路時(shí)，會(huì)發(fā)現(xiàn)變?nèi)荻O管的品質(zhì)因數(shù)通常都很小，這將影響到電路的性能。于是，人們便嘗試采用其它可以用CMOS工藝實(shí)現(xiàn)的器件來(lái)代替一般的變?nèi)荻O管，MOS變?nèi)莨鼙銘?yīng)運(yùn)而生了。 MOS變?nèi)莨? 將MOS晶體管的漏，源和襯底短接便可成為一個(gè)簡(jiǎn)單的MOS電容，其電容值隨柵極與襯底之間
關(guān)鍵字： CMOS RF專題電源技術(shù) 模擬技術(shù) 射頻振蕩器

集成多路模擬開(kāi)關(guān)的應(yīng)用技巧

集成多路模擬開(kāi)關(guān)（以下簡(jiǎn)稱多路開(kāi)關(guān)）是自動(dòng)數(shù)據(jù)采集、程控增益放大等重要技術(shù)領(lǐng)域的常用器件，其實(shí)際使用性能的優(yōu)劣對(duì)系統(tǒng)的嚴(yán)謹(jǐn)和可靠性重要影響。關(guān)于多路開(kāi)關(guān)的應(yīng)用技術(shù)，些文獻(xiàn)上介紹有兩點(diǎn)不足：一是對(duì)器件自身介紹較多，而對(duì)器件與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)介紹較少；二是原則性的東西介紹較多，而操作性的東西介紹較少。研究表明：只有正確選擇多路開(kāi)關(guān)的種類，注意多路開(kāi)關(guān)與相關(guān)電路的合理搭配與協(xié)調(diào)，保證各電路單元有合適的工作狀態(tài)，才能充分發(fā)揮多路開(kāi)關(guān)的性能，甚至彌補(bǔ)某性能指標(biāo)的欠缺，收到預(yù)期的效果。本文從應(yīng)用
關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 放大器模擬技術(shù) 模擬開(kāi)關(guān)

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cmos digital image sensor介紹

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