cmos digital image sensor 文章進(jìn)入cmos digital image sensor技術(shù)社區(qū)

三星宣布新型CMOS傳感器量產(chǎn)技術(shù)

韓國(guó)三星電子宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術(shù)達(dá)到了實(shí)用化水平，2010年將批量生產(chǎn)產(chǎn)品。至此，三家大型...
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張忠謀談半導(dǎo)體業(yè) 需要加強(qiáng)合作

　　臺(tái)積電總裁張忠謀認(rèn)為,雖然近期IC業(yè)的形勢(shì)越來(lái)越好, 但是產(chǎn)業(yè)還是面臨諸多挑戰(zhàn)。　　在近期舉行的臺(tái)積電技術(shù)會(huì)上張忠謀表示,摩爾定律正在減緩和芯片制造成本越來(lái)越高，因此臺(tái)積電將比過(guò)去在芯片制造商與代工之間更加加強(qiáng)緊密合作。　　它對(duì)于大家說(shuō),此種合作關(guān)系要從芯片設(shè)計(jì)開始, 并相信未來(lái)臺(tái)積電會(huì)做得更好。　　它同時(shí)指出，加強(qiáng)合作要依技術(shù)為先。從技術(shù)層面, 那些老的，包括新的代工競(jìng)爭(zhēng)者, 如GlobalFoundries,Samsung及UMC,對(duì)于臺(tái)積電都能構(gòu)成大的威脅。　　非常幸運(yùn), 大部分
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低功耗高轉(zhuǎn)換速率CMOS模擬緩沖器

提出了減小輸入電容的軌到軌電壓緩沖器。軌到軌操作不僅在電路的輸出端，同樣在電路的輸入端實(shí)現(xiàn)。所介紹電路的AB特性導(dǎo)致了低功耗和高的轉(zhuǎn)換速率，使它很適合驅(qū)動(dòng)大的電容負(fù)載。仿真結(jié)果已經(jīng)提供了該電路的操作。
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基于3GHz CMOS低噪聲放大器優(yōu)化設(shè)計(jì)

　摘要：基于0.18 μm CMOS工藝，采用共源共柵源極負(fù)反饋結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)了一種3 GHz低噪聲放大器電路。從阻抗匹配及噪聲優(yōu)化的角度分析了電路的性能，提出了相應(yīng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。仿真結(jié)果表明，該放大器具有良好的性能
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CMOS集成CD4013觸摸開關(guān)

這個(gè)電路是使用，CMOS集成電路CD4013雙D正反器，分別接成一個(gè)單穩(wěn)態(tài)電路和一個(gè)雙穩(wěn)態(tài)電路。單穩(wěn)態(tài)電路的作用是對(duì)觸摸信號(hào)進(jìn)行脈波寬度整形，保證每次觸摸動(dòng)作都可靠。雙穩(wěn)態(tài)電路用來(lái)驅(qū)動(dòng)晶體管Q1的開通或關(guān)閉，進(jìn)而控
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5.6GHz CMOS低噪聲放大器設(shè)計(jì)

摘要：分析了一種射頻COMS共源-共柵低噪聲放大器的設(shè)計(jì)電路，采用TSMC 90nm低功耗工藝實(shí)現(xiàn)。仿真結(jié)果表明：在5．6GHz工作頻率，電壓增益約為18．5dB；噪聲系數(shù)為1．78dB；增益1dB壓縮點(diǎn)為-21．72dBm；輸入?yún)⒖既A交
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CMOS探測(cè)器在射線檢測(cè)中的設(shè)計(jì)應(yīng)用

概述：以CMOS探測(cè)器為記錄介質(zhì)的數(shù)字化射線檢測(cè)技術(shù)，檢測(cè)精度高、溫度適應(yīng)性好、結(jié)構(gòu)適應(yīng)性強(qiáng)。CMOS射線掃描探測(cè)器探測(cè)單元排成線陣列，需要在檢測(cè)時(shí)進(jìn)行相對(duì)掃描運(yùn)動(dòng)，逐線采集并拼成完整的透照投影圖像。介紹了檢
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基于單晶片CMOS語(yǔ)音合成的ASIC設(shè)計(jì)

引言　　近年語(yǔ)音集成電路獲得迅速發(fā)展，其應(yīng)范圍越越廣，自動(dòng)售貨機(jī)、ATM柜員機(jī)，部直通電話機(jī)以及玩具等方面應(yīng)量語(yǔ)音合成芯片。該芯片部采脈寬調(diào)制，數(shù)字信號(hào)確還原成模擬信號(hào)，從而使得電路輸出端不需接D/A轉(zhuǎn)換；
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淺析：視頻監(jiān)控相關(guān)技術(shù)發(fā)展與市場(chǎng)動(dòng)向

最早的視頻監(jiān)控系統(tǒng)是全模擬的視頻監(jiān)控系統(tǒng)，也稱閉路電視監(jiān)控系統(tǒng)(CCTV)。圖像信息采用視頻電纜，以模擬方式傳...
關(guān)鍵字：數(shù)字網(wǎng)絡(luò) 視頻監(jiān)控 CMOS 圖像傳感器智能芯片

DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì)

DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設(shè)計(jì),本文設(shè)計(jì)了一種應(yīng)用于DSP內(nèi)嵌鎖相環(huán)的低功耗、高線性CM0S壓控環(huán)形振蕩器。電路采用四級(jí)延遲單元能方便的獲得正交輸出時(shí)鐘，每級(jí)采用RS觸發(fā)結(jié)構(gòu)來(lái)產(chǎn)生差分輸出信號(hào)，在有效降低靜態(tài)功耗的同時(shí)．具有較好的抗噪聲能力。在延遲單元的設(shè)計(jì)時(shí)。綜合考慮了電壓控制的頻率范圍以及調(diào)節(jié)線性度，選擇了合適的翻轉(zhuǎn)點(diǎn)。仿真結(jié)果表明．電路叮實(shí)現(xiàn)2MHz至90MHz的頻率調(diào)節(jié)范圍，在中心頻率附近具有很高的調(diào)節(jié)線性度，可完全滿足DSP芯片時(shí)鐘系統(tǒng)的要求。
關(guān)鍵字：振蕩器設(shè)計(jì) 環(huán)形 CMOS 內(nèi)嵌 PLL DSP

CMOS音頻功率放大器的旁路電壓控制電路

摘要：基于CSMCO．5μm CMOS工藝設(shè)計(jì)一種帶滯回功能的高穩(wěn)定性電壓控制電路，利用遲滯比較器對(duì)旁路電壓和基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較并控制電容的充放電，提高了電壓的穩(wěn)定性。Cadence Spectre仿真結(jié)果表明，該電路產(chǎn)生的電壓穩(wěn)
關(guān)鍵字： CMOS 音頻功率放大器旁路電壓控制

Altera和Apical交付首個(gè)HD WDR FPGA監(jiān)控應(yīng)用解決方案

　　Altera公司和Apical有限公司今天宣布，為視頻監(jiān)控?cái)z像機(jī)提供世界上第一個(gè)高清晰寬動(dòng)態(tài)范圍(WDR) CMOS圖像傳感器處理解決方案。在內(nèi)華達(dá)洲拉斯維加斯3月24號(hào)到26號(hào)舉行的國(guó)際安防大會(huì)(ISC)西部博覽會(huì)上，Altera展示了這一解決方案。Altera和Apical全面的解決方案保證了各種照明條件下優(yōu)異的視頻圖像質(zhì)量，而這是前幾代監(jiān)控?cái)z像機(jī)面臨的主要瓶頸問題。結(jié)合Altera的 Cyclone® III和Cyclone IV FPGA以及Apical的知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)，這一解決方案
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安森美推出5款互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體線性穩(wěn)壓器系列

　　應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充產(chǎn)品陣容，推出5款新的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)線性穩(wěn)壓器系列。優(yōu)化的NCP69x系列用于低功耗的便攜電池供電及“持續(xù)開機(jī)”(always-on)應(yīng)用，如線纜調(diào)制解調(diào)器、衛(wèi)星接收機(jī)、數(shù)字機(jī)頂盒及電表。　　NCP690、NCP691和NCP692是極低壓降(VLDO) 1 A穩(wěn)壓器件，提供5.0 V到低至1.25 V的可調(diào)節(jié)輸出電壓，或固定輸出電壓版本。這些器件提供62 dB的電源抑制比(PSSR)、典型
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2009-2010年全球CMOS相機(jī)模組行業(yè)研究報(bào)告

　　日前，水清木華發(fā)布了2009-2010年全球CMOS相機(jī)模組行業(yè)研究報(bào)告。從報(bào)告中我們不難看出，CMOS相機(jī)模組行業(yè)仍是日本企業(yè)的天下。排名第一的FUJINON是富士膠卷旗下一員，在300萬(wàn)像素以上手機(jī)鏡頭領(lǐng)域市場(chǎng)占有率超過(guò)50%。　　手機(jī)相機(jī)模組的產(chǎn)業(yè)鏈異常復(fù)雜。手機(jī)相機(jī)模組產(chǎn)業(yè)鏈上三個(gè)核心點(diǎn)，一是CMOS圖像傳感器，二是光學(xué)鏡頭，三是模組組裝廠家。隨著手機(jī)相機(jī)像素的上升，封裝廠家也顯得日益重要，而模組組裝廠家日益落寞。CMOS圖像傳感器廠家可以結(jié)合光學(xué)元件，并經(jīng)過(guò)特殊封裝后直接出貨給手機(jī)制造廠
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GlobalFoundries德國(guó)Dresden工廠將投產(chǎn)22nm CMOS制程

　　GlobalFoundries位于德國(guó)Dresden的Fab 1正在啟動(dòng)22nm CMOS工藝的開發(fā)，并計(jì)劃將該工藝投入量產(chǎn)。目前還不知道該工藝和32nm及28nm工藝所采用的gate-first高k金屬柵CMOS工藝有何差別。　　此前，F(xiàn)ab 1被認(rèn)為將作為45/40nm和32/28nm的主要生產(chǎn)工廠，而正在美國(guó)紐約州興建的Fab 8才作為22nm及以下工藝的生產(chǎn)地。　　“22nm制程已在Fab 1開動(dòng)，F(xiàn)ab 1將試產(chǎn)22nm，并投入部分量產(chǎn)?！盕ab 1總經(jīng)理Ud
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