block ram 文章進(jìn)入block ram技術(shù)社區(qū)

AgigA推出首款高速、高密度、非易失性 RAM 系統(tǒng)

　　日前，賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司美國技佳科技有限公司 (AgigA Tech Inc.) 推出了業(yè)界首款高速、高密度、非易失性 RAM 系統(tǒng)。該新型 AGIGARAM? 非易失性系統(tǒng) (NVS) 技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的密度介于 4MB (32Mb) 到2GB (16Gb) 之間，傳輸峰值速度與 DRAM 的相當(dāng)。AGIGARAM 是多種系統(tǒng)的理想選擇，如存儲、網(wǎng)絡(luò)、通信、工業(yè)計算和控制、醫(yī)療設(shè)備、游戲系統(tǒng)、ATM 和銷售點(diǎn)終端、打印機(jī)、掃描儀、復(fù)印機(jī)、汽車和軍事系統(tǒng)等。　　至今，高速、非易失性存
關(guān)鍵字： cypress RAM AGIGARAM NVS

混合動力是新能源汽車切入點(diǎn) IGBT成驅(qū)動核心

　　目前，混合動力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動力汽車還需要在電池、電動、傳動及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。　　節(jié)能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車在全球范圍內(nèi)日益引起業(yè)界的重視，在最近的國際汽車展上，多家汽車企業(yè)推出了電動和混合動力汽車，這預(yù)示著新能源汽車即將進(jìn)入真正的商用階段。如今，中國對于新能源汽車的推廣也進(jìn)入了一個關(guān)鍵時期，今年2月，財政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開展節(jié)能與新能源汽車示范推廣試點(diǎn)工作的通知》，推廣節(jié)能與
關(guān)鍵字：新能源 IGBT F-RAM 混合動力

雙口RAM在組合導(dǎo)航系統(tǒng)中的應(yīng)用

雙口RAM在組合導(dǎo)航系統(tǒng)中的應(yīng)用,導(dǎo)航系統(tǒng)是負(fù)責(zé)將載體從起始點(diǎn)引導(dǎo)到目的地的系統(tǒng)裝置。近年來，隨著計算機(jī)技術(shù)和衛(wèi)星通信技術(shù)的發(fā)展和實(shí)際應(yīng)用，使得導(dǎo)航系統(tǒng)的精確性和可靠性達(dá)到了更高的要求，促使導(dǎo)航系統(tǒng)向綜合化和容錯化方向發(fā)展，進(jìn)而發(fā)展了
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 應(yīng)用導(dǎo)航組合 RAM 雙口雙口RAM TMS320VC33 TMS320F240 組合導(dǎo)航系統(tǒng) CY7C028

RAMTRON 宣布與 IBM 達(dá)成代工協(xié)議

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成代工服務(wù)協(xié)議，兩家企業(yè)計劃在 IBM 位于美國佛蒙特州伯靈頓市的先進(jìn)晶圓制造設(shè)施內(nèi)增設(shè) Ramtron 的 F-RAM 半導(dǎo)體工藝技術(shù)，一旦安裝完畢，這一新代工服務(wù)將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)。　　Ramtron首席運(yùn)營官 Bob Djokovich 稱：“我們期
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM IBM

RAMTRON 宣布與 IBM 達(dá)成代工協(xié)議

世界頂尖的非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成代工服務(wù)協(xié)議，兩家企業(yè)計劃在 IBM 位于美國佛蒙特州伯靈頓市的先進(jìn)晶圓制造設(shè)施內(nèi)增設(shè) Ramtron 的 F-RAM 半導(dǎo)體工藝技術(shù)，一旦安裝完畢，這一新代工服務(wù)將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導(dǎo)體產(chǎn)品的基
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM 半導(dǎo)體

RAMTRON 4兆位并口F-RAM存儲器提供FBGA封裝選擇

　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封裝的4兆位 (Mb) F-RAM存儲器。FM22LD16 是采用48腳FBGA 封裝的3V、4Mb 并口非易失性FRAM，具有高訪問速度、幾乎無限的讀/寫次數(shù)以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)。FM22LD16 與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容，并適用于工業(yè)控制系統(tǒng)如機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)存儲應(yīng)用、多功能打印機(jī)、自動導(dǎo)航系統(tǒng)，以及許多
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM FBGA 封裝

系統(tǒng)斷電時FPGA數(shù)據(jù)保護(hù)方法

從消費(fèi)電子設(shè)備到工業(yè)控制設(shè)備，越來越多的系統(tǒng)都在使用FPGA。這些應(yīng)用通常需要設(shè)備在斷電時存儲一些數(shù)據(jù)，比如...
關(guān)鍵字：斷電存儲 FPGA RAM TAG FLASH

Ramtron在V系列品線中增添串行512-Kb F-RAM

　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出全新F-RAM系列產(chǎn)品中的第二款串行器件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，特點(diǎn)包括快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。FM25V05是工業(yè)控制、儀表、醫(yī)
關(guān)鍵字：存儲器 RAM Ramtron FM25V10

基于多個特征分塊貝葉斯分類器融合策略的人臉識別方法

摘要：提出一種基于奇異值分解和貝葉斯決策的人臉特征提取與識別算法。通過對人臉圖像樣本進(jìn)行幾何歸一化和灰度均衡化后，結(jié)合分塊與加權(quán)，運(yùn)用奇異值分解，分別獲得特征臉和標(biāo)準(zhǔn)臉，然后采用多個基于特征分塊的貝葉斯分類器(FBBC)的融合策略進(jìn)行分類識別。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該方法的有效性，具有良好的精煉和實(shí)時性品質(zhì)指標(biāo)。關(guān)鍵詞：奇異值分解；貝葉斯決策；人臉特征；分類；圖像引言　　人臉識別是指利用計算機(jī)對人臉圖像進(jìn)行分析，從中提取有效的識別信息，用來鑒別身份的一種技術(shù)，具有直接、友好、方便等優(yōu)點(diǎn)?；谄娈愔堤卣鞯娜?/li>
關(guān)鍵字： A Method of Face Recognition Based on the Fusion of Multiple Feature Block Bayesian Classifiers 200810

Ramtron推出1兆位串行F-RAM存儲器

　　Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產(chǎn)品，具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品的首款器件FM25V10，是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，其特點(diǎn)是快速訪問、無延遲(NoDelay?) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。FM25V10是工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲及計算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPRO
關(guān)鍵字：存儲器 F-RAM Ramtron 閃存

其陽科技選擇Ramtron的4兆位F-RAM存儲器用于游戲機(jī)解決方案

　　Ramtron International Corporation宣布應(yīng)用工業(yè)計算平臺制造商其陽科技 (Aewin Technologies) 已在其以Intel為基礎(chǔ)的 GA-2000 及以AMD 為基礎(chǔ)的GA-3000游戲和高分辨率多媒體PC電路板中，設(shè)計使用Ramtron的FM22L16 4兆位 (Mb) F-RAM非易失性存儲器。4Mb F-RAM具有快速寫入、高耐用性和低功耗特點(diǎn)，可在其陽科技的游戲機(jī)解決方案中替代電池供電的SRAM (BBSRAM)，以確保數(shù)據(jù)的完整性，并能同時
關(guān)鍵字：存儲器 Ramtron F-RAM Aewin

恒憶推出低價低功耗DDR接口非揮發(fā)性RAM產(chǎn)品

　　恒憶 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列，此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲器，不但可以給手機(jī)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲性能，而且比目前其他解決方案價格更低。這些裝置在提供高動態(tài)隨機(jī)存儲器（DRAM）內(nèi)容平臺低成本解決方案的同時，還可達(dá)到比傳統(tǒng)NOR Flash存儲器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來相變存儲器 (PCM) 產(chǎn)品提供了無縫的絕佳架構(gòu)途
關(guān)鍵字：存儲器恒憶 Numonyx RAM

IDT推出針對工控、醫(yī)療成像和通信應(yīng)用的下一代雙口RAM

　　IDT® 公司（Integrated Device Technology, Inc.）日前宣布，其不斷擴(kuò)大的多口RAM系列又添兩個新型雙口RAM器件。從工業(yè)控制到醫(yī)療成像和通信，新的 9Mb 和 4Mb 雙端口器件可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 200MHz 的性能，以滿足苛刻的存儲器緩沖要求。這兩款器件采用 1.8V 內(nèi)核電壓，比現(xiàn)有解決方案的功耗更低。　　雙端口器件集成了存儲器和控制邏輯，可以通過獨(dú)立端口實(shí)現(xiàn)對通用中央存儲器的同時存取。該IDT 解決方案有助于客戶通過解決芯片間連接問題，增加帶寬并降低設(shè)計
關(guān)鍵字： IDT RAM 雙端口低功耗

Ramtron升級FM31x Processor Companion系列

　　非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布升級其FM31x Processor Companion (處理器伴侶) 系列。升級產(chǎn)品融入了更高效的涓流充電器和標(biāo)準(zhǔn)12.5pF外部晶振實(shí)時時鐘 (RTC)。新型 FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非易失性F-RAM存儲器、高速雙線接口及高度集成的支持與外設(shè)功能，適用于基于處理器的先進(jìn)系統(tǒng)。　　
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM 存儲器處理器伴侶

Ramtron推出帶有集成F-RAM存儲器的事件數(shù)據(jù)記錄儀

　　非易失性鐵電存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出基于F-RAM的事件數(shù)據(jù)記錄儀 (EDR) -- FM6124，這是集成式的事件監(jiān)控解決方案，能夠連續(xù)監(jiān)控狀態(tài)的變化，將數(shù)據(jù)存儲在F-RAM中并向系統(tǒng)提出有關(guān)變化的報警。FM6124與可編程邏輯控制器 (PLC) 類似，具有簡單的器件設(shè)置和資料檢索功能，便于系統(tǒng)集成和縮短設(shè)計周期。　　FM6124是針對工業(yè)控制、醫(yī)療和計量等廣泛的工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計。EDR能夠?qū)崿F(xiàn)
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM 存儲器數(shù)據(jù)記錄儀 EDR